Добавим примеси

Опубликовано: Проверь себя — Юрий Витальевич. 17 Февраль, 2020 @ 10:06 дп

Микросхема

Как влияет концентрация примесей
на электронно-дырочный переход?



35 комментариев »

  1. Примесь с валентностью на 1 меньше исходного, обуславливает дырочную проводимость, Примесь с валентностью на 1 больше исходного полупроводника, обуславливает электронную примесьную проводимость. Электронная осуществляется за счёт свободных электронов, дырочная засчет, дырок. Проводимость обусловлена шириной запирающего слоя, который увеличивается при сонапраленных внутренних и внешних полях

    Сообщение от Максим — 17 Февраль, 2020 @ 5:34 пп

  2. Она влияет на ширину запирающего слоя полупроводника.

    Сообщение от Дмитрий Волоткович — 17 Февраль, 2020 @ 5:35 пп

  3. Чем больше концентрация примесей, тем большая энергия требуется электро нам и дыркам для перехода в другую область.

    Сообщение от Илья Рябцев — 17 Февраль, 2020 @ 5:35 пп

  4. При наличии примисей увеличивается концентрация свободных носителей заряда (дырок и электронов) . В результате увеличивается ток в полупроводнике

    Сообщение от Тарасевич Даниил — 17 Февраль, 2020 @ 6:17 пп

  5. От концентрации примесей зависит ширина запирающего слоя

    Сообщение от Грищенко Никита — 17 Февраль, 2020 @ 6:38 пп

  6. Концентрации влияет на шириу запирающего слоя

    Сообщение от Евгений Мурашко — 17 Февраль, 2020 @ 6:39 пп

  7. Если в полупроводнике будет больше донорных примесей таких как мышьяк, ртуть и т. д.,то в полупроводнике будет больше свободных электронов (-)

    Если в полупроводнике будет больше дырочных примесей таких как алюминий,бор и т. д., то в полупроводнике будет больше дырок (+)

    Сообщение от Валера Люкевич — 17 Февраль, 2020 @ 6:45 пп

  8. При увеличении концентрации примесей образуется больше дырок/электронов(в зависимости от типа примеси). При p-n переходе, благодаря этому, запирающий слой увеличивается и высота потенциального барьера растет, что препятствует дальнейшей диффузии.

    Сообщение от Даниил — 18 Февраль, 2020 @ 9:48 пп

  9. возрастает скорость рекомбинации и появляется отличный от нуля ток через электронно-дырочный переход

    Сообщение от чирко константин — 19 Февраль, 2020 @ 1:49 дп

  10. В примесных полупроводниках носители заряда создаются благодаря вводимой в кристалл примеси. Это делается для того чтобы создать полупроводник электронной или дырочной проводимости. Соответственно, чем больше концентрация примеси, тем больше будет создаваться пар электрон-дырка.

    Сообщение от Иван Пинчук — 19 Февраль, 2020 @ 10:21 пп

  11. При наличии примисей увеличивается концентрация свободных носителей заряда (дырок и электронов) .

    Сообщение от Тарасевич Даниил — 20 Февраль, 2020 @ 2:03 пп

  12. Концентрация примесей влияет на высоту потенциального барьера соответственно увеличивается сам потенциальный барьер, а также енергия dW

    Сообщение от Георгий — 20 Февраль, 2020 @ 2:06 пп

  13. При увеличении концентрации примесей больше пар электрон-дырка, токопроводимость увеличивается.

    Сообщение от Павел Саковец — 20 Февраль, 2020 @ 2:41 пп

  14. При увеличении концентрации примесей образует больше пар электрон-дырка. При этом происходит увеличение проводимости тока

    Сообщение от Ахремко Андрей — 20 Февраль, 2020 @ 2:41 пп

  15. При возрастании примесей возрастает концентрация основных носителей заряда, следовательно увеличивается высота потенциального барьера. Однако при увеличении примесей, а в следствие при увеличении концентрации основных носителей заряда ширина p-n перехода уменьшается.Это, скорее всего, можно объяснить тем, что при дуффузии носителя заряда при пересечении границы быстрее найдут себе «пару».

