Полевой транзистор

Опубликовано: Проверь себя — Юрий Витальевич. 13 Март, 2017 @ 3:00 пп

Полевой транзистор
Почему у полевого транзистора токопроводящий канал сужается от истока (И) к стоку (С)?



57 комментариев »

  1. Области с проводимостью n-типа формируются, например, диффузией и имеют обычно концентрацию атомов примеси значительно большую, чем канал p-типа. В полевых транзисторах с р-n-переходом размер канала между истоком и стоком изменяется за счет приложения электрического поля к р-n-переходу, непосредственно примыкающему к каналу.Ширина канала сужается к стоку вследствие падения напряжения при протекании тока через канал.

    Сообщение от Алексей Бобрик — 14 Март, 2017 @ 3:59 пп

  2. При изменении напряжения Uзи будет изменяться ширина p-n переходов, которые представляют собой участки в полупроводнике, которые обеднены носителями заряда. Так как p-слой c меньшим сопротивлением имеет большую концентрацию примесей по сравнению с n-слоем, то управление изменением ширина канала происходит за счет более высокоомного n-слоя. При этом изменяется сечение, и проводимость токопроводящего канала (Ic – ток стока) от истока к стоку.

    Сообщение от Реут Сергей — 14 Март, 2017 @ 5:39 пп

  3. Ширина р-n- переходов, а,следовательно, эффективная площадь поперечного сечения канала, его сопротивление и ток в канале зависят от этого напряжения. С его ростом расширяются р-n- переходы, уменьшается площадь сечения тока проводящего канала,увеличивается его сопротивление, а, следовательно, уменьшается ток в канале.Следовательно, если между истоком и стоком включить источник напряжения Uси, то силой тока стока Iс, протекающего через канал, можно управлять путем изменения сопротивления (сечения) канала с помощью напряжения, подаваемого на затвор. На этом принципе и основана работа полевого транзистора с управляющим р-n-переходом.

    Сообщение от Мелехов Андрей — 14 Март, 2017 @ 9:06 пп

  4. Потому что напряжение на истоке меньше чем на стоке

    Сообщение от Кончик Дмитрий 10602115 — 15 Март, 2017 @ 12:08 пп

  5. Т.к. Напряжение на истоке меньше, чем на стоке

    Сообщение от Олег Богдевич — 15 Март, 2017 @ 12:11 пп

  6. Управляющие свойства транзистора ос­но­­ваны на том, что геометрическая толщина токопроводящего канала сравнима с толщиной p-n перехода. При нулевом управляющем напряжении p-n переход тонок, между стоком и истоком существует токопроводящий канал из полупроводника n типа, транзистор проводит ток по цепи сток-исток. С ростом величины управляющего напряжения UЗИ увеличивается толщина p-n перехода , толщина проводящего канала сужается, возрастает сопротивление транзистора протекающему току. При достижении напряжением UЗИ величины UЗ0, называемой напряжением отсечки, p-n переход полностью перекрывает токопроводящий канал. Ток в цепи сток-исток прекращается. Так как полярности напряжений UЗИ и UСИ противоположны, разность потенциалов |UЗИ|<|UЗС|. Таким образом, толщина p-n перехода в области стока максимальна. При работе транзистора в области стока формируется горловина (самое узкое место) токопроводящего канала, что обусловливает нелинейную зависимость IС от UСИ. Это обстоятельство определяет геометрическую форму токопроводящего канала.

    Сообщение от Морозова Анастасия — 15 Март, 2017 @ 1:37 пп

  7. Поскольку на истоке И напряжение будет возрастать, а на стоке С наоборот — уменьшаться, токопроводящий канал сузится.

