АЧХ УПТ

Опубликовано: Проверь себя — Юрий Витальевич. 13 Апрель, 2015 @ 3:00 пп

АЧХ усилителей
На рисунке приведена
амплитудно-частотная характеристика
усилителя постоянного тока.
По какой причине у всех усилителей
снижается коэффициент усиления
на высоких частотах?



62 комментария »

  1. С увеличением частоты, емкостное сопротивление уменьшается, вследствие чего увеличивается шунтирующее действие. По этой причине уменьшается выходное напряжение и коэффициент усиления.

    Сообщение от Шурыгин Борис — 13 Апрель, 2015 @ 3:07 пп

  2. Снижение коэффициента усиления на высших частотах объясняется влиянием паразитных емкостей коллектор–база, коллектор–эмиттер и база–эмиттер, а также паразитных емкостей, которые возникают при монтаже. Эти емкости на высоких частотах приводят к закорачиванию транзисторов и снижению усиления сигнала. Всплески коэффициента усиления вызваны резонансными явлениями в усилителе.

    Сообщение от Ирина Зданович — 13 Апрель, 2015 @ 3:20 пп

  3. При увеличении частоты,Xc уменьшается, вследствие чего увеличивается шунтирующее действие. По этой причине уменьшается выходное напряжение и коэффициент усиления.

    Сообщение от Роман Снежко (10603313) — 13 Апрель, 2015 @ 3:42 пп

  4. Все усилители постоянного тока являются усилителями низкой частоты. В области высоких частот происходит уменьшение выходного напряжения, за счет паразитных емкостей, действующих параллельно входу и выходу усилителя.

    Сообщение от Понтус Владислав — 13 Апрель, 2015 @ 3:53 пп

  5. Причиной этого является частотная зависимость параметров транзисторов и паразитных емкостей схемы усилителя

    Сообщение от Андрей Белько — 13 Апрель, 2015 @ 4:01 пп

  6. Снижение коэффициент усиления на высших частотах объясняется влиянием паразитных емкостей коллектор–база, коллектор–эмиттер и база–эмиттер, а также паразитных емкостей, которые возникают при монтаже. Эти емкости на высоких частотах приводят к закорачиванию транзисторов и снижению усиления сигнала.

    Сообщение от Дашковский Алексей — 13 Апрель, 2015 @ 4:58 пп

  7. Основная причина снижения коэффициента усиления на высоких частотах-влияние емкости коллекторно-базового перехода. Эта емкость
    включена как отрицательная обратная связь. Сопротивление емкости с ростом частоты падает и глубина отрицательной обратной связи увеличивается-коэффициент усиления уменьшается. На определенной частоте транзистор перестает усиливать сигнал.

    Сообщение от Павел Рабушко — 13 Апрель, 2015 @ 5:09 пп

  8. Причиной снижения коэффициента усиления на высоких частотах является частотная зависимость параметров транзисторов и паразитных емкостей схемы усилителя

    Сообщение от Янушкевич Карина — 13 Апрель, 2015 @ 5:22 пп

  9. На низких частотах коэффициент усиления без ОС очень велик. АЧХ имеет спадающий характер в области высокой частоты. Причиной этого является частотная зависимость параметров транзисторов и емкостей схемы ОУ.

    Сообщение от Денис Мирошников — 13 Апрель, 2015 @ 5:24 пп

  10. По такой же как и причине как и в усилительном каскаде на биполярном транзисторе. Это происходит из- за того, что емкость транзистора на высоких частотах шунтирует выходное напряжение,следовательно с повышением w
    будет уменьшаться усиление каскада. Дополнительной причиной снижения усиления
    на ВЧ является уменьшение крутизны транзистора S по закону:
    S(w) = S/(1 + jwt).

    Сообщение от Ёч Эдвард — 13 Апрель, 2015 @ 5:49 пп

  11. Причиной является влияние шунтирующего действия емкости коллекторного перехода.

