Степень интеграции

Опубликовано: Проверь себя — Юрий Витальевич. 27 Март, 2017 @ 3:00 пп

Микросхема
Что такое степень интеграции
интегральных микросхем?
Какова она для СБИС?



62 комментария »

  1. Это характеристика, определяющая плотность упаковки (размещения) на одном кристалле (чипе) схемных элементов ИС. Различают следующие степени интеграции — малая, средняя, большая и сверхбольшая. СБИС(сверхбольшая интегральная схема) содержит более 10 тыс. элементов в кристалле

    Сообщение от Всеволод Филипченко — 27 Март, 2017 @ 3:36 пп

  2. Cтепень интеграции интегральных микросхем — это характеристика, определяющая плотность упаковки (размещения) на одном кристалле (чипе) схемных элементов ИС. Различают следующие степени интеграции — малая, средняя, большая и сверхбольшая.
    СБИС(сверхбольшая интегральная схема) которая содержит более 10 тыс. элементов в кристалле

    Сообщение от Михаевич Игорь 10603115 — 27 Март, 2017 @ 3:40 пп

  3. Степень интеграции интегральной микросхемы– показатель степени сложности микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов.Сверхбольшая интегральная схема (СБИС) содержит от 10000 до 1000000 элементов.

    Сообщение от Гулида Вероника — 27 Март, 2017 @ 7:19 пп

  4. Степень интеграции — показатель, характеризующий сложность интегральной схемы. Для СБИС более 10.000 элементов в кристалле.

    Сообщение от Владислав Тихно — 27 Март, 2017 @ 7:47 пп

  5. Степень интеграции интегральной микросхемы – показатель степени сложности микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов.Для СБИС-более 10 тыс. элементов .

    Сообщение от Владислав Борейша — 27 Март, 2017 @ 8:57 пп

  6. Степень интеграции интегральных схем — показатель, характеризующий сложность интегральной схемы. Для СБИС более 10 тыс. элементов в кристалле.

    Сообщение от Светлана Лозицкая — 27 Март, 2017 @ 9:33 пп

  7. Это характеристика, определяющая плотность упаковки (размещения) на одном кристалле (чипе) схемных элементов ИС. Различают следующие степени интеграции — малая, средняя, большая и сверхбольшая.
    СБИС(сверхбольшая интегральная схема) содержит более 10 тыс. элементов в кристалле

    Сообщение от Дорофейчик Дмитрий — 27 Март, 2017 @ 9:55 пп

  8. Cтепень интеграции(N)-число компонентов, заключённых в одном корпусе интегральной микросхемы.
    Для СБИС N>10 тыс. элементов в кристалле.

    Сообщение от Фирсов Эдуард — 27 Март, 2017 @ 10:14 пп

  9. Степень интеграции элементов ИС характеризует достигнутый при производстве этих ИС технологический уровень. Численное значение степени интеграции определяется округленным до большего целого числа значением десятичного логарифма числа элементов в одном кристалле. СБИС относится к ИС сверхбольшой степени интеграции. В СБИС содержится более 10000 элементов в кристалле.

    Сообщение от Влад Камыш 10602215 — 27 Март, 2017 @ 10:53 пп

  10. Степень интеграции элементов ИС характеризует достигнутый при производстве этих ИС технологический уровень. Численное значение степени интеграции определяется округленным до большего целого числа значением десятичного логарифма числа элементов в одном кристалле. СБИС относится к ИС сверхбольшой степени интеграции. СБИС содержит более 10000 элементов в кристалле.

    Сообщение от Юрий Жмуренков — 27 Март, 2017 @ 10:54 пп

  11. Это характеристика, определяющая плотность упаковки (размещения) на одном кристалле (чипе) схемных элементов ИС. Различают следующие степени интеграции — малая, средняя, большая и сверхбольшая.
    СБИС(сверхбольшая интегральная схема) содержит более 10 тыс. элементов в кристалле

    Сообщение от Кончик Дмитрий 10602115 — 27 Март, 2017 @ 11:05 пп

  12. Степень интеграции элементов ИС характеризует достигнутый при производстве этих ИС технологический уровень. Численное значение степени интеграции определяется округленным до большего целого числа значением десятичного логарифма числа элементов в одном кристалле. СБИС относится к ИС сверхбольшой степени интеграции. В СБИС содержится более 10000 элементов в кристалле.

