Диод

Опубликовано: Проверь себя — Юрий Витальевич. 24 Февраль, 2020 @ 10:22 дп

Диод Д242Б
Диод — прибор с одним электронно-дырочным переходом.
Какие свойства p-n-перехода используются в диодах?



31 комментарий »

  1. Основное свойство выпрямительного диода: односторонняя проводимость. P-n переход при освещении — генератор электрического тока (светодиод). Также используется свойства пробоя (варикап), барьерная ёмкость и др.

    Сообщение от Максим Булин — 24 Февраль, 2020 @ 5:33 пп

  2. Полупроводниковый диод проводит ток в одном направлении. Этот ток называют пря­мым. На корпусах диодов он обозначается стрелочкой: диод проводит ток в направ­лении стрелочки.

    Это свойство полупроводниковых диодов используют для выпрямления переменных токов (электротранспорт, электрометаллур­гия, радиоприемники, телевизоры и т. п.). Полупроводнико­вые диоды бывают разных типов, рассчитанные на разные напряжения и силы тока.

    Диод проводит ток и в другом направлении, правда, небольшой силы. Это направление включения диода называют об­ратным.

    Сообщение от Лосенков Даниил — 24 Февраль, 2020 @ 5:40 пп

  3. P-n переход обладает свойствов односторонней прлволимости, т.е ток проходит только в одном направлении. А так же существует возможность изменения толщины запирающего слоя

    Сообщение от Тарасевич Даниил — 24 Февраль, 2020 @ 6:11 пп

  4. В диодах используется такое свойство p-n перехода, как односторонняя проводимость. Способность пропускать электрический ток только в одном направлении.

    Сообщение от Ващук Кирилл — 26 Февраль, 2020 @ 12:35 пп

  5. При прямом включении существует ток основных носителей заряда(прямой ток),который во много раз превышает ток неосновных носителей(обратный ток), т е по сути, можно сказать, что p-n-переход пропускает электрический ток только в одном направлении. Это свойство односторонней проводимости и является одним из главных в устройстве полупроводниковых диодов.

    Сообщение от Жаркова Дарья — 26 Февраль, 2020 @ 12:57 пп

  6. p-n-пе­реход при освещении является генератором электрического тока

    Сообщение от Куган Даниил — 26 Февраль, 2020 @ 2:29 пп

  7. P-n переход при освящении является генератором электрического тока

    Сообщение от Максим Черневич — 26 Февраль, 2020 @ 2:39 пп

  8. 1.Образование запирающего слоя

    2.При освещение является генератором тока

    3.Обратное и прямое включение

    Сообщение от Курбан Валерия — 26 Февраль, 2020 @ 2:42 пп

  9. Образует запирающий слой

    Сообщение от Куган Даниил — 26 Февраль, 2020 @ 2:42 пп

  10. 1.обратный ток при p-n переходе очень маленький, поэтому можно считать, что p-n переход пропускает электрический ток только в одном направлении.

    2.стык p и n слоев образует запирающий слой(т. к. электроны стремятся в p, а дырки в n)

    Сообщение от Люкевич Валерий — 26 Февраль, 2020 @ 9:13 пп

  11. 1. Запирающий слой , образованный зарядами ионов примеси.
    2. Ток меняется нелинейно.
    3. Обратное включение.
    4. Прямое включение.

    Сообщение от Дима147 — 27 Февраль, 2020 @ 11:07 дп

  12. Если к слоям полупроводника приложено внешнее напряжение так, что создаваемое им электрическое поле направлено противоположно существующему в переходе полю, то динамическое равновесие нарушается, и диффузионный ток преобладает над дрейфовым током, быстро нарастая с повышением напряжения. Такое подключение напряжения к p-n-переходу называется прямым смещением (на область p-типа подан положительный потенциал относительно области n-типа).

    Если внешнее напряжение приложить так, чтобы созданное им поле было одного направления с полем в переходе, то это приведёт лишь к увеличению толщины слоёв пространственного заряда. Диффузионный ток уменьшится настолько, что преобладающим станет малый дрейфовый ток. Такое подключение напряжения к p-n-переходу называется обратным смещением (или запорным смещением), а протекающий при этом через переход суммарный ток, который определяется в основном тепловой или фотонной генерацией пар электрон-дырка, называется обратным током.

