Интегральная технология

Опубликовано: Проверь себя — Юрий Витальевич. 23 Март, 2020 @ 10:00 дп

Микросхема
Интегральные микросхемы изготавливаются
методами интегральной технологии.
Назовите её особенности.



32 комментария »

  1. ИС изготавливаются методами интегральной технологии, имеющей следующие отличительные особенности:
    1. Элементы, однотипные по способу изготовления, представляют собой или полупроводниковые p-n структуры с несколькими областями, различающиеся концентрацией примесей или пленочные структуры из проводящих, резистивных и диэлектрических пленок.
    2. Одновременно в едином технологическом цикле изготавливается большое количество одинаковых функциональных узлов, каждый из которых, в свою очередь, может содержать до сотен тысяч и более элементов.
    3. Сокращается количество технологических операций (сборка, монтаж элементов) на несколько порядков по сравнению с традиционными методами производства аппаратуры на дискретных элементах.
    4. Размеры элементов и соединений между ними уменьшаются до технологически возможных пределов.
    5. Низконадежные соединения элементов, выполненные с помощью пайки, исключаются и заменяются высоконадежными соединениями (путем металлизации).

    Сообщение от Алина Мешкова — 23 Март, 2020 @ 10:34 дп

  2. При изготовлении интегральных схем используется групповой метод производства и в основном планарная технология.
    Групповой метод производства предполагает изготовление на одной полупроводниковой пластине большого количества однотипных ИС и одновременную обработку десятков таких пластин. После завершения цикла изготовления пластины разрезаются в двух взаимно перпендикулярных направлениях на отдельные кристаллы – чипы, каждый из которых представляет собой ИС.
    Планарная (плоскостная) технология – это такая организация технологического процесса, при которой все составляющие ИС формируются в одной плоскости.
    Необходимо отметить, что создание и освоение изделий микроэлектроники является чрезвычайно дорогостоящим делом.

    Сообщение от Максим Булин — 23 Март, 2020 @ 10:57 дп

  3. 1. Элементы, однотипные по способу изготовления, представляют собой или полупроводниковые p-n структуры с несколькими областями, различающиеся концентрацией примесей или пленочные структуры из проводящих, резистивных и диэлектрических пленок.
    2. Низконадежные соединения элементов, выполненные с помощью пайки, исключаются и заменяются высоконадежными соединениями (путем
    металлизации)
    3. Геометрические размеры произведенных элементов и соединений между ними уменьшаются до технологически возможных пределов.
    4. Сокращается количество технологических операций на несколько порядков, если сравнивать с традиционными методами производства аппаратуры на дискретных элементах.
    5. Одновременно в цикле изготавливается огромное количество одинаковых функциональных узлов, содержащие до сотен тысяч и более элементов.

    Сообщение от Андрей Борщевский — 23 Март, 2020 @ 11:42 дп

  4. При изготовлении интегральных микросхем используется групповой метод производства и в основном планарная технология.

    Групповой метод производства предполагает изготовление на одной полупроводниковой пластине большого количества однотипных интегральных микросхем и одновременную обработку десятков таких пластин. После завершения цикла изготовления пластины разрезаются в двух взаимно перпендикулярных направлениях на отдельные кристаллы – чипы (chip), каждый из которых представляет собой интегральную микросхему.

    Планарная (плоскостная) технология – это такая организация технологического процесса, при которой все составляющие интегральной микросхемы формируются в одной плоскости.

    Необходимо отметить, что создание и освоение изделий микроэлектроники является чрезвычайно дорогостоящим делом.

    Сообщение от Молодцов Артём — 23 Март, 2020 @ 12:19 пп

  5. При изготовлении интегральных схем используется групповой метод производства и в основном планарная технология.

    Групповой метод производства предполагает изготовление на одной полупроводниковой пластине большого количества однотипных интегральных микросхем и одновременную обработку десятков таких пластин. После завершения цикла изготовления пластины разрезаются в двух взаимно перпендикулярных направлениях на отдельные кристаллы – чипы (chip), каждый из которых представляет собой интегральную микросхему.

    Планарная (плоскостная) технология – это такая организация технологического процесса, при которой все составляющие интегральной микросхемы формируются в одной плоскости.

    Необходимо отметить, что создание и освоение изделий микроэлектроники является чрезвычайно дорогостоящим делом.

