Интегральные микросхемы

Опубликовано: Проверь себя — Юрий Витальевич. 16 Март, 2015 @ 3:00 пп

Интегральная микросхема
Чем отличаются СБИС от БИС?
К какой по степени интеграции относится
цифровая микросхема,
выполненная по биполярной технологии
и содержащая 800 элементов?



51 комментарий »

  1. СБИС(сверхбольшая интегральная схема) содержит более 10 тыс. элементов в кристалле, а БИС(большая интегральная схема) содержит до 10 тыс. элементов в кристалле.
    Цифровая микросхема, выполненная по биполярной технологии и содержащая 800 элементов, относится к средней интегральной схеме, т.к. к этому виду относятся схемы с количеством элементов до 1000 в кристалле.

    Сообщение от Шурыгин Борис — 16 Март, 2015 @ 3:16 пп

  2. БИС — большая интегральная схема (больше 1000 элементов и компонентов);СБИС — сверхбольшая интегральная схема (больше 10000 элементов и компонентов). Схема с 800 элементами будет относиться к СИС (Средняя интегральная схема).

    Сообщение от Дашковский Алексей — 16 Март, 2015 @ 3:25 пп

  3. 1)в БИС содержится от 1 тысячи до 10 тысяч элементов в кристалле, в СБИС больше 10 тысяч элементов.
    2)Цифровая микросхема, содержащая 800 элементов относится к средним интегральным схемам СИС

    Сообщение от Крапивина Татьяна — 16 Март, 2015 @ 3:56 пп

  4. 1) БИС отличается от СБИС количеством элементов, которые они содержат(БИС от 1000 до 10000, СБИС от более 10000).
    2) Цифровая микросхема, которая содержит 800 элементов относится к СИС(средним ИС)

    Сообщение от Янушкевич Карина — 16 Март, 2015 @ 4:01 пп

  5. 1-БИС отличается от СБИС тем,что в БИС находиться от 1 до 10 тысяч элементов,СБИС включает в себя более 10 тысяч элементов.
    2-к Средним Интегральным Схемам.

    Сообщение от Мацкевич Марьян — 16 Март, 2015 @ 4:05 пп

  6. СБИС содержит более 10 тыс. элементов в кристалле, а БИС — до 10 тыс. элементов в кристалле.Цифровая микросхема, выполненная по биполярной технологии
    и содержащая 800 элементов по степени интеграции относится к СИС (средняя интегральная схема).

    Сообщение от Владислав Баранов (10609113 — 16 Март, 2015 @ 4:07 пп

  7. Явным отличием сверхбольших интегральных схем от больших является степень интеграции (плотность элементов на единице площади кристалла), которая позволяет повысить производительность техники, где она задействована, не изменяя размеров схемы. Если микросхема имеет не больше 1000 элементов, то она относится к средним интегральным схемам.

    Сообщение от Понтус Владислав — 16 Март, 2015 @ 4:21 пп

  8. Cверхбольшая интегральная схема вмещает в себя больше 10 тыс. элементов, а большая интегральная схема вмещает в себя не более 10 тыс. элементов.
    800 элементов может вмещать средняя интегральная схема, так как максимальное кол-во элементов, входящих в неё, не превышает 1000 в одном кристалле.

    Сообщение от Ёч Эдвард — 16 Март, 2015 @ 4:22 пп

  9. в БИС содержится от 1 тысячи до 10 тысяч элементов в кристалле, в СБИС больше 10 тысяч элементов. Цифровая микросхема, содержащая 800 элементов относится к средним интегральным схемам СИС

    Сообщение от Андрей Белько — 16 Март, 2015 @ 4:45 пп

  10. 1)БИС и СИС отличаются степенью интеграции,а именно большая интегральная схема (БИС) содержит до 10 тыс. элементов в кристалле,а
    сверхбольшая интегральная схема (СБИС) — более 10 тыс. элементов в кристалле
    2)Цифровая микросхема,
    выполненная по биполярной технологии
    и содержащая 800 элементов,по степени интеграции относится к БИС

    Сообщение от Дарья Ларичева — 16 Март, 2015 @ 4:47 пп

  11. СБИС- это сверхбольшая интегральная схема, у неё до 1 миллиона элементов в кристалле. В то время как БИС — большая интегральная схема. В ней до 10000 элементов в одном кристалле. Цифровая микросхема,
    выполненная по биполярной технологии
    и содержащая 800 элементов, относится к СИС — средней интегральной схеме

    Сообщение от Юшкевич Дмитрий — 16 Март, 2015 @ 5:38 пп

  12. БИС-большая интегральная схема — до 10 тыс. элементов в кристалле
    СБИС-сверхбольшая интегральная схема — более 10 тыс. элементов в кристалле.
    цифровая микросхема относится к СИС-средняя интегральная схема — до 1000 элементов в кристалле

    Сообщение от Юлия Пинчук — 16 Март, 2015 @ 7:04 пп

  13. БИС- до 10тыс. элементов в кристалле, СБИС- более 10тыс. элементов. Цифровая микросхема относится к СИС.