    Сообщение от Кулик Алексей — 27 Март, 2017 @ 11:12 пп

  13. Степень интеграции элементов ИС характеризует достигнутый при производстве этих ИС технологический уровень. Численное значение степени интеграции определяется округленным до большего целого числа значением десятичного логарифма числа элементов в одном кристалле. СБИС относится к ИС сверхбольшой степени интеграции. В СБИС содержится более 10000 элементов в кристалле.

    Сообщение от Анастасия Гайс — 27 Март, 2017 @ 11:12 пп

  14. Степень интеграции интегральной микросхемы – показатель степени сложности микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов.
    Для СБИС степени интеграции k = 5;6;7

    Сообщение от Вараксин Эдуард — 28 Март, 2017 @ 2:30 пп

  15. Степень интеграции интегральных микросхем определяет сложность схем.
    Мерой степени интеграция является плотность элементов, которая определяется числом элементов на кристалле или на единице площади.
    Степень интеграции СБИС — более 10 тыс. элементов в кристалле.

    Сообщение от Дубатовка Александр Дмитриевич (гр.10603115) — 28 Март, 2017 @ 3:34 пп

  16. Степень интеграции интегральной микросхемы — это показатель степени сложности интегральной микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов. Степень интеграции интегральной микросхемы определяют по формуле K = lg N, где K — коэффициент, определяющий степень интеграции, значение которого округляют до ближайшего большего целого числа; N — число элементов интегральной микросхемы, в том числе содержащихся в составе компонентов, входящих в интегральную микросхему. СБИС — сверхбольшая интегральная схема, ее степень интеграции k = 5;6;7

    Сообщение от Галицкая Надежда — 28 Март, 2017 @ 6:42 пп

  17. Степень интеграции интегральной микросхемы — показатель степени сложности микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов.

    Сообщение от Василевский Юрий — 28 Март, 2017 @ 7:56 пп

  18. Степень интеграции интегральной микросхемы — показатель степени сложности микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов

    Сообщение от Василевский Андрей — 28 Март, 2017 @ 7:58 пп

  19. Степени интегральной микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов, Степень интеграции интегральной микросхемы определяют по формуле K = lg N

    Сообщение от Прокопенко А.С. — 29 Март, 2017 @ 12:20 пп

  20. Степень интеграции элементов ИС характеризует достигнутый при производстве этих ИС технологический уровень. Численное значение степени интеграции определяется округленным до большего целого числа значением десятичного логарифма числа элементов в одном кристалле. СБИС относится к ИС сверхбольшой степени интеграции. В СБИС содержится более 10000 элементов в кристалле.

    Сообщение от Щигло Евгений — 29 Март, 2017 @ 12:28 пп

  21. Степень интеграции отражает функциональную сложность устройства, которое можно разместить на кристалле ИС и поместить в отдельный корпус.Так же степень интеграции характеризует количество элементов в микросхеме.
    В соответствии с выбранным критерием СБИС ПЛ делят на СБИС, имеющие:

    низкую степень интеграции (лог. емк. до 1500 ЛВ);

    среднюю степень интеграции (лог.емк. от 1500 до 15000 ЛВ);

    высокую степень интеграции (лог.емк. от 15000 до 150000 ЛВ);

    сверхвысокую степень интеграции (лог.емк. более 150000 ЛВ).

    Сообщение от Алексей Бобрик — 29 Март, 2017 @ 2:39 пп

  22. Степень интеграции интегральных микросхем характеризует их сложность. Для сверхбольших интегральных схем более 10 тыс. элементов в кристалле.

    Сообщение от Санковский Андрей — 29 Март, 2017 @ 4:32 пп

  23. Степень интеграции интегральной микросхемы — показатель степени сложности интегральной микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и (или) компонентов. СБИС — сверхбольшие интегральные микросхемы, число элементов в них 10000 и более.