    Сообщение от Мацкевич Марьян — 13 Апрель, 2015 @ 5:52 пп

  12. Причиной снижения усиления на более высоких частотах является отставание по фазе переменного тока коллектора от переменного тока эмиттера. Оно вызвано инерционностью процесса перемещения носителей через базу от эмиттерного перехода к коллекторному, а также инерционностью процессов накопления и рассасывания заряда в базе.
    За счет такого сдвига фаз на высоких частотах возрастает переменный ток базы, а от этого снижается коэффициент усиления по току.

    Сообщение от Вишеватый Алексей — 13 Апрель, 2015 @ 8:52 пп

  13. По такой же как и причине как и в усилительном каскаде на биполярном транзисторе. Это происходит из- за того, что емкость транзистора на высоких частотах шунтирует выходное напряжение,следовательно с повышением w
    будет уменьшаться усиление каскада. Дополнительной причиной снижения усиления
    на ВЧ является уменьшение крутизны транзистора S по закону:
    S(w) = S/(1 + jwt).

    Сообщение от Радкевич Александр — 13 Апрель, 2015 @ 9:44 пп

  14. По такой же как и причине как и в усилительном каскаде на биполярном транзисторе. Это происходит из- за того, что емкость транзистора на высоких частотах шунтирует выходное напряжение,следовательно с повышением w
    будет уменьшаться усиление каскада. Дополнительной причиной снижения усиления
    на ВЧ является уменьшение крутизны транзистора S по закону:
    S(w) = S/(1 + jwt).

    Сообщение от Антон Морозов — 13 Апрель, 2015 @ 10:27 пп

  15. По такой же как и причине как и в усилительном каскаде на биполярном транзисторе. Это происходит из- за того, что емкость транзистора на высоких частотах шунтирует выходное напряжение,следовательно с повышением w
    будет уменьшаться усиление каскада. Дополнительной причиной снижения усиления
    на ВЧ является уменьшение крутизны транзистора S по закону:
    S(w) = S/(1 + jwt).

    Сообщение от Артем Рожко — 14 Апрель, 2015 @ 5:56 пп

  16. Время протекания основных физических процессов (время перемещения носителей от эмиттера к коллектору, заряд и разряд барьерных емкостных переходов) становится соизмеримым с периодом изменения входного сигнала. Т.е. транзистор просто не успевает реагировать на изменения входного сигнала и в какой-то момент просто перестает его усиливать.

    Сообщение от Владислав Шестак — 14 Апрель, 2015 @ 6:56 пп

  17. По причине влияния паразитных емкостей коллектор–база, коллектор–эмиттер и база–эмиттер, а также паразитных емкостей, которые возникают при монтаже. Эти емкости на высоких частотах закорачивают транзисторы и снижают усиление сигнала.

    Сообщение от Сергей Абрамчук — 14 Апрель, 2015 @ 7:45 пп

  18. По такой же как и причине как и в усилительном каскаде на биполярном транзисторе. Это происходит из- за того, что емкость транзистора на высоких частотах шунтирует выходное напряжение,следовательно с повышением w
    будет уменьшаться усиление каскада. Дополнительной причиной снижения усиления
    на ВЧ является уменьшение крутизны транзистора S по закону:
    S(w) = S/(1 + jwt).

    Сообщение от Дмитрий Кушнер — 14 Апрель, 2015 @ 9:08 пп

  19. Точно так же, как и в усилительном каскаде на биполярном транзисторе. Это происходит потому что емкость транзистора на высоких частотах шунтирует выходное напряжение,соответственно с повышением w
    будет уменьшаться усиление каскада. Дополнительной причиной снижения усиления на высоких частотах является уменьшение крутизны транзистора S по закону:
    S(w) = S/(1 + jwt).