    Таким образом, для диода характерна односторонняя проводимость.

    Сообщение от Иван Пинчук — 27 Февраль, 2020 @ 12:59 пп

  13. Диод при прямом включении пропускает электрический ток, а при обратном включении-нет.

    Сообщение от Екатерина Чекотовская — 28 Февраль, 2020 @ 12:18 дп

  14. К этим свойствам относятся: односторонняя проводимость, нелинейность вольтамперной характеристики, наличие участка вольтамперной характеристики, обладающего отрицательным сопротивлением, резкое возрастание обратного тока при электрическом пробое, существование емкости p-n перехода. В зависимости от того, какое из свойств p-n перехода используется, полупроводниковые диоды могут быть применены для целей выпрямления, детектирования, преобразования, усиления и генерирования электрических колебаний, а также для стабилизации напряжения в цепях постоянного тока и в качестве переменных реактивных элементов.

    Сообщение от Алина Мешкова — 28 Февраль, 2020 @ 2:30 пп

  15. Уважаемые студенты ЭФ!
    Продолжаем учиться, 2 недели — дистанционно.
    Отвечайте на вопросы сами, напомните в своих группах сделать это всем!

    Сообщение от Юрий Витальевич. — 28 Февраль, 2020 @ 6:04 пп

  16. При прямом подключении, ток обусловлен основным зарядом. Запирающий слой уменьшается и получается малое входное сопротивление. При обратном ток обусловлен примесями, а запирающий слой увеличивается, что проявляется в высоком входном сопротивлении.

    Сообщение от Илья Рябцев — 28 Февраль, 2020 @ 6:57 пп

  17. При прямом включении диода в цепь, движение тока происходит благодаря основным носителям заряда. Из-за этого диод оказывает незначительное сопротивление(толщина запирающего слоя уменьшается). При обратном включении ток обусловлен не основными носителями заряда (примесями), так как толщина запирающего слоя увеличивается и растёт сопротивление.

    Сообщение от Даниил — 28 Февраль, 2020 @ 6:59 пп

  18. Обратное включение(слабый ток неосновных носителей заряда),направление внешнего поля сонаправлено с контактным полем.

    Сообщение от Дмитрий Лукашевич — 28 Февраль, 2020 @ 9:37 пп

  19. 1) Наличие запирающего слоя
    2) Направление внешнего поля совпадает с направлением контактного поля.
    3) Прямое включение. Существует ток основных носителей заряда.

    Сообщение от Данила — 28 Февраль, 2020 @ 10:05 пп

  20. Если направление внешнего электрического поля противоположно направлению потенциального барьера p-n перехода (при подключении + к р-области и — к n-области) , то потенциальный барьер уменьшается, возрастает концентрация зарядов в p-n переходе, в итоге будет протекать ток. При обратном включении внешнее электрическое поле совпадает с направлением поля p-n перехода, потенциальный барьер увеличивается, вследствие сопротивление увеличивается, и ток будет иметь очень малые значения.

    Сообщение от Андрей Борщевский — 28 Февраль, 2020 @ 10:40 пп

  21. Если к слоям полупроводника приложено внешнее напряжение так, что создаваемое им электрическое поле направлено противоположно существующему в переходе полю, то динамическое равновесие нарушается, и диффузионный ток преобладает над дрейфовым током, быстро нарастая с повышением напряжения. Такое подключение напряжения к p-n-переходу называется прямым смещением (на область p-типа подан положительный потенциал относительно области n-типа).

    Если внешнее напряжение приложить так, чтобы созданное им поле было одного направления с полем в переходе, то это приведёт лишь к увеличению толщины слоёв пространственного заряда. Диффузионный ток уменьшится настолько, что преобладающим станет малый дрейфовый ток. Такое подключение напряжения к p-n-переходу называется обратным смещением (или запорным смещением), а протекающий при этом через переход суммарный ток, который определяется в основном тепловой или фотонной генерацией пар электрон-дырка, называется обратным током.

    Таким образом, для диода характерна односторонняя проводимость.