    Сообщение от Сазонов Пётр — 16 Март, 2015 @ 7:06 пп

  14. 1.Большая интегральная схема (БИС) — до 10 тыс. элементов в кристалле, а сверхбольшая интегральная схема (СБИС) — более 10 тыс. элементов в кристалле.
    2.Цифровая микросхема,
    выполненная по биполярной технологии
    и содержащая 800 элементов относится к СИС(средние интегральные схемы).

    Сообщение от Олег Изоитко — 16 Март, 2015 @ 7:54 пп

  15. СБИС от БИС отличаются числом элементов на одном полупроводниковом кристалле. В БИС это число находится в пределах 1000-10000 элементов, в СБИС-свыше 10000 элементов.
    Цифровая схема, содержащая 800 элементов, относится к средней по степени интеграции схеме (100-1000 элементов).

    Сообщение от Павел Рабушко — 16 Март, 2015 @ 8:11 пп

  16. БИС- это большая интегральная схема включающая ДО 10 тыс. элементов в кристалле.
    СБИС- сверхбольшая интегральная схема включающая БОЛЕЕ 10 тыс. элементов в кристалле.

    Цифровая микросхема, выполненная по биполярной технологии и содержащая 800 элементов относится к СИС интеграции- средней ИС, в которой до 1000 элементов в кристалле.

    Сообщение от Вадим Доста, 10601213 — 16 Март, 2015 @ 8:22 пп

  17. СБИС — сверхбольшая интегральная схема.
    БИС — большая интегральная схема.
    Цифровая микросхема,
    выполненная по биполярной технологии
    и содержащая 800 элементов относится к СИС(средняя интегральная схема).

    Сообщение от Сергей Абрамчук — 16 Март, 2015 @ 9:07 пп

  18. БИС-большая интегральная схема, которая включает в себя до 10 тысяч элементов в кристалле,а СБИС- это
    сверхбольшая интегральная схема где содержится более 10 тысяч элементов в кристалле.
    так как цифровая микросхема содержит только 800 элементов, то по степени интеграции схема будет относится к большой интегральной схеме.

    Сообщение от Ирина Зданович — 16 Март, 2015 @ 9:57 пп

  19. Количеством реализованных на кристалле транзисторов. К СИС относится микросхема, содержащая 800 элементов.

    Сообщение от Андрей Савошинский — 17 Март, 2015 @ 3:17 пп

  20. Большая интегральная схема (БИС)содержит до 10000 элементов в кристалле.Сверхбольшая интегральная схема (СБИС)-до 1 миллиона элементов в кристалле.СБИС позволяет на порядок увеличить число обменов сигналами между элементами по сравнению со связанной группой БИС, расположенных на одной печатной плате.
    Цифровая микросхема,выполненная по биполярной технологи и содержащая 800 элементов,относится к средней степени интеграции.

    Сообщение от Даша Галтеева — 17 Март, 2015 @ 7:10 пп

  21. 1) Отличаются по числу элементов, входящих в ИС: БИС-большая интегральная схема(N>1000), СБИС- сверхбольшая ИС (N>10000).
    2) СИС

    Сообщение от Лашук Майя гр.10601113 — 17 Март, 2015 @ 10:27 пп

  22. Cверхбольшая интегральная схема вмещает в себя больше 10 тыс. элементов, а большая интегральная схема вмещает в себя не более 10 тыс. элементов.
    800 элементов может вмещать средняя интегральная схема, так как максимальное кол-во элементов, входящих в неё, не превышает 1000 в одном кристалле.

    Сообщение от Радкевич Александр — 18 Март, 2015 @ 3:16 пп

  23. СБИС — сверхбольшая интегральная схема с количеством элементов N > 10000
    БИС — большая интегральная схема с количеством элементов N > 1000
    По степени интеграции цифровая микросхема,
    выполненная по биполярной технологии
    и содержащая 800 элементов относится к СИС (средней интегральной схеме).

    Сообщение от Вишеватый Алексей — 18 Март, 2015 @ 3:38 пп

  24. большая интегральная схема (БИС) — до 10 тыс. элементов в кристалле,
    сверхбольшая интегральная схема (СБИС) — более 10 тыс. элементов в кристалле.
    Средняя степень интеграции.