    Сообщение от Андрей Борщевский — 20 Февраль, 2020 @ 6:36 пп

  16. В р-n-переходе возникает потенциальный барьер,равный контактной разности потенциалов ??k, которую называют высотой потенциального барьера.На высоту потенциального барьера влияет концентрация примесей. Если увеличить концентрацию примесей, то потенциальный барьер ??k увеличится.Если концентрацию примесей уменьшить, то высота потенциального барьера уменьшится.

    Сообщение от Алина Мешкова — 20 Февраль, 2020 @ 7:11 пп

  17. Если увеличить концентрацию увеличится по­тенциальный барьер ??k. Если концентрацию примесей уменьшить, то вы­сота потенциального барьера уменьшатся

    Сообщение от Валерия Нестерова — 20 Февраль, 2020 @ 7:15 пп

  18. Введение примесей приводит к изменению концентрации носителей обоих типов. Донорная примесь увеличивает концентрацию электронов (они становятся основными носителями) и уменьшает концентрацию дырок.В полупроводнике с акцепторной примесью основными носителями являются дырки, а электроны – неосновными

    Сообщение от Александр Кривальцевич — 20 Февраль, 2020 @ 10:02 пп

  19. Толщина электронно-дырочных переходов пропорциональна напряжению p-n-перехода и обратно пропорциональна концентрации примесей

    Сообщение от Никита — 20 Февраль, 2020 @ 10:26 пп

  20. В p-n структуре на границе раздела слоев возникает разность концентраций одноименных носителей заряда: в одном слое они являются основными, в другом — неосновные.
    Донорная примесь увеличивает концентрацию электронов и поэтому они становятся основными носителям и вследствие чего, уменьшает концентрацию

    Сообщение от Никита зубрицкий — 20 Февраль, 2020 @ 11:25 пп

  21. Проводимость полупроводников может быть значительно увеличена за счет введения в них примесей (легирования). В этом случае атомы примеси находятся в местах узлов кристаллической решетки надлежащего полупроводника. В собственный полупроводник добавляют химические элементы, валентность атомов которых отличается на 1 от валентности собственного полупроводника.
    При увеличении концентрации примеси в полупроводнике, можно значительно увеличить число носителей заряда определенного знака и создавать полупроводник с преимущественной концентрацией либо отрицательно или положительно заряженных носителей, а как следствие проводимость такого полупроводника увеличится.

    Сообщение от Кирилл Марчук — 21 Февраль, 2020 @ 9:51 дп

  22. Контактная разность потенциалов и высота потенциального барьера увеличивается с ростом ширины запрещённой зоны полупроводника и концентрации примесей и, следовательно, уменьшается с ростом температуры и уменьшением концентрации примесей.

    Сообщение от Анастасия Пальчастая — 21 Февраль, 2020 @ 5:29 пп

  23. Чем больше концентрация примесей, тем меньше ширина запирающего слоя. И наоборот, чем меньше у нас будет концентрация примесей, тем больше окажется ширина запирающего слоя.

    Сообщение от Жаркова Дарья — 21 Февраль, 2020 @ 8:13 пп

  24. От концентрации примесей зависит ширина запирающего слоя, чем меньше концентрация примесей, тем больше ширина запирающего слоя.

    Сообщение от Кирилл Ващук — 21 Февраль, 2020 @ 8:14 пп

  25. От концентрации зависит ширина запираюшего слоя. Чем выше концентрация, тем меньше его ширина.

    Сообщение от Мартынович Анастасия — 21 Февраль, 2020 @ 8:26 пп

  26. Чем меньше концентрация примесей, тем больше ширина запирающего слоя. И наоборот, чем больше концентрация примесей, тем меньше ширина запирающего слоя.