    Сообщение от Роман Веракса — 15 Март, 2017 @ 3:13 пп

  8. При увеличении напряжения Uси область двойного электрического слоя p-n перехода ,обедненная подвижными носителями заряда ,будет расширяться .Особенно сильно расширение перехода проявляется вблизи стока,где больше обратное напряжение на переходе Расширение p-n перехода приводит к сужению проводящего тока канала транзистора, и сопротивление канала возрастает

    Сообщение от Боярко Максим — 15 Март, 2017 @ 4:13 пп

  9. Поскольку р-слой
    имеет большую концентрацию примеси, чем n-слой, изменение ширины p-n-
    переходов происходит в основном за счет более высокоомного n-слоя (эффект
    модуляции ширины базы). Тем самым изменяются сечение токопроводящего
    канала и его проводимость, т.е. выходной ток Iс прибора.

    Сообщение от Книга Кристина — 15 Март, 2017 @ 7:32 пп

  10. Особенностьюполевого транзистора является то, что на проводимость канала оказываетвлияние как управляющее напряжение Uзи, так и напряжение Uси. При Uси = 0выходной ток Iс = 0. При Uси > 0 (Uзи = 0) через канал протекает ток Ic, врезультате чего создается падение напряжения, возрастающее в направлении стока.Суммарное падение напряжения участка исток-сток равно Uси. Повышение напряженияUси вызывает увеличение падения напряжения в канале и уменьшение его сечения, аследовательно, уменьшение проводимости канала. При некотором напряжении Uсипроисходит сужение канала, при котором границы обоих р-n- переходов смыкаются исопротивление канала становится высоким. Такое напряжение Uси называютнапряжением перекрытия или напряжением насыщения Uси нас. При подаче на затворобратного напряжения Uзи происходит дополнительное сужение канала, и егоперекрытие наступает при меньшем значении напряжения Uси нас. В рабочем режимеиспользуются пологие (линейные) участки выходных характеристик.

    Сообщение от Олег Андралойть — 16 Март, 2017 @ 8:28 дп

  11. При Uси(напряжение между током и истоком) > 0 через канал протекает ток Iс(ток стока), в результате
    чего создается падение напряжения, возрастающее в направлении стока.
    Суммарное падение напряжения участка исток — сток равно Uси. В силу этого
    потенциалы точек канала n-типа будут неодинаковыми по его длине, возрастая
    в направлении стока от нуля до Uси. Потенциал же точек р-области
    относительно истока определяется потенциалом затвора относительно истока
    и в данном случае равен нулю. В связи с указанным обратное напряжение,
    приложенное к p-n-переходам, возрастает в направлении от истока к стоку и
    p-n-переходы расширяются в направлении стока. Данное явление приводит к
    уменьшению сечения канала от истока к стоку.

    Сообщение от Владислав — 16 Март, 2017 @ 10:49 дп

  12. Канал начинает сужаться при появлении Ucи

    Сообщение от Юрий Жмуренков — 16 Март, 2017 @ 1:31 пп

  13. Ширина канала полевого транзистора сужается от истока к стоку вследствие падения напряжения при протекании тока через канал.

    Сообщение от Иванова Маргарита — 16 Март, 2017 @ 7:51 пп

  14. Напряжение Uси изменяет ширину канала за счет изменения ширины p-n перехода. Однако, поскольку оно равномерно приложено по длине канала, то его ширина уменьшается по мере приближения к стоку, к которому подведен “плюс”.

    Сообщение от Владислав Борейша — 16 Март, 2017 @ 7:54 пп

  15. Канал начинает сужаться при появлении Ucи

    Сообщение от Кулик Алексей — 16 Март, 2017 @ 8:23 пп

  16. Управляющие свойства транзистора объясняются тем, что при изменении
    напряжения Uзи изменяется ширина его p-n-переходов, представляющих собой
    участки полупроводника, обедненные носителями заряда. Поскольку р-слой
    имеет большую концентрацию примеси, чем n-слой, изменение ширины p-n-
    переходов происходит в основном за счет более высокоомного n-слоя (эффект
    модуляции ширины базы). Тем самым изменяются сечение токопроводящего
    канала и его проводимость, т.е. выходной ток Iс прибора.