    Сообщение от Вадим Доста, 10601213 — 14 Апрель, 2015 @ 10:24 пп

  20. По такой же как и причине как и в усилительном каскаде на биполярном транзисторе. Это происходит из- за того, что емкость транзистора на высоких частотах шунтирует выходное напряжение,следовательно с повышением w
    будет уменьшаться усиление каскада. Дополнительной причиной снижения усиления
    на ВЧ является уменьшение крутизны транзистора S по закону:
    S(w) = S/(1 + jwt).

    Сообщение от Анастасия Хлудкова — 14 Апрель, 2015 @ 10:31 пп

  21. Снижение К на высших частотах объясняется влиянием паразитных емкостей коллектор–база, коллектор–эмиттер и база–эмиттер, а также паразитных емкостей, которые возникают при монтаже. Эти емкости на высоких частотах приводят к закорачиванию транзисторов и снижению усиления сигнала. Всплески коэффициента усиления вызваны резонансными явлениями в усилителе.

    Сообщение от Андрей Савошинский — 14 Апрель, 2015 @ 10:55 пп

  22. По такой же как и причине как и в усилительном каскаде на биполярном транзисторе. Это происходит из- за того, что емкость транзистора на высоких частотах шунтирует выходное напряжение,следовательно с повышением w
    будет уменьшаться усиление каскада. Дополнительной причиной снижения усиления
    на ВЧ является уменьшение крутизны транзистора S по закону:
    S(w) = S/(1 + jwt).

    Сообщение от Яцевич Сергей, Колистратов Никита, гр. 10601213 — 14 Апрель, 2015 @ 11:39 пп

  23. Время протекания основных физических процессов (время перемещения носителей от эмиттера к коллектору, заряд и разряд барьерных емкостных переходов) становится соизмеримым с периодом изменения входного сигнала. Т.е. транзистор просто не успевает реагировать на изменения входного сигнала и в какой-то момент просто перестает его усиливать.=)

    Сообщение от Павел Болотов, гр. 10603313 — 14 Апрель, 2015 @ 11:48 пп

  24. Это происходит из- за того, что емкость транзистора на высоких частотах шунтирует выходное напряжение,следовательно с повышением w
    будет уменьшаться усиление каскада. Также снижения усиления
    на ВЧ является уменьшение крутизны транзистора S по закону:S(w) = S/(1 + jwt).

    Сообщение от Алёна Малашкевич — 14 Апрель, 2015 @ 11:49 пп

  25. Это происходит из-за того, что время протекания основных физических процессов (время перемещения носителей от эмиттера к коллектору, заряд и разряд барьерных емкостных переходов) становится соизмеримым с периодом изменения входного сигнала. Т.е. транзистор просто не успевает реагировать на изменения входного сигнала и в какой-то момент просто перестает его усиливать. Частота, на которой это происходит, и называется граничной.

    Сообщение от Янина Жукович — 15 Апрель, 2015 @ 7:43 дп

  26. По такой же как и причине как и в усилительном каскаде на биполярном транзисторе. Это происходит из- за того, что емкость транзистора на высоких частотах шунтирует выходное напряжение,следовательно с повышением w
    будет уменьшаться усиление каскада. Дополнительной причиной снижения усиления
    на ВЧ является уменьшение крутизны транзистора S по закону:
    S(w) = S/(1 + jwt).

    Сообщение от Дима Михлюк — 15 Апрель, 2015 @ 2:20 пп

  27. В многокаскадных УПТ не могут быть использованы реактивные элементы связи (R, C). Спад АЧХ в области ВЧ появляется за счет паразитных емкостей каскадов, также как и в усилителе с RC связями.

    Сообщение от Юлия Пинчук — 15 Апрель, 2015 @ 3:23 пп

  28. Причиной снижения коэффициента усиления на высоких частотах является частотная зависимость параметров транзисторов и паразитных емкостей схемы усилителя

    Сообщение от Татьяна Крапивина — 15 Апрель, 2015 @ 5:42 пп

  29. С увеличением частоты, емкостное сопротивление уменьшается, из-за чего увеличивается шунтирующее действие. Поэтому уменьшается выходное напряжение и коэффициент усиления.

