P-n-переход

Опубликовано: Проверь себя — Юрий Витальевич. 20 Февраль, 2017 @ 3:00 пп

P-n-переход и барьер Шоттки
Какое подключение электронно-дырочного перехода называют прямым? Какое обратным?



51 комментарий »

  1. Прямое: к P-области подводится положительный потенциал, а к N — отрицательный.
    Обратное, соответственно, наоборот.

    Сообщение от Пузиновский 10601114 — 20 Февраль, 2017 @ 5:09 пп

  2. Прямое включение.
    Когда осуществляется прямое включение p-n перехода, то под воздействием внешнего напряжения в нем создается поле. Его направление по отношению к направлению внутреннего электрического поля противоположно. В результате этого происходит падение напряженности результирующего поля, а запирающий слой сужается.
    Вследствие такого процесса в соседнюю область переходит немалое количество основных носителей заряда. Это означает, что из области p в область n результирующий электрический ток будет протекать дырками, а в обратном направлении – электронами.

    Обратное включение.
    Когда осуществляется обратное включение p-n перехода, то в образовавшейся цепи сила тока оказывается существенно ниже, чем при прямом включении. Дело в том, что дырки из области n будут следовать в область p, а электроны – из области p в область n. Невысокая сила тока обуславливается тем, что в области p мало электронов, а в области n, соответственно, – дырок.

    Таким образом, при обратном включении полупроводникового прибора в цепь, переход через контакт двух областей осуществляется с помощью неосновных носителей заряда, количество которых совсем невелико. Поэтому электрическое сопротивление оказывается достаточно большим, а проводимость – незначительной.

    Сообщение от Михалевич Никита — 20 Февраль, 2017 @ 6:11 пп

  3. p-n-переход — это контакт двух полупроводников с различными типами проводимости (n- и p-типов).
    Прямое включение
    Когда осуществляется прямое включение p-n перехода, то под воздействием внешнего напряжения в нем создается поле. Его направление по отношению к направлению внутреннего диффузионного электрического поля противоположно. В результате этого происходит падение напряженности результирующего поля, а запирающий слой сужается.Вследствие такого процесса в соседнюю область переходит немалое количество основных носителей заряда. Это означает, что из области p в область n результирующий электрический ток будет протекать дырками, а в обратном направлении – электронами.
    Обратное включение
    Когда осуществляется обратное включение p-n перехода, то в образовавшейся цепи сила тока оказывается существенно ниже, чем при прямом включении. Дело в том, что дырки из области n будут следовать в область p, а электроны – из области p в область n. Невысокая сила тока обуславливается тем обстоятельством, что в области p мало электронов, а в области n, соответственно, – дырок.
    Таким образом, при обратном включении полупроводникового прибора в цепь, переход через контакт двух областей осуществляется с помощью неосновных носителей заряда, количество которых совсем невелико. Поэтому электрическое сопротивление оказывается достаточно большим, а проводимость – незначительной. Это означает, что возникает запирающий слой.

    Сообщение от Владислав — 20 Февраль, 2017 @ 10:16 пп

  4. Когда прикладываемое напряжение создает поле с напряженостью противоположной напряжености запирающего слоя,тогда запирающий слой уменьшается. При этом напряжение называется прямым, и ток тоже называется прямым, и подключение тоже называется прямым.
    Если же прикладываемое внешнее напряжение создает напряженость совпадающую с напряженостью запирающего слоя, то запирающий слой увеличивается и ток, напряжение, подключение называются обратными.

    Сообщение от Качан Павел гр10602215 — 21 Февраль, 2017 @ 6:07 пп

  5. Если положительный полюс источника питания подключается к p-области, а отрицательный ­— к n-области, то включение p-n-перехода называют прямым включением. При изменении указанной полярности включение p?n?перехода называют обратным включением.