    Сообщение от Тихонов Александр — 16 Март, 2017 @ 8:37 пп

  17. При Uси > 0 через канал протекает ток Iс, в результате
    чего создается падение напряжения, возрастающее в направлении стока.
    Суммарное падение напряжения участка исток — сток равно Uси. В силу этого
    потенциалы точек канала n-типа будут неодинаковыми по его длине, возрастая
    в направлении стока от нуля до Uси. Потенциал же точек р-области
    относительно истока определяется потенциалом затвора относительно истока
    и в данном случае равен нулю. В связи с указанным обратное напряжение,
    приложенное к p-n-переходам, возрастает в направлении от истока к стоку и
    p-n-переходы расширяются в направлении стока. Данное явление приводит к
    уменьшению сечения канала от истока к стоку. Повышение
    напряжения Uси вызывает увеличение падения напряжения в канале и
    уменьшение его сечений, а следовательно, уменьшение проводимости канала.

    Сообщение от Гулида Вероника — 16 Март, 2017 @ 9:12 пп

  18. Входное напряжение подается между затвором и истоком. Напряжение Uзи является обратным для обоих р-n- переходов. Ширина р-n- переходов, а,следовательно, эффективная площадь поперечного сечения канала, его сопротивление и ток в канале зависят от этого напряжения. С его ростом расширяются р-n- переходы, уменьшается площадь сечения токопроводящего канала,увеличивается его сопротивление, а, следовательно, уменьшается ток в канале.Следовательно, если между истоком и стоком включить источник напряжения Uси, то силой тока стока Iс, протекающего через канал, можно управлять путем изменения сечения (сопротивления) канала с помощью напряжения, подаваемого на затвор.

    Сообщение от Белов Алексей гр.10601215 — 16 Март, 2017 @ 9:43 пп

  19. Пусть напряжение между затвором и истоком Uзи = 0. При увеличении положительного напряжения Uси на стоке ток Iс будет нарастать. Однако с возрастанием Iс увеличивается падение напряжения на канале. Это напряжение распределяется вдоль канала: вблизи истока оно равно нулю, а вблизи стока – максимальной величине. На р-n переходе, несмотря на нулевой потенциал затвора, появляется обратное смещающее напряжение, величина которого нарастает по направлению к истоку, что ведет к сужению сечения токопроводящего канала и замедляет рост тока Iс. В конечном итоге, при дальнейшем росте стока, у стокового конца канал сужается настолько, что дальнейшее повышение напряжения уже не приводит к росту Iс.

    Сообщение от Дубатовка Александр Дмитриевич (гр.10603115) — 16 Март, 2017 @ 10:07 пп

  20. Подсоединим источник питания плюсом к стоку, минус к истоку. Затвор также подключим на общий. Начнем плавно увеличивать напряжение на стоке Uси. Пока оно мало, ширина канала наибольшая. В таком виде полевой транзистор выглядит как обычный проводник. Чем выше уровень напряжения Uси, тем выше ток через канал между стоком и истоком Iси. Это состояние иногда именуют омической областью. С увеличением Uси, в областях N-типа плавно снижается количество электронов – образуется обедненный слой. Он растет несимметрично, сильнее со стороны стока, т.к туда подсоединен источник питания. В результате канал становится уже и при последующем повышении напряжения Uси, ток Iси будет увеличиваться на очень малые значения. Это состояние получило название режим насыщения. Работа полевого транзистора JFET с N-каналом Uзи < 0. Когда полевик находится в режиме насыщения, канал достаточно узкий. Можно подать напряжение отрицательной полярности на затвор Uзи, для того чтобы еще больше сузить канал и уменьшить Iси. Если и дальше понижать уровень Uзи, канал будет уменьшаться, пока полностью не перекроется, и движение тока не остановится. Уровень Uзи, при котором ток останавливается, называется напряжение отсечки (Uотс).