    Сообщение от Ахремко Андрей — 29 Февраль, 2020 @ 12:57 пп

  22. Основное свойство диода — выпрямитель переменного тока. Если подключить диод Обратным включением, то он будет выполнять свойства датчика температуры и света .

    Сообщение от Максим Арутюнов — 29 Февраль, 2020 @ 2:00 пп

  23. Основное свойство — односторонняя проводимость диода, обусловленная его назначением (Преобразование высокочастотных колебаний и выпрямление переменного тока в постоянный)

    Сообщение от Мартынович Анастасия — 29 Февраль, 2020 @ 6:42 пп

  24. Основным свойством диода является односторонняя проводимость.

    Сообщение от Анжелика Мисюля — 29 Февраль, 2020 @ 7:14 пп

  25. Основное свойство полупроводникового диода состоит в том, что он проводит ток в одном направлении. Этот ток называется прямым. Это свойства используется для выпрямления переменных токов. Также диод может проводить ток и в другом направлении (обратном). В таком направлении сила тока возрастает при нагревании или освещении. Из-за этого свойства диод можно использовать как датчик температуры. Также p-n переход при освещении является генератором электрического тока.

    Сообщение от Анастасия Пальчастая — 29 Февраль, 2020 @ 10:32 пп

  26. К основным свойствам p-n перехода относятся:
    1) свойства односторонней проводимости
    2) температурные свойства p-n перехода
    3) частотные свойства
    4)пробой

    Сообщение от Никита зубрицкий — 1 Март, 2020 @ 12:28 пп

  27. P-N переход обладает выпрямительным, ёмкостным свойствами, а также свойством односторонней проводимости. Эти свойства используются в диодах различных видов.

    Сообщение от Николай Каштан — 1 Март, 2020 @ 1:34 пп

  28. При соприкосновении полупроводников с различными типами проводимости электроны вследствие диффузии начнут переходить в p-область, а дырки — в n-область, в результате чего пограничный слой n-области заряжается положительно, а пограничный слой p-области — отрицательно. Между областями возникает электрическое поле, которое является как бы барьером для основных носителей тока, благодаря чему в p-n переходе образуется область с пониженной концентрацией зарядов. Электрическое поле в p-n переходе называют потенциальным барьером, а p-n переход — запирающим слоем. Если направление внешнего электрического поля противоположно направлению поля p-n перехода («+» на p-области, «-» на n-области), то потенциальный барьер уменьшается, возрастает концентрация зарядов в p-n переходе, ширина и, следовательно, сопротивление перехода уменьшается. При изменении полярности источника внешнее электрическое поле совпадает с направлением поля p-n перехода, ширина и сопротивление перехода возрастает. Следовательно, p-n переход обладает вентильными свойствами, которые и используются в диодах.

    Сообщение от Мария — 1 Март, 2020 @ 2:01 пп

  29. Электронно-дырочный переход, во внешнем исполнении реализуется в виде полупроводникового диода.
    Если к электронно-дырочному переходу приложить внешнее напряжение так, что к области с электронной проводимостью подключён отрицательный полюс источника, а к области с дырочной проводимостью – положительный, то направление напряжения внешнего источника будет противоположно по знаку электрическому полю p-n перехода, это вызовет увеличение тока через p-n переход. Возникнет прямой ток, который будет вызван движение основных носителей зарядов. Следует знать, что дырки движутся противоположно движению электронов, поэтому на самом деле, ток течет в одну сторону. Такое подключение называют прямым.

    Сообщение от Александр Кривальцевич — 1 Март, 2020 @ 4:44 пп

  30. Свойство p-n-перехода почти что пропускать ток только в одном направлении. Т.е. наш диод при прямом включении пропускает эл. ток, а при обратном включении — уже нет.
    Применяется свойство в полупроводниковых диодах, которые уже в свою очередь используются в выпрямителях тока.

    Сообщение от Илья Соловьёв — 1 Март, 2020 @ 5:58 пп

  31. Образуется запирающий слой,направление внешнего поля (источника) совпадает с направлением контактного поля,прямое включение.

    Сообщение от Евгений Мурашко — 1 Март, 2020 @ 11:26 пп

Оставить сообщение

Введите, пожалуйста, правильное значение, чтобы ваше сообщение было принято.