    Сообщение от Молодцов Артём — 23 Март, 2020 @ 2:50 пп

  6. Особенности заключаются в следущем:
    1. Элементы, однотипные по способу изготовления, представляют собой или полу-проводниковые p-n структуры с несколькими областями, различающиеся концентрацией примесей или пленочные структуры из проводящих, резистивных и диэлектрических пле-нок.
    2. Одновременно в едином технологическом цикле изготавливается большое количе-ство одинаковых функциональных узлов, каждый из которых, в свою очередь, может содер-жать до сотен тысяч и более элементов.
    3. Сокращается количество технологических операций (сборка, монтаж элементов) на несколько порядков по сравнению с традиционными методами производства аппаратуры на дискретных элементах.
    4. Размеры элементов и соединений между ними уменьшаются до технологически возможных пределов.
    5. Низконадежные соединения элементов, выполненные с помощью пайки, исклю-чаются и заменяются высоконадежными соединениями (путем металлизации).

    Сообщение от Евгений Щубрет — 24 Март, 2020 @ 11:14 дп

  7. ИС изготавливаются методами интегральной технологии, имеющей следующие отличительные особенности:
    1. Элементы, однотипные по способу изготовления, представляют собой или полу-проводниковые p-n структуры с несколькими областями, различающиеся концентрацией примесей или пленочные структуры из проводящих, резистивных и диэлектрических пле-нок.
    2. Одновременно в едином технологическом цикле изготавливается большое количе-ство одинаковых функциональных узлов, каждый из которых, в свою очередь, может содер-жать до сотен тысяч и более элементов.
    3. Сокращается количество технологических операций (сборка, монтаж элементов) на несколько порядков по сравнению с традиционными методами производства аппаратуры на дискретных элементах.
    4. Размеры элементов и соединений между ними уменьшаются до технологически возможных пределов.
    5. Низконадежные соединения элементов, выполненные с помощью пайки, исклю-чаются и заменяются высоконадежными соединениями (путем металлизации).

    Сообщение от Ващук Кирилл — 24 Март, 2020 @ 9:39 пп

  8. Главная особенность!
    Интегрированная технология позволяет одной непрерывной операцией одновременно получать все элементы функционального блока или схемы. С помощью этой технологии сборка отсутствует,и происходит процесс формирования элементов схемы в сочетании с процессом формирования самой структуры.

    Сообщение от Кирилл Марчук — 25 Март, 2020 @ 1:42 дп

  9. ИС изготавливаются методами интегральной технологии, имеющей следующие отличительные особенности:
    1. Элементы, однотипные по способу изготовления, представляют собой или полупроводниковые p-n структуры с несколькими областями, различающиеся концентрацией примесей или пленочные структуры из проводящих, резистивных и диэлектрических пленок.
    2. Одновременно в едином технологическом цикле изготавливается большое количество одинаковых функциональных узлов, каждый из которых, в свою очередь, может содержать до сотен тысяч и более элементов.
    3. Сокращается количество технологических операций (сборка, монтаж элементов) на несколько порядков по сравнению с традиционными методами производства аппаратуры на дискретных элементах.
    4. Размеры элементов и соединений между ними уменьшаются до технологически возможных пределов.
    5. Низконадежные соединения элементов, выполненные с помощью пайки, исключаются и заменяются высоконадежными соединениями (путем металлизации).

    Сообщение от Евфросиния — 25 Март, 2020 @ 12:41 пп

  10. Интегральная технология позволяет за одну непрерывную операцию получить одновременно все элементы функционального узла или схемы в единой конструкции. При такой технологии отсутствуют сборочные операции, процесс образования элементов схемы совмещен с процессом образования самой конструкции. При изготовлении пленочных ИС электрорадиоэлементы получают на подложке в виде пленок полупроводников, диэлектриков, различных металлов и их оксидов последовательно наносимых одна на другую.

    Сообщение от Павел Саковец — 26 Март, 2020 @ 1:28 пп

  11. Особенность изготовления полупроводниковых интегральных микросхем (ИМС) — все элементы изготавливаются одновременно в едином технологическом цикле, отдельные операции которого выполняется в одной и той же среде (кристалле).
    Особенность изготовления плёночной ИМС — все элементы и межэлементные соединения выполняется в виде плёнок.
    Особенность изготовления смешанной ИМС — кроме полупроводникового кристаллы содержит тонкоплёночные пассивные элементы размещенные на поверхности кристалла.