    Сообщение от Башаркевич Яна — 18 Март, 2015 @ 6:24 пп

  25. 1)Большая интегральная схема (БИС) — до 10 тыс. элементов в кристалле.
    Сверхбольшая интегральная схема (СБИС) — более 10 тыс. элементов в кристалле.
    2)средняя интегральная схема (СИС) — до 1000 элементов в кристалле,

    Сообщение от Денис Мирошников — 18 Март, 2015 @ 8:48 пп

  26. Большая интегральная схема (БИС) — до 10 тыс. элементов в кристалле,
    сверхбольшая интегральная схема (СБИС) — до 1 миллиона элементов в кристалле.
    Цифровая микросхема,выполненная по биполярной технологии и содержащая 800 элементов относится к средним интегральным схемам (СИС).

    Сообщение от Власюк — 18 Март, 2015 @ 8:58 пп

  27. Разница заключается в степени интеграции:большая интегральная схема (БИС) — до 10 тыс. элементов в кристалле; сверхбольшая интегральная схема (СБИС) — более 10 тыс. элементов в кристалле;
    Микросхема относится к средней интегральной схеме (СИС), т.к количество элементов находится в пределе от 100 до 1000 элементов

    Сообщение от Дмитрий — 19 Март, 2015 @ 4:55 пп

  28. 1. Большая интегральная схема (БИС) —от 1000 до 10000 элементов в кристалле. Сверхбольшая интегральная схема (СБИС) — более 10000 элементов в кристалле. 2. Средняя интегральная схема(СИС).

    Сообщение от Николаенко Дмитрий — 19 Март, 2015 @ 4:59 пп

  29. По степени интеграции (количеству активных элементов: диодов и транзисторов) интегральные схемы (ИС) условно подразделяются на ИС малой степени интеграции — до 100 активных элементов, средней степени интеграции (СИС) — до 1000 активных элементов, БИС — свыше 1000 активных элементов, СБИС — свыше 10000 элементов. Цифровая микросхема может относиться к СИС или БИС(большая интегральная схема)

    Сообщение от Александр Лисюнин — 19 Март, 2015 @ 5:41 пп

  30. 1)отличаются они степенью интеграции К.
    2)СИС(средняя ИС)

    Сообщение от Ахундова Юлия — 19 Март, 2015 @ 6:41 пп

  31. СБИС и БИС отлчаются по степени интеграции. БИС (большие интегральные схемы) содержат до 10000 элементов в кристалле. СБИС (сверхбольшие интегральные схемы) — выше 10000 элементов в кристале. Цифровая микросхема, выполненная по биполярной технологии и содержащая 800 элементов по степени интеграции относится к цифровой БИС.

    Сообщение от Сергей Лисовский — 19 Март, 2015 @ 9:04 пп

  32. БИС- большая интегральная схема.СБИС-сверх большая ИС.выполненная по биполярной технологии
    и содержащая 800 элементов-это средняя интегральная схема (СИС).

    Сообщение от Павел Чемерко — 19 Март, 2015 @ 10:12 пп

  33. По степени интеграции (количеству активных элементов: диодов и транзисторов) интегральные схемы (ИС) условно подразделяются на БИС — до 1000 активных элементов в кристалле, СБИС — свыше 10000 элементов.
    Относится к средней интегральной схеме (СИС).

    Сообщение от Халецкая Елизавета гр10601113 — 19 Март, 2015 @ 10:26 пп

  34. у СБИС число витков N>100000 и степень интеграции К=5,а у БИС N>1000 и К=3-это их отличия.
    цифровая микросхема,
    выполненная по биполярной технологии
    и содержащая 800 элементов относится к средней интегральной схеме(СИС)

    Сообщение от Кирилл Струнец — 19 Март, 2015 @ 11:23 пп

  35. БИС — большая интегральная схема (больше 1000 элементов и компонентов);
    СБИС — сверхбольшая интегральная схема (больше 10000 элементов и компонентов).
    Схема с 800 элементами относиться к СИС (Средняя интегральная схема), т.к. число элементов и компонентов входящих в СИС N=100 — 1000.

    Сообщение от Антон Спода — 19 Март, 2015 @ 11:26 пп

  36. СБИС от БИС различаются в зависимости от степени интеграции: большая интегральная схема (БИС) имеет до 10 тыс. элементов в кристалле, а сверхбольшая интегральная схема (СБИС) — более 10 тыс. элементов в кристалле.
    Цифровая микросхема, выполненная по биполярной технологии и содержащая 800 элементов по степени интеграции относится к средней интегральной схеме (СИС), которая имеет до 1000 элементов в кристалле.

    Сообщение от Дмитрий Мшар — 20 Март, 2015 @ 12:41 дп

  37. 1.БИС-большая интегральная схема,содержащая до 10 тыс.элементов в кристалле.СБИС-сверхбольшая интегральная схема,содержащая более 10 тыс. элементов вв кристалле.
    2.средняя интегральная схема

    Сообщение от Баярина Татьяна — 20 Март, 2015 @ 8:39 дп

  38. В БИС — до 10 тыс. элементов в кристалле, а в СБИС — более 10 тыс. элементов в кристалле.
    Микросхема, содержащая 800 элементов — средняя интегральная схема (СИС).