    Сообщение от Пугачёв Иван — 29 Март, 2017 @ 6:04 пп

  24. СТЕПЕНЬ ИНТЕГРАЦИИ(К) — показатель, характеризующий сложность интегральной схемы, численно определяется выражением К = lgN, где N — число элементов, входящих в ИС. Значение К округляется до ближайшего целого числа в сторону увеличения. Однако чаше пользуются другой оценкой сложности ИС, в соответствии с к-рой различают малые N < 10^2), средние (N = 10^2 — 10^3), большие (N = 10^3 — 10^4) и СВЕРХБОЛЬШИЕ (W = 10^4 и более) интегральные схемы.

    Сообщение от Матюшин Илья 10603315 — 29 Март, 2017 @ 9:27 пп

  25. Степень интеграции ИС — показатель степени сложности микросхемы , характеризуется числом содержащихся в ней элементов и компонентов.
    (СБИС)-сверхбольшая интегральная схема — до 1 миллиона элементов в кристалле

    Сообщение от Ковалевский Александр — 29 Март, 2017 @ 9:32 пп

  26. (К) — показатель, характеризующий сложность интегральной схемы’, численно определяется выражением К = IgN, где N — число элементов, входящих в ИС (значение К округляется до ближайшего целого числа в сторону увеличения). Однако чаше пользуются другой оценкой сложности И. с., в соответствии с к-рой различают малые N < 102), средние (N = 102 — 103), большие (N = 103 — 104) и сверхбольшие W = 104) интегральные схемы.
    Сверхбольшая интегральная схема (СБИС) — более 10 тыс. элементов в кристалле.

    Сообщение от Мелехов Андрей — 29 Март, 2017 @ 10:14 пп

  27. Степень интеграции интегральных микросхем -количество элементов в микросхеме.
    Степень интеграции для СБИС-более 10 тыс. элементов в кристалле.

    Сообщение от Морозова Анастасия — 30 Март, 2017 @ 12:01 пп

  28. Интегральная микросхема (ИС) – микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала и имеющее высокую плотность упаковки электрически соединенных элементов и кристаллов, которое с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации рассматривается как единое целое. Были предложены следующие названия микросхем в зависимости от степени интеграции:

    Малая интегральная схема (МИС) — до 100 элементов в кристалле.
    Средняя интегральная схема (СИС) — до 1000 элементов в кристалле.
    Большая интегральная схема (БИС) — до 10000 элементов в кристалле.
    !!!Сверхбольшая интегральная схема (СБИС) — до 1 миллиона элементов в кристалле.
    Ультрабольшая интегральная схема (УБИС) — до 1 миллиарда элементов в кристалле.
    Гигабольшая интегральная схема (ГБИС) — более 1 миллиарда элементов в кристалле.

    Сообщение от Кушнер Иван — 30 Март, 2017 @ 2:36 пп

  29. Степень интеграции интегральной микросхемы – показатель степени сложности микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов.Сверхбольшая интегральная микросхема (СБИС) — ИС, содержащая свыше 100000 элементов и (или) компонентов для цифровых ИС с регулярной структурой построения, свыше 50000 – для цифровых ИС с нерегулярной структурой построения, и свыше 10000 – для аналоговых ИС (5..7 степень).

    Сообщение от Хоменко Евгений 10602115 — 30 Март, 2017 @ 2:43 пп

  30. Показатель степени сложности интегральной микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и (или) компонентов. Примечание — Степень интеграции интегральной микросхемы определяют по формуле K = lg N, где K — коэффициент, определяющий степень интеграции, значение которого округляют до ближайшего большего целого числа; N — число элементов интегральной микросхемы, в том числе содержащихся в составе компонентов, входящих в интегральную микросхему
    Для СБИС степень интеграции более 10 тыс. элементов в кристалле.

    Сообщение от Роман Веракса — 30 Март, 2017 @ 3:27 пп

  31. Это кол-во элементов кристалле
    малая интегральная схема (МИС) — до 100 элементов в кристалле,
    средняя интегральная схема (СИС) — до 1000 элементов в кристалле,
    большая интегральная схема (БИС) — до 10 тыс. элементов в кристалле,
    сверхбольшая интегральная схема (СБИС) — более 10 тыс. элементов в кристалле

    Сообщение от Качан Павел гр10602215 — 30 Март, 2017 @ 3:32 пп

  32. Это кол-во элементов кристалле
    малая интегральная схема (МИС) — до 100 элементов в кристалле,
    средняя интегральная схема (СИС) — до 1000 элементов в кристалле,
    большая интегральная схема (БИС) — до 10 тыс. элементов в кристалле,
    сверхбольшая интегральная схема (СБИС) — более 10 тыс. элементов в кристалле

    Сообщение от Позняк Богдан — 30 Март, 2017 @ 3:35 пп

  33. Степень интеграции — это а) количество элементов в микросхеме и б) количество потребной «обвязки»
    Сверхбольшая интегральная схема (СБИС) — более 10 тыс. элементов в кристалле.