    Сообщение от Алексей Соболев — 26 Март, 2020 @ 2:43 пп

  12. 1) Элементы полупроводниковая структура или с пленочной структурой
    2) Сразу изготавливается большое число одинаковых узлов
    3) Сокращено количество технологических операций
    4)Нет низконадежных соединений
    5) Размеры элементов уменьшены до максимально возможных пределов на данный момент

    Сообщение от Илья Рябцев — 26 Март, 2020 @ 2:52 пп

  13. Особенности изготовления ИС:
    1. Элементы, однотипные по способу изготовления, представляют собой или полу-проводниковые p-n структуры с несколькими областями, различающиеся концентрацией примесей или пленочные структуры из проводящих, резистивных и диэлектрических пле-нок.
    2. Одновременно в едином технологическом цикле изготавливается большое количе-ство одинаковых функциональных узлов, каждый из которых, в свою очередь, может содер-жать до сотен тысяч и более элементов.
    3. Сокращается количество технологических операций (сборка, монтаж элементов) на несколько порядков по сравнению с традиционными методами производства аппаратуры на дискретных элементах.
    4. Размеры элементов и соединений между ними уменьшаются до технологически возможных пределов.
    5. Низконадежные соединения элементов, выполненные с помощью пайки, исклю-чаются и заменяются высоконадежными соединениями (путем металлизации).

    Сообщение от Мартынович Анастасия — 26 Март, 2020 @ 6:50 пп

  14. Особенности изготовления ИС методами интегральной технологии:
    1. Элементы, однотипные по способу изготовления, представляют собой или полупроводниковые p-n структуры с несколькими областями, различающиеся концентрацией примесей или пленочные структуры из проводящих, резистивных и диэлектрических пленок.
    2. Одновременно в едином технологическом цикле изготавливается большое количе-ство одинаковых функциональных узлов, каждый из которых, в свою очередь, может содержать до сотен тысяч и более элементов.
    3. Сокращается количество технологических операций на несколько порядков по сравнению с традиционными методами производства аппаратуры на дискретных элементах.
    4. Размеры элементов и соединений между ними уменьшаются до технологически возможных пределов.
    5. Низконадежные соединения элементов, выполненные с помощью пайки, исключаются и заменяются высоконадежными соединениями .

    Сообщение от Жаркова Дарья — 26 Март, 2020 @ 6:50 пп

  15. Интегральные микросхемы изготавливаются методами интегральной технологии, имеющей следующие отличительные особенности:1)Элементы, однотипные по способу изготовления, представляют собой или полу-проводниковые p-n структуры с несколькими областями, различающиеся концентрацией примесей или пленочные структуры из проводящих, резистивных и диэлектрических пле-нок. 2)Одновременно в едином технологическом цикле изготавливается большое количе-ство одинаковых функциональных узлов, каждый из которых, в свою очередь, может содер-жать до сотен тысяч и более элементов. 3)Сокращается количество технологических операций (сборка, монтаж элементов) на несколько порядков по сравнению с традиционными методами производства аппаратуры на дискретных элементах. 4)Размеры элементов и соединений между ними уменьшаются до технологически возможных пределов. 5)Низконадежные соединения элементов, выполненные с помощью пайки, исклю-чаются и заменяются высоконадежными соединениями.

    Сообщение от Анжелика Мисюля — 26 Март, 2020 @ 8:08 пп

  16. технологическая совместимость элементов ИМС с наиболее сложным элементом, которым является транзистор;групповая обработка МС, она должна охватывать как можно большее число операций;универсальность процессов обработки,для изготовления совершенно различных по своим возможностям и назначению ИМС применяются одинаковые типовые технологические процессы, оборудование и режимы;нификация пластин-заготовок, содержащих максимальное количество признаков микросхемы.

    Сообщение от Максим Верутин — 26 Март, 2020 @ 10:05 пп

  17. ИС изготавливаются методами интегральной технологии, имеющей следующие отличительные особенности:
    1. Элементы, однотипные по способу изготовления, представляют собой или полупроводниковые p-n структуры с несколькими областями, различающиеся концентрацией примесей или пленочные структуры из проводящих, резистивных и диэлектрических пленок.
    2. Одновременно в едином технологическом цикле изготавливается большое количество одинаковых функциональных узлов, каждый из которых, в свою очередь, может содержать до сотен тысяч и более элементов.
    3. Сокращается количество технологических операций (сборка, монтаж элементов) на несколько порядков по сравнению с традиционными методами производства аппаратуры на дискретных элементах.
    4. Размеры элементов и соединений между ними уменьшаются до технологически возможных пределов.
    5. Низконадежные соединения элементов, выполненные с помощью пайки, исключаются и заменяются высоконадежными соединениями (путем металлизации).