    Сообщение от Гончаревич Алексей — 20 Март, 2015 @ 8:55 дп

  39. Отличие СБИС от БИС в их различной степени интеграции.БИС-большая интегральная схема содержит до 10 тысяч элементов в кристалле,СБИС-более 10 тысяч элементов в кристалле.Схема,содержащяя 800 элементов,по степени интеграции относится средней интегральной схеме(СИС).

    Сообщение от Александра Марчук — 20 Март, 2015 @ 9:48 дп

  40. СБИС сверхбольшая интегральная схема, БИС это большая интегральная схема.
    Средняя интегральная схема.

    Сообщение от Хлудкова Анастасия — 20 Март, 2015 @ 10:00 дп

  41. Большая интегральная схема (БИС) — до 10 тыс. элементов в кристалле,
    сверхбольшая интегральная схема (СБИС) — более 10 тыс. элементов в кристалле.
    Такая схема относится к СИС

    Сообщение от Марина Максимова — 20 Март, 2015 @ 10:20 дп

  42. У БИС до 10 тысяч элементов в кристалле, а у СБИС более 10 тысяч элементов в кристалле. Цифровая микросхема относится к СИС. (до 1000 элементов в кристалле)

    Сообщение от Бухтик Екатерина — 20 Март, 2015 @ 10:28 дп

  43. Отличается числом элементов и компонентов,сис

    Сообщение от Мартинайтис Александр — 20 Март, 2015 @ 10:53 дп

  44. Они отличаются степенью интеграции и числом элементов входа в ИС.
    Цифровая микросхема относится к средней степени интеграции.

    Сообщение от Александр Скурчаев — 20 Март, 2015 @ 12:05 пп

  45. Они отличаются степенью интеграции и числом элементов входа в ИС.
    Цифровая микросхема относится к средней степени интеграции.

    Сообщение от Емельянов Андрей — 20 Март, 2015 @ 12:07 пп

  46. (ИС), микроэлектронная схема, сформированная на крошечной пластинке (кристаллике, или «чипе») полупроводникового материала, обычно кремния, которая используется для управления электрическим током и его усиления. Типичная ИС состоит из множества соединенных между собой микроэлектронных компонентов, таких, как транзисторы, резисторы, конденсаторы и диоды, изготовленные в поверхностном слое кристалла. Прогресс в области интегральных схем привел к разработке технологий больших и сверхбольших интегральных схем (БИС и СБИС).
    БИС-большая интегральная схема — количество элементов свыше 1000
    СБИС- сверхбольшая интегральная схема — количество элементов больше 10000
    Цифровая микросхема,
    выполненная по биполярной технологии
    и содержащая 800 элементов относится к СИС(средним интегральным схемам).

    Сообщение от Ангелина Ханевич — 20 Март, 2015 @ 8:06 пп

  47. В зависимости от степени интеграции применяются следующие названия интегральных схем:1)большая интегральная схема (БИС) — до 10 тыс. элементов в кристалле;2)сверхбольшая интегральная схема (СБИС) — более 10 тыс. элементов в кристалле.Схема на БТ имеющая 800 элементов относится к схемамсо средней степенью интеграции

    Сообщение от Виктор — 20 Март, 2015 @ 8:29 пп

  48. В зависимости от степени интеграции применяются следующие названия интегральных схем:1)большая интегральная схема (БИС) — до 10 тыс. элементов в кристалле;2)сверхбольшая интегральная схема (СБИС) — более 10 тыс. элементов в кристалле.Схема на БТ имеющая 800 элементов относится к схемам со средней степенью интеграции

    Сообщение от Виктор — 20 Март, 2015 @ 8:31 пп

  49. БИС- это большая интегральная схема включающая ДО 10 тыс. элементов в кристалле.
    СБИС- сверхбольшая интегральная схема включающая БОЛЕЕ 10 тыс. элементов в кристалле.
    Цифровая микросхема, выполненная по биполярной технологии и содержащая 800 элементов относится к СИС интеграции- средней ИС, в которой до 1000 элементов в кристалле.

    Сообщение от Павел Карачёв, Владислав Петрашко (гр. 10601213) — 20 Март, 2015 @ 8:42 пп

  50. БИС — свыше 1000 активных элементов, СБИС — свыше 10000 элементов
    (СИС) — до 1000 активных элементов,у нас 800

    Сообщение от Кузьмицкий Денис — 21 Март, 2015 @ 12:34 дп

  51. Правильный ответ — в лекции Бладыко «Интегральные микросхемы»

    Сообщение от Юрий Витальевич. — 21 Март, 2015 @ 10:01 дп

Оставить сообщение

Введите, пожалуйста, правильное значение, чтобы ваше сообщение было принято.