    Сообщение от Юрий — 21 Февраль, 2017 @ 6:17 пп

  6. Прямое включение p-n-перехода осуществляется подачей внешнего напряжения положительным потенциалом к области р, отрицательным — к области n.
    Обратное включение p-n-перехода осуществляется подачей внешнего напряжения положительным потенциалом к области n, отрицательным — к области р

    Сообщение от Елизавета Д. — 21 Февраль, 2017 @ 6:47 пп

  7. Прямым называют электронно-дыррчный переход в котором E внешнее и Е обратное направленны в противоположные стороны. При обратном переходе Е внешнее и Е обратное сонаправленны.

    Сообщение от Кончик Дмитрий — 22 Февраль, 2017 @ 12:03 пп

  8. Если положительный полюс источника питания подключается к pp-области, а отрицательный — к nn-области, то включение pp-nn-перехода называют прямым включением. При изменении указанной полярности включение pp?nn?перехода называют обратным включением.

    Сообщение от Василевский Юрий — 22 Февраль, 2017 @ 6:23 пп

  9. Если положительный полюс источника питания подключается к pp-области, а отрицательный — к nn-области, то включение pp-nn-перехода называют прямым включением. При изменении указанной полярности включение pp?nn?перехода называют обратным включением.

    Сообщение от Василевский Андрей — 22 Февраль, 2017 @ 6:24 пп

  10. При прямом включении p-n-перехода внешнее напряжение создает в переходе поле, которое противоположно по направлению внутреннему диффузионному электрическому полю. При включении p-n-перехода в обратном направлении внешнее обратное напряжение создает электрическое поле, совпадающее по направлению с диффузионным.

    Сообщение от Кончик Дмитрий — 22 Февраль, 2017 @ 8:00 пп

  11. При прямом включении электронно-дырочного перехода внешнее наряжение создает в переходе поле, которое противоположно по направлению внутреннему диффузионному электрическому полю.При обратном включении p-n-перехода внешнее обратное направление создает электрическое поле, совпадающее по направлению с диффузионным.

    Сообщение от Дорофейчик Дмитрий — 22 Февраль, 2017 @ 8:05 пп

  12. Если положительный полюс источника питания подключается к p-области, а отрицательный — к n-области, то включение p-n-перехода называют прямым включением. При изменении указанной полярности включение p?n перехода называют обратным включением.

    Сообщение от Юрий Жмуренков — 23 Февраль, 2017 @ 1:20 пп

  13. Если положительный полюс источника питания подклю­чается к
    р-области, а отрицательный полюс — к n-области, то включение p-n перехода называют прямым. При изме­нении указанной полярности источника питания включе­ние p-n перехода называют обратным.

    Сообщение от Богдан — 23 Февраль, 2017 @ 2:21 пп

  14. Если к p–n-переходу приложить внешнее напряжение напряженностью Евнеш, то результат будет зависеть прежде всего от того, будут ли внутреннее диффузионное и внешнее поля сонаправлены или противоположны по направлению, а также от значения Евнеш. Если «плюс» внешнего поля приложить к p-области полупроводника, а «минус» — к n-области, то это стимулирует движение электронов и дырок через переход, диффузионное поле будет в значительной степени ослаблено внешним, потенциальный барьер понизится. Обедненная зона сузится, ее сопротивление станет малым.. Такое включение электронно-дырочного перехода называется прямым. При противоположном включении внешнего электрического поля электроны и дырки «отойдут» от границы вглубь своих областей, ширина обедненной зоны расширится, сопротивление перехода увеличится. Включение электронно-дырочного перехода, при котором Евнеш складывается с Едиф, называется обратным.

    Сообщение от Тихонов Александр — 23 Февраль, 2017 @ 4:29 пп

  15. Если положительный полюс источника питания подключается к p-области, а отрицательный ­— к n-области, то включение p-n-перехода называют прямым включением. При изменении указанной полярности включение p?n?перехода называют обратным включением.