    Сообщение от Сазонов Пётр — 15 Апрель, 2015 @ 6:40 пп

  30. Снижение коэффициента усиления на высших частотах объясняется влиянием паразитных емкостей коллектор–база, коллектор–эмиттер и база–эмиттер, а также паразитных емкостей, которые возникают при монтаже. Эти емкости на высоких частотах приводят к закорачиванию транзисторов и снижению усиления сигнала. Всплески коэффициента усиления вызваны резонансными явлениями в усилителе.

    Сообщение от Башаркевич Яна — 15 Апрель, 2015 @ 9:03 пп

  31. Снижение коэффициента усиления в области высоких частот обусловлено частотными свойствами входящих в усилитель транзисторов. Завал АЧХ на высоких частотах обусловлен зависимостью коэффициента усиления транзистора от частоты, наличием межэлектродных емкостей транзистора (особенно емкостью между базой и коллектором), влияние которых заключается в шунтировании соответствующих р- п- переходов тем большем, чем выше частота усиливаемого сигнала.

    Сообщение от Ольга Король — 16 Апрель, 2015 @ 4:06 пп

  32. Снижения коэффициента усиления на высоких частотах происходит из-за частотных зависимостей параметров транзисторов и паразитных емкостей схемы усилителя.

    Сообщение от Тараканова Анастасия — 16 Апрель, 2015 @ 6:48 пп

  33. Время протекания основных физических процессов (время перемещения носителей от эмиттера к коллектору, заряд и разряд барьерных емкостных переходов) становится соизмеримым с периодом изменения входного сигнала. Т.е. транзистор просто не успевает реагировать на изменения входного сигнала и в какой-то момент просто перестает его усиливать.

    Сообщение от Бойков Александр — 16 Апрель, 2015 @ 9:35 пп

  34. емкость Со
    шунтирует выходное напряжение Uвых, следовательно с повышением w
    будет уменьшаться усиление касакада. Дополнительной причиной снижения усиления
    на ВЧ является уменьшение крутизны транзистора S

    Сообщение от Евгений — 16 Апрель, 2015 @ 9:54 пп

  35. В области высоких частот (ВЧ) сопротивление разделительного
    конденсатора Ср пренебрежимо мало, при этом определяющим на АЧХ
    усилителя будет наличие емкости С.Ёмкость С
    шунтирует выходное напряжение Uвых, следовательно с повышением w
    будет уменьшаться усиление каскада. Дополнительной причиной снижения усиления
    на ВЧ является уменьшение крутизны транзистора S.

    Сообщение от Александр Лисюнин — 16 Апрель, 2015 @ 10:11 пп

  36. Время протекания основных физических процессов (время перемещения носителей от эмиттера к коллектору, заряд и разряд барьерных емкостных переходов) становится соизмеримым с периодом изменения входного сигнала. Т.е. транзистор просто не успевает реагировать на изменения входного сигнала и в какой-то момент просто перестает его усиливать.

    Сообщение от Никита Батура — 16 Апрель, 2015 @ 10:32 пп

  37. Уменьшение коэффициента усиления по току при высоких частотах возникает в связи с особенностями диффузионного распространения носителей тока в базовой области. Время прохождения носителей тока через базовую область различно для разных носителей, участвующих в диффузионном потоке. В этом случае разброс времен прохождения практически не имеет значения.

    Сообщение от Дмитрий Мшар — 16 Апрель, 2015 @ 11:00 пп

  38. По причине отставания по фазе переменного тока коллектора от переменного тока эмиттера. Оно вызвано инерционностью процесса перемещения носителей через базу от эмиттерного перехода к коллекторному.