    Сообщение от Жданович Денис — 27 Март, 2020 @ 2:05 пп

  18. При изготовлении интегральных микросхем используется групповой метод производства и в основном планарная технология.
    Планарная (плоскостная) технология – это такая организация технологического процесса, при которой все составляющие формируются в одной плоскости.

    Сообщение от Серенкова Елизавета — 27 Март, 2020 @ 4:46 пп

  19. Базовой технологией создания полупроводниковых ИС является эпитаксиалъно-планарная технология, по ко­торой поверхность полупроводниковой монокристалли­ческой пластины вначале окисляют. Затем осуществляют локальное травление оксида слоя и через вскрытые в нем окна производят легирование полупроводника. Легирую­щие примеси диффундируют в подложку из газовой фазы при высокой температуре. Последующим окислением ок­на снова закрываются. Повторяя технологические опера­ции окисления, селективного травления и диффузии раз­личных примесей, можно реализовать различные схемные элементы: диоды, транзисторы, сопротивления и емкости. Однако емкостные элементы в связи с их большой площадью и высокой стоимостью технологиче­ских операций в ИС практически не применяют. На одной пластине монокристалла полупроводника диаме­тром около 100 мм формируется одновременно до не­скольких тысяч ИС.
    Выбор конструкции и технологии изготовления инте­гральных схем обусловливается технико-экономическими соображениями. Толсто- и тонкопленочная технологии отличаются широкими возможностями реализации схем по точности элементов. Кроме того, они характеризуют­ся сравнительно низкой стоимостью подготовки про­изводства. На их базе можно изготовлять широкую но­менклатуру схем малых серий (специальных ГИС).

    Преимущественное использование тонкопленочной технологии в производстве прецизионных схем объяс­няется возможностью достижения более высокой разре­шающей способности, точности и стабильности элемен­тов схем.

    Толстопленочная технология отличается несколько меньшим циклом подготовки производства и менее сложным технологическим оборудованием. Она исполь­зуется для получения сравнительно несложных схем в устройствах числового программного управления, ЭВМ и др. Для получения ГИС толстопленочная техно­логия в ряде случаев обладает преимуществами по срав­нению с тонкопленочной.

    Технологию полупроводниковых ИС применяют для изготовления изделий массового производства — ци­фровых схем ЭВМ, микропроцессоров, электронных ча­сов, счетных машин и т. п.

    Ряд технологических операций трех основных видов технологии изготовления интегральных микросхем по своей физической природе аналогичен, несмотря на раз­личия используемых материалов и оборудования.

    Сообщение от Иван Пинчук — 27 Март, 2020 @ 7:56 пп

  20. Решающим шагом в становлении микроэлектроники явилось создание планарной технологии, включающей две основные операции: фотолитографию и диффузию. Сначала на поверхности кремния по специальной технологии получают тонкую эпитаксиальную пленку (Si02) толщиной 10—20 мкм, служашщей надежным барьером от проникновения примесей. Далее изготавливается специальный фотошаблон — пластина из прозрачного материала, на которой с высокой точностью создается рисунок, подлежащий переносу на полупроводниковую пластину с эпитаксиальной пленкой. С помощью фотолитографии рисунок с фотошаблона, определяющего конфигурацию создаваемой микросхемы, переносится на пленку, на которой образуются «окна» размером 2-3 мкм.
    В процессе изготовления интегральной микросхемы осуществляют до пяти подобных диффузий и равномерным распределением примесей в эпитаксиальное выращивание для получения кремния я-типа объеме. Перед каждой диффузией производится окисление поверхности пластины фотолитографии. Поочередное внесение разных примесей в одни и те же области позволяет создать несколько последовательно расположенных //-я-переходов на разном расстоянии от поверхности и тем самым «вырастить» транзистор с требуемыми параметрами.

    Сообщение от Артём Литовчик — 27 Март, 2020 @ 8:28 пп

  21. ИС изготавливаются методами интегральной технологии, имеющей
    следующие отличительные особенности:
    1. Элементы, однотипные по способу изготовления, представляют собой
    или полупроводниковые p-n структуры с несколькими областями,
    различающиеся концентрацией примесей или пленочные структуры из
    проводящих, резистивных и диэлектрических пленок.
    2. Одновременно в едином технологическом цикле изготавливается
    большое количество одинаковых функциональных узлов, каждый из которых, в
    свою очередь, может содержать до сотен тысяч и более элементов.
    3. Сокращается количество технологических операций (сборка, монтаж
    элементов) на несколько порядков по сравнению с традиционными методами
    производства аппаратуры на дискретных элементах.
    4. Размеры элементов и соединений между ними уменьшаются до
    технологически возможных пределов.
    5. Низконадежные соединения элементов, выполненные с помощью пайки,
    исключаются и заменяются высоконадежными соединениями (путем
    металлизации).