    Сообщение от Анастасия Бондарева — 23 Февраль, 2017 @ 5:09 пп

  16. Если к p–n-переходу приложить внешнее напряжение напряженностью Евнеш, то результат будет зависеть прежде всего от того, будут ли внутреннее диффузионное и внешнее поля сонаправлены или противоположны по направлению, а также от значения Евнеш. Если «плюс» внешнего поля приложить к p-области полупроводника, а «минус» — к n-области, то это стимулирует движение электронов и дырок через переход.Такое включение электронно-дырочного перехода называется прямым. Включение электронно-дырочного перехода, при котором Евнеш складывается с Едиф, называется обратным.

    Сообщение от Книга Кристина — 23 Февраль, 2017 @ 7:07 пп

  17. Включение, при котором источник внешнего напряжения отрицательным полюсом подключен к полупроводнику n-типа, а положительным к полупроводнику p-типа, называется прямым. При обратном включении полупроводник n-типа подключен к положительному полюсу, а полупроводник p-типа к отрицательному.

    Сообщение от Илья — 23 Февраль, 2017 @ 7:59 пп

  18. Прямым включением диода называется такое включение, при котором положительная клемма источника напряжения подключена к аноду ( части диода с полупроводником p-типа) а отрицательная клемма источника питания подключена к катоду (части диода с полупроводником n-типа), при таком виде включения диод пропускает эл.ток в направлении от анода к катоду.
    Обратным называется включение при котором положительная клемма источника подключена к катоду , а отрицательная клемма к аноду, при таком типе включения ток через диод не течёт ( за исключением малого обратного тока).

    Сообщение от Александр — 23 Февраль, 2017 @ 7:59 пп

  19. Если положительный полюс источника напряжения подключить к p-области, а отрицательный подключить к n-области, то такое включение электронно-дырочного перехода называется прямым.
    Если же отрицательный полюс подключить к p-области, а положительный — к n-области, то такое включение называется обратным.

    Сообщение от Жиркова Кристина — 23 Февраль, 2017 @ 9:01 пп

  20. Если положительный полюс источника питания подключается к pp-области, а отрицательный — к nn-области, то включение pp-nn-перехода называют прямым включением. При изменении указанной полярности включение pp?nn?перехода называют обратным включением.

    Сообщение от Владислав — 23 Февраль, 2017 @ 9:07 пп

  21. Прямым называют такое подключение електронно-дырочного перехода, при котором положительный полюс источника соединен с p-областью(область, основными носителями заряда которой являются дырки), а отрицательный с n-областью(область, основными носителями заряда которой являются электроны). При увеличении напряжения источника, запирающий слой будет уменьшаться, что облегчит переход зарядов. Таким образом, создастся ток в прямом направлении, сила которого будет возрастать при увеличении напряжения источника.
    Обратным называют такое подключение електронно-дырочного перехода, при котором отрицательный полюс источника соединен с p-областью, а положительный с n-областью. Такое подключениие вызовет увеличение запирающего слоя и ток протекать не будет.

    Сообщение от Дмитрий Голёта — 23 Февраль, 2017 @ 11:37 пп

  22. Прямым называют такое подключение электронно-дырочного перехода, при котором источник напряжения положительным полюсом подключён к полупроводнику p-типа («+» — positive) и отрицательным к n-типа («-» -negative). При прямом включении потенциальный барьер понижается до Uк-Uпр, толщина запирающего слоя и сопротивление уменьшаются (в следствии встречного действия электрического поля Uпр, создаваемого прямым напряжением, и контактной разности потенциалов Uк).
    Если изменить полярность источника напряжения на обратную, то такое включение будет называться обратным. При таком включении барьер возрастает до Uк+Uобр, запирающий слой утолщается и сопротивление возрастает.

    Сообщение от Илья Куц — 23 Февраль, 2017 @ 11:42 пп

  23. При прямом включении p-n-перехода внешнее напряжение создает в переходе поле, которое противоположно по направлению внутреннему диффузионному электрическому полю. А При включении p-n-перехода в обратном направлении внешнее обратное напряжение создает электрическое поле, совпадающее по направлению с диффузионным.