    Сообщение от Олег Изоитко — 16 Апрель, 2015 @ 11:44 пп

  39. коэффициент усиления на высоких частотах у усилителей постоянного тока уменьшается из-за особенностей диффузионного распространения носителей тока в области базы. Время, за которое носитель тока из диффузионного потока проходит эту область, различно для каждого из них. При этом разность этих времен прохождения практически не имеет значения.

    Сообщение от Плющев Борис — 16 Апрель, 2015 @ 11:45 пп

  40. По такой же как и причине как и в усилительном каскаде на биполярном транзисторе. Это происходит из- за того, что емкость транзистора на высоких частотах шунтирует выходное напряжение,следовательно с повышением w
    будет уменьшаться усиление каскада. Дополнительной причиной снижения усиления
    на ВЧ является уменьшение крутизны транзистора S по закону:
    S(w) = S/(1 + jwt).

    Сообщение от Стальмаков Филипп 10603213 — 17 Апрель, 2015 @ 1:05 дп

  41. В области высоких частот емкость транзистора шунтирует выходное напряжение Uвых, следовательно с повышением частоты будет уменьшаться усиление касакада.

    Сообщение от Демидчик Марк 106123 — 17 Апрель, 2015 @ 9:25 дп

  42. По такой же как и причине как и в усилительном каскаде на биполярном транзисторе. Это происходит из- за того, что емкость транзистора на высоких частотах шунтирует выходное напряжение,следовательно с повышением w
    будет уменьшаться усиление каскада. Дополнительной причиной снижения усиления
    на ВЧ является уменьшение крутизны транзистора S по закону:
    S(w) = S/(1 + jwt).

    Сообщение от Рома — 17 Апрель, 2015 @ 10:26 дп

  43. По такой же как и причине как и в усилительном каскаде на биполярном транзисторе. Это происходит из- за того, что емкость транзистора на высоких частотах шунтирует выходное напряжение,следовательно с повышением w
    будет уменьшаться усиление каскада. Дополнительной причиной снижения усиления
    на ВЧ является уменьшение крутизны транзистора S по закону:
    S(w) = S/(1 + jwt).

    Сообщение от Кирилл Струнец — 17 Апрель, 2015 @ 10:27 дп

  44. По такой же как и причине как и в усилительном каскаде на биполярном транзисторе. Это происходит из- за того, что емкость транзистора на высоких частотах шунтирует выходное напряжение,следовательно с повышением w
    будет уменьшаться усиление каскада. Дополнительной причиной снижения усиления
    на ВЧ является уменьшение крутизны транзистора S по закону:
    S(w) = S/(1 + jwt).

    Сообщение от Виктор — 17 Апрель, 2015 @ 10:29 дп

  45. По такой же как и причине как и в усилительном каскаде на биполярном транзисторе. Это происходит из- за того, что емкость транзистора на высоких частотах шунтирует выходное напряжение,следовательно с повышением w
    будет уменьшаться усиление каскада. Дополнительной причиной снижения усиления
    на ВЧ является уменьшение крутизны транзистора S по закону:
    S(w) = S/(1 + jwt).

    Сообщение от Емельянов Андрей — 17 Апрель, 2015 @ 10:29 дп

  46. По такой же как и причине как и в усилительном каскаде на биполярном транзисторе. Это происходит из- за того, что емкость транзистора на высоких частотах шунтирует выходное напряжение,следовательно с повышением w
    будет уменьшаться усиление каскада. Дополнительной причиной снижения усиления
    на ВЧ является уменьшение крутизны транзистора S по закону:
    S(w) = S/(1 + jwt).

    Сообщение от Вадим — 17 Апрель, 2015 @ 10:43 дп

  47. По такой же как и причине как и в усилительном каскаде на биполярном транзисторе. Это происходит из- за того, что емкость транзистора на высоких частотах шунтирует выходное напряжение,следовательно с повышением w
    будет уменьшаться усиление каскада. Дополнительной причиной снижения усиления
    на ВЧ является уменьшение крутизны транзистора S по закону:
    S(w) = S/(1 + jwt).