    Сообщение от Реут Сергей — 30 Март, 2017 @ 4:55 пп

  34. Степень интеграции им-показатель, характеризующий сложность интегральной схемы.
    Количественно степень интеграции описывается условным коэффициентом K = lg N , где N – число компонентов.
    В зависимости от значений K интегральные схемы подразделяются:
    K<2,(N<100)–малая интегральная схема (МИС или IS);
    2<K<4,(N<10^4)–интегральная схема средней степени интеграции(СИС или MSI);
    4<K<5,(N 6,(N>10^6) –сверхбольшая интегральная схема (СБИС или VLSI).
    Сокращения приведенные на английском языке имеют следующий смысл: IS – Integrated Circuit; MSI – Medium Scale Integration; LSI – Large Scale Integration; VLSI – Very Large Scale Integration.

    Сообщение от Елизавета Д. — 30 Март, 2017 @ 6:24 пп

  35. Степень интеграции интегральных микросхем — это показатель степени сложности интегральной микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов. Количественно степень интеграции выражается коэффициентом K = lg N, где N — число элементов. Например для цифровой СБИС с технологией МДП N>10000. Поэтому K=4 и более.

    Сообщение от Никита Ваник — 30 Март, 2017 @ 7:33 пп

  36. степень интеграции интегральных микросхем показывает плотность размещения на одном кристалле системных элементов интегральной схемы. В зависимости от степени интеграции применяются следующие названия интегральных схем:
    1) малая интегральная схема (МИС) — до 100 элементов в кристалле,
    2) средняя интегральная схема (СИС) — до 1000 элементов в кристалле,
    3) большая интегральная схема (БИС) — до 10 тыс. элементов в кристалле,
    4)сверхбольшая интегральная схема (СБИС) — более 10 тыс. элементов в кристалле

    Сообщение от Валерий Кудёлка — 30 Март, 2017 @ 7:50 пп

  37. Это кол-во элементов кристалле
    малая интегральная схема (МИС) — до 100 элементов в кристалле,
    средняя интегральная схема (СИС) — до 1000 элементов в кристалле,
    большая интегральная схема (БИС) — до 10 тыс. элементов в кристалле,
    сверхбольшая интегральная схема (СБИС) — более 10 тыс. элементов в кристалле

    Сообщение от Саракваша Алексей — 30 Март, 2017 @ 10:15 пп

  38. Степень интеграции — это количество элементов в микросхеме.
    Степень интеграции для СБИС — более 10 тыс. элементов в кристалле.

    Сообщение от Бурнейко Александр — 31 Март, 2017 @ 3:04 пп

  39. Степень интеграции — это количество элементов в микросхеме и количество потребной «обвязки».
    Сверхбольшая интегральная схема (СБИС) — более 10 тыс. элементов в кристалле.

    Сообщение от Подоматько Евгений ст.гр.10602215 — 31 Март, 2017 @ 3:30 пп

  40. Это число компонентов заключённых в одном корпусе интегральной микросхемы.
    Сверхбольшая интегральная схема (СБИС) — более 10 тыс. элементов в кристалле.

    Сообщение от Паланевич Алексей — 31 Март, 2017 @ 4:04 пп

  41. Степень интеграции интегральной микросхемы определяют по формуле:
    K=lg(N), где K — коэффициент определяющий степень интеграции, значение которого округляют до ближайшего большего целого числа; N — число элементов интегральной микросхемы. Для СБИС степень интеграции 4<К<6 потому что число элементов сверхбольшой интегральной микросхемы составляет от 10000 до 1000000.