    Сообщение от Голуб Янина,гр10602115 — 16 Март, 2017 @ 10:24 пп

  21. работа полевого транзистора с управляющим р-n-переходом основана на том, что ширина р-n- переходов, сопротивление, ток в канале, эффективная площадь поперечного сечения канала зависят от Uзи(напряжение между затвором и истоком). С увеличением этого напряжения расширяются р-n-переходы, площадь сечения токопроводящего канала уменьшается, поэтому ток в канале уменьшается. Таким образом при включении Uси (напряжение между стоком и истоком) можно управлять силой тока, который протекает через канал, изменяя сопротивление канала подаваемого на затвор при помощи напряжения.

    Сообщение от Валерий Кудёлка — 16 Март, 2017 @ 10:37 пп

  22. При изменении входного напряжения изменяется обратное напряжение на p-n-переходе, в связи с чем меняется толщина обедненного слоя (n-канал), то есть площадь поперечного сечения области, через которую проходит поток основных носителей заряда.

    Сообщение от Жиркова Кристина — 17 Март, 2017 @ 7:39 дп

  23. Основой полевого транзистора служит пластина кремния (затвор), в которой имеется тонкая область, называемая каналом. По одну сторону канала расположен сток, по другую — исток. … Стоит подключить еще один источник питания — GB1 — к выводам истока и затвора (плюсом к затвору), как канал «сужается», вызывая увеличение сопротивления в цепи сток-исток. Сразу же уменьшается ток в этой цепи.

    Сообщение от Кушнер Иван — 17 Март, 2017 @ 10:54 дп

  24. Напряжение Uси изменяет ширину канала за счет изменения ширины p-n перехода. Однако, поскольку оно равномерно приложено по длине канала, то его ширина уменьшается по мере приближения к стоку, к которому подведен “плюс”.

    Сообщение от Илья Матюшин 10603315 — 17 Март, 2017 @ 11:56 дп

  25. Суммарное падение напряжения участка исток — сток равно Uси. В силу этого потенциалы точек канала n-типа будут неодинаковыми по его длине, возрастая в направлении стока от нуля до Uси. Потенциал же точек р-области относительно истока определяется потенциалом затвора относительно истока и в данном случае равен нулю. Обратное напряжение, приложенное к р-п-переходам, возрастает в направлении от истока к стоку и р-п-переходы расширяются в направлении стока.

    Сообщение от Комякевич Никита — 17 Март, 2017 @ 2:45 пп

  26. Потому что Uзи меньше 0, Uси больше 0.

    Сообщение от Санковский Андрей — 17 Март, 2017 @ 3:13 пп

  27. Поскольку на истоке И напряжение будет возрастать, а на стоке С наоборот — уменьшаться, токопроводящий канал сузится.

    Сообщение от Адамович Роман 10602115 — 17 Март, 2017 @ 4:30 пп

  28. Поскольку на истоке И напряжение будет возрастать, а на стоке С наоборот — уменьшаться, токопроводящий канал сузится.

    Сообщение от Разумович Игорь 10602115 — 17 Март, 2017 @ 4:41 пп

  29. потенциал на затворе управляет шириной запирающего слоя. Uси приводит к сужению токопроводящего канала, чем больше напряжение, тем меньше токопроводящий канал и больше ширина запирающего слоя и наоборот.

    Сообщение от Хоменко Евгений 10602115 — 17 Март, 2017 @ 4:50 пп

  30. Т.к. напряжение изменяется вдоль токопроводящего канала. Следовательно изменяется и толщина запирающего слоя, что ведет к сужений токопроводящего канала.

    Сообщение от Качан Павел гр10602215 — 17 Март, 2017 @ 5:45 пп

  31. При изменении напряжения Uзи будет изменяться ширина p-n переходов, которые представляют собой участки в полупроводнике, которые обеднены носителями заряда. Так как p-слой c меньшим сопротивлением имеет большую концентрацию примесей по сравнению с n-слоем, то управление изменением ширина канала происходит за счет более высокоомного n-слоя. При этом изменяется сечение, и проводимость токопроводящего канала (Ic – ток стока) от истока к стоку.