    Сообщение от Роман — 24 Февраль, 2017 @ 7:27 дп

  24. Прямое включение электронно-дырочного перехода характеризуется подачей внешнего напряжения положительным потенциалом к области р, отрицательным — к области n. Обратное включение электронно-дырочного перехода характеризуется подачей внешнего напряжения положительным зарядом у области n, отрицательным- к области p.

    Сообщение от Позняк Дмитрий Александрович (09115) — 24 Февраль, 2017 @ 8:18 дп

  25. При подключении положительного полюса источника к области p и отрицательного полюса к области n,то это прямое включение. Если же наоборот, то обратное.

    Сообщение от Людмила Романович — 24 Февраль, 2017 @ 8:19 дп

  26. Включение p-n перехода называется прямым если источник внешнего напряжения подключить плюсом к области p, а минусом к области n. Если источник внешнего напряжения переключить плюсом к n-области и минусом к p-области то такое включение p-n перехода называется обратным.

    Сообщение от Николай — 24 Февраль, 2017 @ 9:03 дп

  27. Включение p-n перехода называется прямым если положительная клемма источника подключена к области p, а отрицательная клемма к области n. А если подключить наоборот, то такое подключение называется обратным.

    Сообщение от Брикун Глеб — 24 Февраль, 2017 @ 9:15 дп

  28. Если положительный полюс источника питания подключается к p-области, а отрицательный ­— к n-области, то включение p-n-перехода называют прямым подключением. Если изменить полярность, то подключение называется обратным.

    Сообщение от Бертош Евгений 10603115 — 24 Февраль, 2017 @ 10:17 дп

  29. Прямым включением называется включение ,при котором внешнее напряжение создаёт поле,противоположное по направлению внутреннему диффузионному электрическому полю.
    При обратном включении внешнее обратное напряжение создаёт электрическое поле ,совпадающее по направлению с диффузионным ,что приводит к росту потенциального барьера и увеличению ширины запирающего слоя .

    Сообщение от Пунько Ольга — 24 Февраль, 2017 @ 10:21 дп

  30. При прямом подключении к области с электронной проводимостью подключают отрицательный полюс источника, а к области с дырочной проводимостью положителный,возникнет движение дырок из p в n и электронов из n в p значит возникнет прямой ток.
    При противоположном подключении полюсов источника возникнет обратный ток, т.к. свободные электроны и дырки будут отдаляться от пограничного слоя и будет происходить увеличение прослойки, которая будет уменьшат ток практически до 0.

    Сообщение от Артем — 24 Февраль, 2017 @ 10:22 дп

  31. Если полупроводник с n–p-переходом подключен к источнику тока так, что положительный полюс источника соединен с n-областью, а отрицательный – с p-областью, то напряженность поля в запирающем слое возрастает. Дырки в p-области и электроны в n-области будут смещаться от n–p-перехода, увеличивая тем самым концентрации неосновных носителей в запирающем слое. Ток через n–p-переход практически не идет. Напряжение, поданное на n–p-переход в этом случае называют обратным.

    Если n–p-переход соединить с источником так, чтобы положительный полюс источника был соединен с p-областью, а отрицательный с n-областью, то напряженность электрического поля в запирающем слое будет уменьшаться, что облегчает переход основных носителей через контактный слой. Дырки из p-области и электроны из n-области, двигаясь навстречу друг другу, будут пересекать n–p-переход, создавая ток в прямом направлении.

    Сообщение от Игорь Михаевич 10603115 — 24 Февраль, 2017 @ 10:31 дп

  32. Если положительный полюс источника питания подклю­чается к
    р-области, а отрицательный полюс — к n-области, то включение p-n перехода называют прямым. При изме­нении указанной полярности источника питания включе­ние p-n перехода называют обратным.

    Сообщение от Андрей Мелехов — 24 Февраль, 2017 @ 11:17 дп

  33. При прямом включении p-n-перехода внешнее напряжение создает в переходе поле, которое противоположно по направлению внутреннему диффузионному электрическому полю. А при включении p-n-перехода в обратном направлении внешнее обратное напряжение создает электрическое поле, совпадающее по направлению с диффузионным.