    Сообщение от Данила Сёмочкин — 21 Февраль, 2020 @ 9:22 пп

  27. В полупроводнике электронного типа дырки будут неосновными носителями заряда, а электроны – основными. В полупроводнике дырочного типа электроны будут неосновными носителями заряда, а дырки – основными. Если при введении примеси концентрация электронов превысит концентрацию дырок, то её называют донорной примесью. А если с введением примеси концентрация дырок станет больше концентрации электронов, то такую примесь называют акцепторной.Если концентрация примесей в полупроводнике будет очень велика и станет достигать ориентировочно 1021 … 1024 атомов на 1 см3, то такой полупроводник, близкий по свойствам к металлу, называют вырожденным. В отношении классификации безразлично, какая примесь – донорная или акцепторная – привела к образованию вырожденного полупроводника.Собственные электрические свойства такого полупроводника не проявляются, а проявляются свойства примеси.Полупроводник начинает вести себя аналогично металлу.В компенсированном полупроводнике, несмотря на большую концентрацию примесей, уровень химического потенциала остаётся внутри запрещённой зоны и вырождения не наблюдается.

    Сообщение от Дмитрий Лукашевич — 22 Февраль, 2020 @ 1:12 дп

  28. Чем больше концентрация примесей, тем выше концентрация основных носителей и тем больше число их диффундирует через границу

    Сообщение от Максим — 22 Февраль, 2020 @ 7:54 дп

  29. Изменение количества примесей прямо пропорционально изменению энергии и изменению высоты потенциального барьера

    Сообщение от Олег Козлов — 22 Февраль, 2020 @ 5:05 пп

  30. При увеличении концентрации увеличивается энергия ,а так же потенциальный барьер . При уменьшении все на оборот(падает энергия и потенциальный барьер)

    Сообщение от Максим Арутюнов — 22 Февраль, 2020 @ 6:48 пп

  31. При увеличении концентрации основных носителей заряда ширина запирающего слоя уменьшается.

    Сообщение от Дмитрий Лялюк — 22 Февраль, 2020 @ 7:46 пп

  32. Концентрация примесей влияет на количество свободных носителей заряда, а также на ширину запирающего слоя

    Сообщение от Даниил Бурдин — 22 Февраль, 2020 @ 9:12 пп

  33. На высоту потенциального барьера влияет концентрация примесей. Если увеличить концентрацию, уровень Ферми в области n-типа приблизится к дну зоны проводимости, в области р-типа — к потолку валентной зоны. В этом случае энергия ?W, a следовательно, и по­тенциальный барьер ??k увеличатся (в предельном случае ?W будет приблизительно равна ширине запрещенной зоны).

    Сообщение от Никита Николаев — 22 Февраль, 2020 @ 9:36 пп

  34. B p- и n- oблocтяx шиpинa зaпиpaющeгo слоя зaвиcит oт кoнцeнтpaции иoнов пpимeceй и тeм он будет мeньшe, чeм большe кoнцeнтpaция пpимeceй.

    Сообщение от Глеб Щуревич — 22 Февраль, 2020 @ 11:08 пп

  35. Классификация p-n перехода :
    •По составу контактирующих веществ

    — p-n переход (монокристалл);

    — p+-p, n+-n — переходы между областями с различной концентрацией примеси одного типа. Индекс «+» соответствует слою со значительно большей концентрацией примеси;

    •По соотношению концентрации примесей

    — Симметричные — NА=NД. Как правило, не типичны для полупроводниковой техники;

    — Несимметричные — концентрация примесей в части с одним типом проводимости значительно выше концентрации примесей в другой области.

    •По закону изменения концентрации примесей

    — Резкий (ступенчатый) — переход с идеальной границей, по одну сторону которой находятся доноры с постоянной концентрацией, а по другую — акцепторы. Область изменения примеси много меньше ширины перехода.

    — Плавный — переход, в котором в районе металлургической границы концентрация одного типа примеси постепенно уменьшается, а у другого типа — постепенно увеличивается. По виду изменения концентрации примесей плавные переходы разделяют на линейные и экспоненциальные.

    Сообщение от Лосенков Даниил — 24 Февраль, 2020 @ 1:37 пп

Оставить сообщение

Введите, пожалуйста, правильное значение, чтобы ваше сообщение было принято.