    Сообщение от Бурчик Сергей гр.10602115 — 17 Март, 2017 @ 6:23 пп

  32. Токопроводящий канал сужается из-за изменения напряжения вдоль него.

    Сообщение от dfcef — 17 Март, 2017 @ 6:41 пп

  33. Суммарное падение напряжения участка исток — сток равно Uси. В силу этого потенциалы точек канала n-типа будут неодинаковыми по его длине, возрастая в направлении стока от нуля до Uси. Потенциал же точек р-области относительно истока определяется потенциалом затвора относительно истока и в данном случае равен нулю. В связи с указанным, обратное напряжение, приложенное к р-п-переходам, возрастает в направлении от истока к стоку и р-п-переходы расширяются в направлении стока. Данное явление приводит к уменьшению сечения канала от истока к стоку.Повышение напряжения Uси вызывает увеличение падения напряжения в канале и уменьшение его сечений, и, как следствие, уменьшение проводимости канала. При некотором напряжении Uси происходит сужение канала, при котором границы обоих р-п-переходов смыкаются.

    Сообщение от Дорофейчик Дмитрий — 17 Март, 2017 @ 6:42 пп

  34. Суммарное падение напряжения участка исток — сток равно Uси. В силу этого потенциалы точек канала n-типа будут неодинаковыми по его длине, возрастая в направлении стока от нуля до Uси. Потенциал же точек р-области относительно истока определяется потенциалом затвора относительно истока и в данном случае равен нулю. В связи с указанным, обратное напряжение, приложенное к р-п-переходам, возрастает в направлении от истока к стоку и р-п-переходы расширяются в направлении стока. Данное явление приводит к уменьшению сечения канала от истока к стоку.Повышение напряжения Uси вызывает увеличение падения напряжения в канале и уменьшение его сечений, и, как следствие, уменьшение проводимости канала. При некотором напряжении Uси происходит сужение канала, при котором границы обоих р-п-переходов смыкаются.

    Сообщение от Кончик Дмитрий 10602115 — 17 Март, 2017 @ 6:46 пп

  35. Появление напряжения Uси приводит к сужению канала, т.к. Uс>Uи:
    С увеличением напряжения ширина запирающего слоя увеличивается, а токопроводящий канал сужается и наоборот.

    Сообщение от Анастасия Бондарева — 17 Март, 2017 @ 6:56 пп

  36. При UЗИ = 0 толщина p-n – переходов затвора и подложки минимальна, канал «широкий» и проводимость его наибольшая. Под действием напряжения UСИ по каналу будет проходить ток, создаваемый основными носителями зарядов – электронами. На участке напряжений от 0 до UСИ.НАС ток будет нарастать и достигнет величины IС.нач – начального тока стока. Дальнейшее увеличение напряжения на стоке повышает напряжённость поля в запорном слое p-n переходов затвора и подложки, но не увеличивает ток стока. Когда напряжение на стоке достигнет UСИ.макс, может наступить электрический пробой по цепи сток – затвор, что показывает вертикальная линия роста тока на выходной характеристике. Если отрицательное напряжение на затворе увеличивать, то, в соответствии с эффектом Эрли, толщина p-n – переходов затвора и подложки начнёт увеличиваться за счёт канала, сечение канала будет уменьшаться. Ток стока будет ограничен на меньшем уровне. Если и дальше увеличивать отрицательное напряжение на затворе, то, при некоторой его величине, называемой напряжением отсечки UЗИотс, p-n переходы затвора и подложки сомкнутся и перекроют канал. Движение электронов в канале прекратится, ток стока будет равен нулю, и не будет зависеть от напряжения на стоке. Следовательно, полевой транзистор с управляющим p-n–переходом до напряжения на стоке UСИ.НАС работает как регулируемое сопротивление, а на горизонтальных участках выходных характеристик может использоваться для усиления сигналов в режиме нагрузки.