    Сообщение от мартинайтис александр — 17 Апрель, 2015 @ 10:52 дп

  48. По такой же как и причине как и в
    усилительном каскаде на
    биполярном транзисторе. Это
    происходит из- за того, что емкость
    транзистора на высоких частотах
    шунтирует выходное
    напряжение,следовательно с
    повышением w
    будет уменьшаться усиление
    каскада. Дополнительной причиной
    снижения усиления
    на ВЧ является уменьшение
    крутизны транзистора S по закону:
    S(w) = S/(1 + jwt).

    Сообщение от Максимова Марина — 17 Апрель, 2015 @ 10:55 дп

  49. Многие типы ОУ общего и специального назначения имеют внутреннюю коррекцию, т.е. в схему таких ОУ включен конденсатор малой емкости (обычно 30пФ). Такой конденсатор внутренней частотной коррекции предотвращает генерацию ОУ на высоких частотах. Это происходит за счет уменьшения усиления ОУ с ростом частоты. Интервал частот, на котором частота изменяется в 10 раз, называется декадой. Изменение частоты в два раза называется октавой.

    На низких частотах коэффициент усиления без ОС очень велик. АЧХ имеет спадающий характер в области высокой частоты, начиная от частоты среза fср. Причиной этого является частотная зависимость параметров транзисторов и паразитных емкостей схемы ОУ. По граничной частоте fгр, которой соответствует снижение коэффициента усиления ОУ в корень квадратный из 2 раз, оценивают полосу пропускания частот усилителя, составляющую для современных ОУ десятки мегагерц.

    Частота f1, при которой коэффициент усиления ОУ равен единице, называется частотой единичного усиления.

    Сообщение от Бухтик Екатерина — 17 Апрель, 2015 @ 11:24 дп

  50. По такой же как и причине как и в усилительном каскаде на биполярном транзисторе. Это происходит из- за того, что емкость транзистора на высоких частотах шунтирует выходное напряжение,следовательно с повышением w
    будет уменьшаться усиление каскада. Дополнительной причиной снижения усиления
    на ВЧ является уменьшение крутизны транзистора S по закону:
    S(w) = S/(1 + jwt).

    Сообщение от Илья Ложечников — 17 Апрель, 2015 @ 1:36 пп

  51. По такой же причине как и в усилительном каскаде на биполярном транзисторе.
    Это происходит из-за того , что емкость транзистора на высоких частотах шунтирует выходное напряжение , следовательно с повышением частоты будет уменьшаться усиление каскада. Дополнительной причиной снижения усиления на ВЧ является уменьшение крутизны транзистора S по закону :
    S(w)=S/(1+jwt)

    Сообщение от Масюк Сергей, Петрашко Владислав, Фролов Владислав, Карачёв Павел, гр.10601213 — 17 Апрель, 2015 @ 2:00 пп

  52. АЧХ имеет спадающий характер в области высокой частоты, начиная от частоты среза fср. Причиной этого является частотная зависимость параметров транзисторов и паразитных емкостей схемы ОУ. По граничной частоте fгр, которой соответствует снижение коэффициента усиления ОУ в корень квадратный из 2 раз, оценивают полосу пропускания частот усилителя, составляющую для современных ОУ десятки мегагерц.

    Сообщение от Дарья Ларичева — 17 Апрель, 2015 @ 2:12 пп

  53. Основной причиной снижения коэффициентов усиления является зависимость коэффициента передачи по току транзистора от частоты, который уменьшается с повышением частоты. Второй причиной является влияние шунтирующего действия емкости коллекторного перехода , в результате чего уменьшается ток в цепи нагрузки. Третьей причиной является наличие емкости в цепи нагрузки.