    Сообщение от Валерия Нестерова — 27 Март, 2020 @ 10:13 пп

  22. При изготовлении интегральных схем используется групповой метод производства и в основном планарная технология.

    Групповой метод производства предполагает изготовление на одной полупроводниковой пластине большого количества однотипных ИС и одновременную обработку десятков таких пластин. После завершения цикла изготовления пластины разрезаются в двух взаимно перпендикулярных направлениях на отдельные кристаллы – чипы, каждый из которых представляет собой ИС.

    Сообщение от Сидоренко Илья — 28 Март, 2020 @ 12:23 пп

  23. При такой технологии отсутствуют сборочные операции, процесс образования элементов схемы совмещен с процессом образования самой конструкции. При изготовлении пленочных ИС электрорадиоэлементы получают на подложке в виде пленок полупроводников, диэлектриков, различных металлов и их оксидов последовательно наносимых одна на другую. Геометрическая пленочных элементов должна быть простой.

    Сообщение от Валера Люкевич — 28 Март, 2020 @ 2:05 пп

  24. Под интегральной схемой (ИС) понимается электрон­ное устройство, имеющее высокую плотность компонов­ки элементов электрической схемы, в котором все или часть элементов сформированы и электрически соеди­нены между собой на одном полупроводниковом кри­сталле или диэлектрической подложке.
    Наиболее важной проблемой при создании микросхем является разработка элементов и совместимых друг с дру­гом материалов со стабильными и воспроизводимыми характеристиками тонких слоев, а также последователь­ности технологических операций формирования много­слойной структуры, при которой последующие операции не оказывают вредного влияния на характеристики ранее сформированных слоев.
    Особенностью изготовления интегральных микросхем в том, что все элементы изготавливаются в едином технологическом цикле.
    Особенность изготовления пленочной интегральной микросхемой в том, что все элементы выполняются в виде пленок.

    Сообщение от Анастасия Пальчастая — 28 Март, 2020 @ 2:16 пп

  25. Микросхемы изготавливают по 2 технологиям:пленочная и монолитная(п/п она же интегральная).Технология полупроводниковых ИС основана на легировании полупроводниковой (кремниевой) пластины поочередно донорными и акцепторными примесями, в результате чего под поверхностью образуются тонкие слои с разным типом проводимости и p–n-переходы на границах слоев. Отдельные слои используются в качестве резисторов, а p–n-переходы – в диодных и транзисторных структурах.Полупроводниковые микросхемы могут быть однокристальными (монолитными) и многокристальными (микросборками). Однокристальная микросхема может иметь индивидуальный герметизированный корпус с внешними выводами для монтажа на коммутационной (печатной) плате, или быть бескорпусной и входить в состав микросборки.
    Многокристальная микросхема (микросборка) представляет собой совокупность бескорпусных микросхем, смонтированных на общей коммутационной плате.

    Сообщение от Дмитрий Лукашевич — 28 Март, 2020 @ 7:55 пп

  26. Интегральные микросхемы, в зависимости от технологии изготовления, могут быть полупроводниковыми, пленочными или гибридными.

    Полупроводниковая микросхема – микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в объеме и на поверхности полупроводника.

    Пленочная микросхема – микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены только в виде пленок проводящих и диэлектрических материалов. Вариантами пленочных являются тонкопленочные и толстопленочные микросхемы.

    Различие между тонкопленочными и толстопленочными микросхемами может быть количественным и качественным. К тонкопленочным условно относят микросхемы с толщиной пленок менее 1 мкм, а к толстопленочным – микросхемы с толщиной пленок свыше 1 мкм.

    Гибридная микросхема – микросхема, содержащая, кроме элементов, простые и сложные компоненты (например, кристаллы микросхемы полупроводниковых микросхем). Одним из видов гибридной микросхемы является многокристальная микросхема.

    В зависимости от функционального назначения интегральные микросхемы делятся на аналоговые и цифровые. Аналоговые микросхемы предназначены для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции. Частным случаем этих микросхем является микросхема с линейной характеристикой – линейная микросхема. С помощью цифровых микросхем преобразуются, обрабатываются сигналы, изменяющиеся по закону дискретной функции. Частным случаем цифровых микросхем являются логические микросхемы, выполняющие операции с двоичным кодом, которые описываются законами логической алгебры.