    Сообщение от Артем Ракусевич — 17 Март, 2017 @ 7:13 пп

  37. При нулевом управляющем напряжении p-n переход тонок, между стоком и истоком существует токопроводящий канал из полупроводника n типа, транзистор проводит ток по цепи сток-исток. С ростом величины управляющего напряжения UЗИ увеличивается толщина p-n перехода, толщина проводящего канала сужается, возрастает сопротивление транзистора протекающему току.При достижении напряжением UЗИ величины UЗ0, называемой напряжением отсечки, p-n переход полностью перекрывает токопроводящий канал. Ток в цепи сток-исток прекращается. Так как полярности напряжений UЗИ и UСИ противоположны, разность потенциалов |UЗИ|<|UЗС|. Таким образом, толщина p-n перехода в области стока максимальна. При работе транзистора в области стока формируется горловина токопроводящего канала, что обусловливает нелинейную зависимость IС от UСИ.

    Сообщение от Ковалевский Александр — 17 Март, 2017 @ 7:23 пп

  38. Поскольку напряжение изменяется вдоль токопроводящего канала, то изменяется и толщина запирающего слоя, что ведет к сужению токопроводящего канала.

    Сообщение от Саракваша Алексей — 17 Март, 2017 @ 7:27 пп

  39. При изменении напряжения Uзи будет изменяться ширина p-n переходов, которые представляют собой участки в полупроводнике, которые обеднены носителями заряда. Так как p-слой c меньшим сопротивлением имеет большую концентрацию примесей по сравнению с n-слоем, то управление изменением ширина канала происходит за счет более высокоомного n-слоя. При этом изменяется сечение, и проводимость токопроводящего канала (Ic – ток стока) от истока к стоку.

    Сообщение от Чумаченко Михаил — 17 Март, 2017 @ 7:47 пп

  40. Обратное напряжение, приложенное к p-n переходам, возрастает в направлении от истока к стоку и p-n переходы расширяются в направлении стока. Данное явление приводит к уменьшению сечения канала от истока к стоку.Повышение напряжения Uси вызывает увеличение падения напряжения в канале и уменьшение его сечений, и, как следствие, уменьшение проводимости канала.

    Сообщение от Всеволод Филипченко — 17 Март, 2017 @ 8:01 пп

  41. Это происходит, так как обратное напряжение, приложенное к р-п-переходам, возрастает в направлении от истока к стоку и р-п-переходы расширяются в направлении стока. Данное явление и приводит к уменьшению сечения канала от истока к стоку.А повышение напряжения Uси вызывает увеличение падения напряжения в канале и уменьшение его сечений, и, как следствие, уменьшение проводимости канала.

    Сообщение от Михаевич Игорь 10603115 — 17 Март, 2017 @ 8:04 пп

  42. При увеличении напряжения Ucu область двойного электрического слоя p-n перехода, обедненная подвижными носителями заряда, будет расширяться.Особенно сильно расширение перехода проявляется вблизи стока, где больше обратное напряжение на переходе. Расширение p-n перехода приводит к сужению проводящего ток канала транзистора. Что ведет к уменьшению сечения канала от истока к стоку.

    Сообщение от Николай Магер — 17 Март, 2017 @ 8:07 пп

  43. Uси влияет на ширину канала за счет изменения ширины p-n переходов. У полевого транзистора с каналом n-типа к стоку подведён «+», поэтому вблизи стока создаётся обеднённый электронами слой, следовательно токопроводящий канал сужается.

    Сообщение от Фирсов Эдуард — 17 Март, 2017 @ 8:15 пп

  44. Канал начинает сужаться при появлении Ucи

    Сообщение от Евгений Щигло — 17 Март, 2017 @ 8:27 пп

  45. При подключении затвора, его потенциал усиливает напряжение истока и снижает напряженеи стока. Таким образом концентрация дырок увеличивается ближе к стоку и уменьшается у истока. Это создает токопроводящий канал, управляемый напрядением затвора.