    Сообщение от Владислав Баранов (10609113 — 17 Апрель, 2015 @ 2:23 пп

  54. По такой же как и причине как и в усилительном каскаде на биполярном транзисторе. Это происходит из- за того, что емкость транзистора на высоких частотах шунтирует выходное напряжение,следовательно с повышением w
    будет уменьшаться усиление каскада. Дополнительной причиной снижения усиления
    на ВЧ является уменьшение крутизны транзистора S по закону:
    S(w) = S/(1 + jwt).

    Сообщение от Базылев Денис — 17 Апрель, 2015 @ 2:49 пп

  55. Наличие в операционном усилителе, распределенных емкостей в виде емкостей р-n переходов и емкости монтажа приводит к тому, что амплитудно-частотная характеристика (АЧХ) УПТ на операционном училителе имеет завал в области высоких частот, т.е. для любого усилителя на ОУ важной характеристикой является частота единичного усиления

    Линейные искажения на высоких частотах будут сказываться и в области малых времен переходной характеристики, т.е. Со = Спер + См влияет на tу — время установления переднего фронта импульса.

    Сообщение от Владимир Бурло — 17 Апрель, 2015 @ 4:54 пп

  56. Наличие в ОУ, распределенных емкостей в виде емкостей р-n переходов и емкости монтажа приводит к тому, что амплитудно-частотная характеристика (АЧХ) УПТ на ОУ имеет завал в области высоких частот, т.е. для любого усилителя на ОУ важной характеристикой является частота единичного усиления

    Линейные искажения на высоких частотах будут сказываться и в области малых времен переходной характеристики, т.е. Со = Спер + См влияет на tу — время установления переднего фронта импульса.

    Сообщение от Калитуха Алексей — 17 Апрель, 2015 @ 4:55 пп

  57. В области высоких частот сопротивление разделительного конденсатора Ср пренебрежимо мало, при этом определяющим на АЧХ усилителя будет наличие емкости Со. Ёмкость Со шунтирует выходное напряжение Uвых, следовательно с повышением w будет уменьшаться усиление касакада. Дополнительной причиной снижения усиленияна ВЧ является уменьшение крутизны транзистора S.

    Сообщение от Даша Галтеева — 17 Апрель, 2015 @ 6:30 пп

  58. По такой же как и причине как и в усилительном каскаде на биполярном транзисторе. Это происходит из- за того, что емкость транзистора на высоких частотах шунтирует выходное напряжение,следовательно с повышением w
    будет уменьшаться усиление каскада. Дополнительной причиной снижения усиления
    на ВЧ является уменьшение крутизны транзистора S по закону:
    S(w) = S/(1 + jwt).

    Сообщение от Павел Чемерко — 17 Апрель, 2015 @ 7:13 пп

  59. По такой же как и причине как и в усилительном каскаде на биполярном транзисторе. Это происходит из- за того, что емкость транзистора на высоких частотах шунтирует выходное напряжение,следовательно с повышением w
    будет уменьшаться усиление каскада. Дополнительной причиной снижения усиления
    на ВЧ является уменьшение крутизны транзистора S по закону:
    S(w) = S/(1 + jwt).

    Сообщение от Николаенко Дмитрий — 17 Апрель, 2015 @ 8:08 пп

  60. Это объясняется влиянием паразитных емкостей коллектор–база, коллектор–эмиттер и база–эмиттер, а также паразитных емкостей, которые возникают при монтаже.

    Сообщение от Александра Марчук — 17 Апрель, 2015 @ 10:32 пп

  61. Спад АЧХ УПТ в области высоких частот происходит во многом из-за паразитных емкостей каскадов.

    Сообщение от Сергей Лисовский — 17 Апрель, 2015 @ 10:38 пп

  62. По причине внутренних процессов в транзисторе, связанных с влиянием емкости коллекторного перехода, а так же вследствие уменьшения
    модуля коэффициента h21

    Сообщение от Тимофей — 17 Апрель, 2015 @ 10:42 пп

Оставить сообщение

Введите, пожалуйста, правильное значение, чтобы ваше сообщение было принято.