    Сообщение от Разумович Игорь 10602115 — 24 Февраль, 2017 @ 12:04 пп

  34. Если положительный полюс источника питания подключается к p-области, а отрицательный ­— к n-области, то включение p-n-перехода называют прямым включением. При изменении указанной полярности включение p?n?перехода называют обратным включением.

    Сообщение от Анастасия Гайс — 24 Февраль, 2017 @ 12:42 пп

  35. Дырки движутся противоположно движению электронов, поэтому на самом деле, ток течет в одну сторону. Такое подключение называют прямым.
    Когда в p-n переходе ток снижается в десятки тысяч раз, его можно считать приближённо равным нулю. Возникает обратный ток, который образован не основными носителями заряда.Такое подключение называют обратным.

    Сообщение от Подоматько Евгений гр.10602215 — 24 Февраль, 2017 @ 2:27 пп

  36. Если к области с электронной проводимостью подключить отрицательный полюс источника, а к области с дырочной проводимостью – положительный, то такое подключение называют прямым.Если изменить полярность подключения,то такое подключение называют обратным .

    Сообщение от Мурачёв Кирилл — 24 Февраль, 2017 @ 3:28 пп

  37. Прямым называется то, при котором внешнее напряжение приложено так, что к области с электронной проводимостью подключен отрицательный полюс, а с дырочной — положительный. Обратное наоборот, с электронной проводимостью — положительный, с дырочной — отрицательный.

    Сообщение от Комякевич Никита — 24 Февраль, 2017 @ 4:03 пп

  38. При прямом подключении электронно-дырочного перехода к источнику напряжения, полупроводник p-типа подключают к большему потенциалу, а полупроводник n-типа к меньшему потенциалу. При обратном включении полупроводник p-типа подключают к меньшему потенциалу, а полупроводник n-типа к большему потенциалу.

    Сообщение от Пугачёв Иван — 24 Февраль, 2017 @ 4:19 пп

  39. Если отрицательный ­полюс источника питания подключается к n-области,а положительный к p-области, —то подключение p-n-перехода называют прямым . При изменении указанной полярности подключения p?n?перехода, подключение называют обратным.

    Сообщение от Бурчик Сергей гр.10602115 — 24 Февраль, 2017 @ 5:13 пп

  40. Подключение электронно-дырочного перехода называют прямым, если положительный полюс источника подключен к переходу р-типа, а отрицательный — к переходу n-типа.
    Подключение электронно-дырочного перехода называют обратным, если положительный полюс источника подключен к переходу n-типа, а отрицательный — к переходу p-типа

    Сообщение от Бурнейко Александр — 24 Февраль, 2017 @ 5:51 пп

  41. Прямое включение p-n-перехода осуществляется подачей внешнего напряжения положительным потенциалом к области р, отрицательным — к области n. Обратное включение — отрицательным потенциалом внешнего напряжения к области p, положительным к области n.

    Сообщение от Дима Пашковский — 24 Февраль, 2017 @ 7:58 пп

  42. Если положительный полюс источника питания подключается к p-области, а отрицательный – к n-области, то включение p-n-перехода называют прямым. При прямом включении p-n-перехода внешнее напряжение создает в переходе поле, которое противоположно по направлению внутреннему диффузионному полю. Напряженность результирующего поля падает, что сопровождается сужением запирающего слоя. В результате этого большое количество основных носителей зарядов получает возможность диффузионно переходить в соседнюю область, т.е. через переход будет протекать результирующий ток, определяемый в основном диффузионной составляющей.
    При включении p-n-перехода в обратном направлении внешнее обратное напряжение создает электрическое поле, совпадающее по направлению с диффузионным, что приводит к росту потенциального барьера и увеличению ширины запирающего слоя.Все это уменьшает диффузионные токи основных носителей.Таким образом, через переход будет протекать результирующий ток, определяемый в основном током дрейфа неосновных носителей.