    Сообщение от Николай Магер — 31 Март, 2017 @ 6:01 пп

  42. Степень интеграции интегральной микросхемы – показатель степени сложности микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов.
    Определяется по формуле: k=lgN,
    где k – коэффициент, определяющий степень интеграции, округляемый до ближайшего большего целого числа.
    N – число элементов и компонентов, входящих в интегральную микросхему.

    Сверхбольшая интегральная микросхема (СБИС) содержит свыше 100000 элементов и (или) компонентов для цифровых ИС с регулярной структурой построения, свыше 50000 – для цифровых ИС с нерегулярной структурой построения, и свыше 10000 – для аналоговых ИС (5..7 степень).

    Сообщение от Артем Ракусевич — 31 Март, 2017 @ 6:40 пп

  43. Степень интеграции интегральной микросхемы – показатель степени сложности микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов.
    Определяется по формуле: k=lgN,
    где k – коэффициент, определяющий степень интеграции, округляемый до ближайшего большего целого числа.
    N – число элементов и компонентов, входящих в интегральную микросхему.
    Для СБИС она составляет N>10000

    Сообщение от Адамович Роман 10602115 — 31 Март, 2017 @ 6:55 пп

  44. Степень интеграции интегральной микросхемы – показатель степени сложности микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов.
    Определяется по формуле: k=lgN,
    где k – коэффициент, определяющий степень интеграции, округляемый до ближайшего большего целого числа.
    N – число элементов и компонентов, входящих в интегральную микросхему.
    Для СБИС она составляет N>10000

    Сообщение от Кабачевский Алексей гр.10602115 — 31 Март, 2017 @ 6:59 пп

  45. Степень интеграции интегральных ммикросхем-показатель, характеризующий сложность интегральной схемы.
    Количественно степень интеграции описывается условным коэффициентом K = lg N , где N – число компонентов.
    В зависимости от значений K интегральные схемы подразделяются:
    K<2,(N<100)–малая интегральная схема (МИС или IS);
    2<K<4,(N<10^4)–интегральная схема средней степени интеграции(СИС или MSI);
    4<K10^6) –сверхбольшая интегральная схема (СБИС или VLSI).
    Сокращения приведенные на английском языке имеют следующий смысл: IS – Integrated Circuit; MSI – Medium Scale Integration; LSI – Large Scale Integration; VLSI – Very Large Scale Integration.

    Сообщение от Мурачёв Кирилл — 31 Март, 2017 @ 7:07 пп

  46. Степень интеграции ИС — показатель степени сложности микросхемы ( k), характеризуется числом содержащихся в ней элементов и компонентов: N.
    Формула: k=lgN
    Для СБИС она составляет N>10000

    Сообщение от Артём — 31 Март, 2017 @ 7:08 пп

  47. Степень интеграции К – это показатель сложности интегральной микросхемы, характеризуемой числом элементов N, полученных интегральной технологией на общем кристалле.
    К = lg N
    СБИС — N>10000, К = 5

    Сообщение от Владислав — 31 Март, 2017 @ 7:10 пп

  48. Степень интеграции интегральной микросхемы – показатель степени сложности микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов.
    Определяется по формуле: k=lgN,
    где k – коэффициент, определяющий степень интеграции, округляемый до ближайшего большего целого числа.
    N – число элементов и компонентов, входящих в интегральную микросхему.
    Для СБИС она составляет N>10000

    Сообщение от Николай — 31 Март, 2017 @ 7:15 пп

  49. Степень интеграции интегральной микросхемы – показатель степени сложности микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов.
    Определяется по формуле: k=lgN,
    где k – коэффициент, определяющий степень интеграции, округляемый до ближайшего большего целого числа.
    N – число элементов и компонентов, входящих в интегральную микросхему.
    Для СБИС она составляет N>10000
    Сверхбольшая интегральная микросхема (СБИС) — ИС, содержащая свыше 100000 элементов и (или) компонентов для цифровых ИС с регулярной структурой построения, свыше 50000 – для цифровых ИС с нерегулярной структурой построения, и свыше 10000 – для аналоговых ИС (5..7 степень).