    Сообщение от Александр Кривальцевич — 28 Март, 2020 @ 9:40 пп

  27. Интегральные микросхемы, в зависимости от технологии изготовления, могут быть полупроводниковыми, пленочными или гибридными.
    В зависимости от функционального назначения интегральные микросхемы делятся на аналоговые и цифровые. Аналоговые микросхемы предназначены для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции. Частным случаем этих микросхем является микросхема с линейной характеристикой – линейная микросхема. С помощью цифровых микросхем преобразуются, обрабатываются сигналы, изменяющиеся по закону дискретной функции. Частным случаем цифровых микросхем являются логические микросхемы, выполняющие операции с двоичным кодом, которые описываются законами логической алгебры.

    Сообщение от Никита зубрицкий — 28 Март, 2020 @ 9:52 пп

  28. Технология полупроводниковых ИС основана на легировании полупроводниковой (кремниевой) пластины поочередно донорными и акцепторными примесями, в результате чего под поверхностью образуются тонкие слои с разным типом проводимости и p–n-переходы на границах слоев.
    Основным элементом биполярных ИС является n–p–n-транзистор (биполярный транзистор), и на его изготовление ориентируется весь технологический цикл.
    Элементы биполярной ИС необходимо изолировать друг от друга, чтобы они не взаимодействовали через кристалл. Элементы МДП (МОП) ИС не нуждаются в специальной изоляции друг от друга. В этом одно из главных преимуществ МОП ИС по сравнению с биполярными.
    В последнее время широкое распространение в качестве материала подложки получил арсенид-галлий. В полупроводниковых микросхемах на такой основе активными элементами служат полевые транзисторы с управляющим переходом металл-полупроводник (МЕП-транзисторы).

    Сообщение от Никита Грищенко — 29 Март, 2020 @ 2:11 дп

  29. Особенностями являются:1. Элементы, однотипные по способу изготовления, представляют собой или полупроводниковые p-n структуры с несколькими областями, различающиеся концентрацией примесей или пленочные структуры из проводящих, резистивных и диэлектрических пленок.
    2. Одновременно в едином технологическом цикле изготавливается большое количество одинаковых функциональных узлов, каждый из которых, в свою очередь, может содержать до сотен тысяч и более элементов.
    3. Сокращается количество технологических операций (сборка, монтаж элементов) на несколько порядков по сравнению с традиционными методами производства аппаратуры на дискретных элементах.
    4. Размеры элементов и соединений между ними уменьшаются до технологически возможных пределов.
    5. Низконадежные соединения элементов, выполненные с помощью пайки, исключаются и заменяются высоконадежными соединениями (путем металлизации).

    Сообщение от Евгений Мурашко — 29 Март, 2020 @ 3:12 дп

  30. метод производства предполагает изготовление на одной полупроводниковой пластине большого количества однотипных ИС и одновременную обработку десятков таких пластин. После завершения цикла изготовления пластины разрезаются в двух взаимно перпендикулярных направлениях на отдельные кристаллы – чипы (chip), каждый из которых представляет собой ИС

    Сообщение от Пешко илья — 29 Март, 2020 @ 12:16 пп

  31. ИС изготавливаются методами интегральной технологии, имеющей следующие отличительные особенности:
    1. Элементы, однотипные по способу изготовления, представляют собой или полу-проводниковые p-n структуры с несколькими областями, различающиеся концентрацией примесей или пленочные структуры из проводящих, резистивных и диэлектрических пленок.
    2. Одновременно в едином технологическом цикле изготавливается большое количество одинаковых функциональных узлов, каждый из которых, в свою очередь, может содержать до сотен тысяч и более элементов.
    3. Сокращается количество технологических операций (сборка, монтаж элементов) на несколько порядков по сравнению с традиционными методами производства аппаратуры на дискретных элементах.
    4. Размеры элементов и соединений между ними уменьшаются до технологически возможных пределов.
    5. Низконадежные соединения элементов, выполненные с помощью пайки, исключаются и заменяются высоконадежными соединениями (путем металлизации).

    Сообщение от Николай Каштан — 29 Март, 2020 @ 1:28 пп

  32. Правильный ответ смотри:
    Лекция Бладыко «Интегральные микросхемы».

    Сообщение от Юрий Витальевич. — 29 Март, 2020 @ 2:15 пп

Оставить сообщение

Введите, пожалуйста, правильное значение, чтобы ваше сообщение было принято.