    Сообщение от Дмитрий Голёта — 17 Март, 2017 @ 9:00 пп

  46. Канал начинает сужаться при появлении Ucи

    Сообщение от Анастасия Гайс — 17 Март, 2017 @ 9:07 пп

  47. Потому что напряжение Затвор-Сток больше чем Затвор-Исток

    Сообщение от Артём — 17 Март, 2017 @ 9:31 пп

  48. При изменении напряжения Uзи будет изменяться ширина p-n переходов, которые представляют собой участки в полупроводнике, обедненные носителями заряда. Так как p-слой c меньшим сопротивлением имеет большую концентрацию примесей по сравнению с n-слоем, то управление изменением ширина канала происходит за счет более высокоомного n-слоя. При этом изменяется сечение, и проводимость токопроводящего канала (Ic – ток стока) от истока к стоку.

    Сообщение от Кабачевский Алексей — 17 Март, 2017 @ 9:31 пп

  49. Ширина канала сужается от истока к стоку вследствие падения напряжения при протекании тока через канал.

    Сообщение от Бородич Максим — 17 Март, 2017 @ 10:33 пп

  50. Токопроводящий канал сужается от истока к стоку из-за падения напряжения при протекании тока через канал

    Сообщение от Лисовец Андрей — 17 Март, 2017 @ 10:33 пп

  51. Например при Uси > 0 (Uзи = 0) через канал протекает ток Iс, в результате чего создается падение напряжения, возрастающее в направлении стока. Суммарное падение напряжения участка исток — сток равно Uси. В силу этого потенциалы точек канала n-типа будут неодинаковыми по его длине, возрастая в направлении стока от нуля до Uси. Потенциал же точек р-области относительно истока определяется потенциалом затвора относительно истока и в данном случае равен нулю. В связи с указанным обратное напряжение, приложенное к p-n-переходам, возрастает в направлении от истока к стоку и p-n-переходы расширяются в направлении стока. Данное явление приводит к уменьшению сечения канала от истока к стоку.

    Сообщение от Галицка Надежда — 18 Март, 2017 @ 12:11 дп

  52. У полевого транзистора токопроводящий канал начинает сужаться при появлении Ucи.

    Сообщение от Мурачёв Кирилл — 18 Март, 2017 @ 12:21 дп

  53. Токопроводящий канал сужается,т.к.появляется Uси

    Сообщение от Елизавета Д. — 18 Март, 2017 @ 12:29 дп

  54. При изменении напряжения Uзи будет изменяться ширина p-n переходов, которые представляют собой участки в полупроводнике, которые обеднены носителями заряда. Так как p-слой c меньшим сопротивлением имеет большую концентрацию примесей по сравнению с n-слоем, то управление изменением ширина канала происходит за счет более высокоомного n-слоя. При этом изменяется сечение, и проводимость токопроводящего канала (Ic – ток стока) от истока к стоку.

    Сообщение от Позняк Дмитрий (09115) — 18 Март, 2017 @ 12:51 дп

  55. Так как p-слой c меньшим сопротивлением имеет большую концентрацию примесей по сравнению с n-слоем, то управление изменением ширина канала происходит за счет более высокоомного n-слоя. При этом изменяется сечение, и проводимость токопроводящего канала (Ic – ток стока) от истока к стоку.

    Сообщение от Вараксин Эдуард — 18 Март, 2017 @ 1:32 дп

  56. Следствием этого является ограничение роста тока, обязанное двум причинам: уменьшению количества (погонной плотности) электронов в поперечном сечении канала и уменьшению их подвижности.

    Сообщение от Залеский Алексей — 18 Март, 2017 @ 1:35 дп

  57. Присутствует только напряжение канала, управляющее напряжение отсутствует и начинает протекать ток Ic. Создается падение напряжения на стоковом электроде, в результате пропускная способность канала сужается и при некотором значении границы p-n переходов смыкаются. Повышается внутреннее сопротивление канала и ток Ic далее не способен проходить.

    Сообщение от Бердиев М.А. — 18 Март, 2017 @ 8:13 дп

Оставить сообщение

Введите, пожалуйста, правильное значение, чтобы ваше сообщение было принято.