    Сообщение от Голуб Янина — 31 Март, 2017 @ 7:17 пп

  50. Степень интеграции интегральной микросхемы – показатель степени сложности микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов.
    Определяется по формуле: k=lgN,
    где k – коэффициент, определяющий степень интеграции, округляемый до ближайшего большего целого числа.
    N – число элементов и компонентов, входящих в интегральную микросхему.
    Для СБИС она составляет N>10000

    Сообщение от Чумаченко Михаил — 31 Март, 2017 @ 7:18 пп

  51. Степень интеграции интегральной микросхемы – показатель степени сложности микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов.
    Определяется по формуле: k=lgN,
    где k – коэффициент, определяющий степень интеграции, округляемый до ближайшего большего целого числа.
    N – число элементов и компонентов, входящих в интегральную микросхему.
    Для СБИС она составляет N>10000

    Сообщение от Артём — 31 Март, 2017 @ 7:20 пп

  52. Степень интеграции интегральной микросхемы – показатель степени сложности микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов.
    Определяется по формуле: k=lgN,
    где k – коэффициент, определяющий степень интеграции, округляемый до ближайшего большего целого числа.
    N – число элементов и компонентов, входящих в интегральную микросхему.
    Для СБИС она составляет N>10000

    Сообщение от Разумович Игорь 10602115 — 31 Март, 2017 @ 7:43 пп

  53. Степень интеграции интегральной микросхемы — показатель степени сложности микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов. Степень интеграции для сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) — более 10 тыс. элементов в кристалле.

    Сообщение от Тихонов Александр — 31 Март, 2017 @ 7:59 пп

  54. Степень интеграции интегральной микросхемы — показатель степени сложности микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов. Степень интеграции для сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) — более 10 тыс. элементов в кристалле.

    Сообщение от Книга Кристина — 31 Март, 2017 @ 8:00 пп

  55. Степень интеграции интегральной микросхемы – показатель степени сложности микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов.Определяется по формуле: k=lgN,где k – коэффициент, определяющий степень интеграции, округляемый до ближайшего большего целого числа.N – число элементов и компонентов, входящих в интегральную микросхему.СБИС имеет 5,6,7 степени интеграции.

    Сообщение от Савенков Константин — 31 Март, 2017 @ 9:01 пп

  56. Степень интеграции интегральной микросхемы – показатель степени сложности микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов.
    Определяется по формуле: k=lgN,
    где k – коэффициент, определяющий степень интеграции, округляемый до ближайшего большего целого числа.
    N – число элементов и компонентов, входящих в интегральную микросхему.
    Для СБИС она составляет N>10000

    Сообщение от Жаров Дмитрий — 31 Март, 2017 @ 10:16 пп

  57. Это показатель степени сложности интегральной микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов. Для СБИС степень интеграции равна 2^20 транзисторов.

    Сообщение от Лисовец Андрей — 31 Март, 2017 @ 11:24 пп

  58. Показатель степени сложности интегральной микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и (или) компонентов. Для СБИС характерна степень интеграции от 10^4 до 10^6 элементов на кристалл.

    Сообщение от Бородич Максим — 31 Март, 2017 @ 11:29 пп

  59. Степень интеграции характеризует сложность интегральной схемы. Сверхбольшая интегральная схема (СБИС)содержит более 10 тыс. элементов.

    Сообщение от Михалевич Никита — 31 Март, 2017 @ 11:39 пп

  60. показатель, характеризующий сложность интегральной схемы, численно определяется выражением К = IgN. Для СБИС K>3.

    Сообщение от Сантарович Володя — 31 Март, 2017 @ 11:42 пп

  61. Степень интеграции интегральной микросхемы – показатель степени сложности микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов.
    Определяется по формуле: k=lgN,
    где k – коэффициент, определяющий степень интеграции, округляемый до ближайшего большего целого числа.
    N – число элементов и компонентов, входящих в интегральную микросхему.
    Для СБИС она составляет N>10000

    Сообщение от Бурчик Сергей 10602115 — 1 Апрель, 2017 @ 3:08 дп

  62. Степень интеграции— показатель, характеризующий сложность интегральной схемы , численно определяется выражением К = IgN, где N число элементов, входящих в ИС. СБИС — более 10 тыс. элементов в кристалле.

    Сообщение от Позняк Дмитрий (09115) — 1 Апрель, 2017 @ 9:12 дп

Оставить сообщение

Введите, пожалуйста, правильное значение, чтобы ваше сообщение было принято.