    Сообщение от Янина Голуб гр.10602115 — 24 Февраль, 2017 @ 7:58 пп

  43. Когда отрицательный полюс источника подключен к n-области кристалла, а положительный — к р-об­ласти, то внешнее электрическое поле и поле р-n-перехода будут направлены в противоположные стороны. Поэтому электрическое поле р-n-перехода окажется в зна­чительной степени ослабленным. Это прямое подключение.
    Когда же отрицательный полюс источника питания подключен к р-области, а по­ложительный к n-области, то электрические поля источника и р-n-перехода совпадают. Суммарное поле возрастает и в еще большей степени (чем до присое­динения источника питания) будет препятствовать передвижению электрических зарядов через р-n-переход. Это обратное подключение.

    Сообщение от Александр — 24 Февраль, 2017 @ 8:02 пп

  44. В прямом включении «+» источника подключён к выводу p-области, а «-» источника к выводу n-области.
    В обратном включении «+» источника подключён к выводу n-области, а «-» источника к выводу p-области.

    Сообщение от Артём — 24 Февраль, 2017 @ 8:14 пп

  45. если я правильно понял на лекции,то прямое включение это включение внешнего источника так, что к границам диода с р-положительными зарядами подкл минус и соответственно к n-отрицательному плюс и наоборот обратное — к плюсу плюс к минусу минус

    Сообщение от Кирилл — 24 Февраль, 2017 @ 9:31 пп

  46. Включение p-n перехода называется прямым, если положительный полюс источника питания подключается к области p-типа, а отрицательный полюс подключается к области n-типа. Если же отрицательный полюс подключён к области p-типа, а положительный к области n-типа, то такое подключение p-n перехода называется обратным.

    Сообщение от Бородич Максим — 24 Февраль, 2017 @ 10:07 пп

  47. Если отрицательный полюс источника питания подключен к области n-типа, а положительный полюс подключен к области p-типа, и приложенное напряжение уменьшает запирающий слой, то такое включение называется прямым. Если же положительный полюс подключен к области n-типа, а отрицательный — к области p-типа, и увеличивается запирающий слой, то такое включение называется обратным.

    Сообщение от Лисовец Андрей — 24 Февраль, 2017 @ 10:08 пп

  48. Прямое включение p-n-перехода осуществляется подачей внешнего напряжения положительным потенциалом к области р, отрицательным — к области n, обратное положительным потенциалом к области n, отрицательным — к области p.

    Сообщение от Владислав Тихно — 24 Февраль, 2017 @ 11:47 пп

  49. Всё зависит от подключения источника. Если подключать положительным потенциалом к области p, а отрицательным к n, то подключение прямое. Наоборот — обратное.

    Сообщение от Светлана Лозицкая — 24 Февраль, 2017 @ 11:53 пп

  50. Включение p-n перехода называется прямым если положительная клемма источника подключена к области p, а отрицательная к области n. А если подключить наоборот, то такое подключение называется обратным.

    Сообщение от Баркин Адрей — 25 Февраль, 2017 @ 8:03 дп

  51. В Википедии сказано:
    Если к слоям полупроводника приложено внешнее напряжение так, что создаваемое им электрическое поле направлено противоположно существующему в переходе полю, то динамическое равновесие нарушается, и диффузионный ток преобладает над дрейфовым током, быстро нарастая с повышением напряжения. Такое подключение напряжения к p-n-переходу называется прямым смещением (на область p-типа подан положительный потенциал относительно области n-типа).

    Если внешнее напряжение приложить так, чтобы созданное им поле было одного направления с полем в переходе, то это приведёт лишь к увеличению толщины слоёв пространственного заряда. Диффузионный ток уменьшится настолько, что преобладающим станет малый дрейфовый ток. Такое подключение напряжения к p-n-переходу называется обратным смещением (или запорным смещением), а протекающий при этом через переход суммарный ток, который определяется в основном тепловой или фотонной генерацией пар электрон-дырка, называется обратным током.

    Сообщение от Юрий Витальевич. — 25 Февраль, 2017 @ 10:51 дп

Оставить сообщение

Введите, пожалуйста, правильное значение, чтобы ваше сообщение было принято.