Полупроводниковая микросхема

Опубликовано: Проверь себя — Юрий Витальевич. 30 Март, 2020 @ 10:01 дп

Микросхема
Интегральная микросхема — микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию обработки сигналов и имеющее высокую плотность размещения электрически соединенных элементов и компонентов.
Назовите особенности интегральной микросхемы на примере полупроводниковой.



29 комментариев »

  1. Особенности ИС (на примере полупроводниковой):
    1. ИС самостоятельно выполняет законченную, часто весьма сложную функцию. ИС может рассматриваться не только как элемент с определенными параметрами, но и как устройство с определенной электрической схемой.
    2. Снимаются принципиальные ограничения по усложнению функций аппаратуры, которые были свойственны традиционному построению радиоэлектронных устройств на дискретных элементах.
    3. На одном и том же кристалле можно реализовать узел различной сложности.
    4. Элементы ИС отличаются от аналогичных дискретных элементов:
    Большой разброс параметров относительно расчетных (из-за малых размеров, невозможностью подгонки и подстройки).
    Ограничение номинальных значений – сопротивлений и емкостей (из-за малой площади). Индуктивность вовсе не реализуется.
    Однотипные элементы одной ИС характеризуется высокой идентичностью параметров и характеристик.
    Наличие ряда паразитных параметров (токи утечки в подложку, появление емкостных и индуктивных связей между близкорасположенными элементами, соединениями и подложкой).
    6. В ИС при создании функционального узла предпочтение отдается активным элементам перед пассивными. При построении аналогичных узлов на дискретных элементах, наоборот, стремятся уменьшить количество дорогих активных элементов (транзисторов и т.п.).
    6. В ИС реализуются некоторые типы элементов, которые не имеют дискретных аналогов (многоэмиттерные транзисторы, элементы с инжекционным питанием, структуры с распределенными параметрами и др.).

    Сообщение от Евфросиния — 30 Март, 2020 @ 10:14 дп

  2. Полупроводниковые ИМС имеют высокую надежность, низкую стоимость, высокую плотность компоновки элементов. Активные элементы этих микросхем (транзисторы и диоды) имеют лучшие параметры, чем пассивные (резисторы и конденсаторы), поскольку планарно-эпитаксиальная технология их изготовления преимущественно ориентирована на изготовление транзисторов и
    диодов, а резисторы и конденсаторы изготавливаются «по ходу» в одном технологическом цикле с активными элементами.

    Сообщение от Максим Булин — 30 Март, 2020 @ 10:43 дп

  3. В полупроводниковой схеме все элементы и межэлементные соединения выполнены в объеме или на поверхности полупроводника. В таких схемах нет компонентов. Это наиболее распространенная разновидность интегральных схем.
    Полупроводниковые микросхемы характерны тем, что в них невозможно выделить отдельные структурные области, эквивалентные отдельным элементам. Такие схемы оцениваются в целом по выполняемой ими функции. Полупроводниковые микросхемы получают созданием локальных неоднородностей внутри кристалла, что даёт возможность управлять потоком объёмных зарядов с помощью электрических и магнитных полей.

    Сообщение от Молодцов Артём — 30 Март, 2020 @ 12:47 пп

  4. 1) схема сама выполняет сложную функцию
    2) нет ограничения по усложнению аппаратуры
    3) на одном кристалле может быть узел любой сложности
    4) предпочтение отдается активным элементам(транзистора)
    5) в схемах реализуются элементы без дискретных аналогов
    6) элементы схемы отличаются от дискретных параметров

    Сообщение от Илья Рябцев — 31 Март, 2020 @ 9:34 пп

  5. 1.ИС самостоятельно выполняет сложную функцию
    2.Снимается принципиальное ограничение по усложнению аппаратуры
    3.На одном кристалле может быть реализован узел различной сложности
    4.Предпочтение отдаётся активным элементам
    5.На ИС реализованы элементы,которым нет дискретного аналога
    6.Элементы ИС отличаются от дискретных элеметов

    Сообщение от Никита Хитёв — 31 Март, 2020 @ 11:31 пп

  6. Особенности ИС (на примере полупроводниковой):

    1. ИС самостоятельно выполняет законченную, часто весьма сложную функцию. ИС может рассматриваться не только как элемент с определенными параметрами, но и как устройство с определенной электрической схемой.
    2. Снимаются принципиальные ограничения по усложнению функций аппарату-ры, которые были свойственны традиционному построению радиоэлектронных устройств на дискретных элементах.
    3. На одном и том же кристалле можно реализовать узел различной сложности.
    4. Элементы ИС отличаются от аналогичных дискретных элементов.
    5. В ИС при создании функционального узла предпочтение отдается активным элементам перед пассивными. При построении аналогичных узлов на дискретных элементах, наоборот, стремятся уменьшить количество дорогих активных элементов (транзисторов и т.п.).
    6. В ИС реализуются некоторые типы элементов, которые не имеют дискретных аналогов (многоэмиттерные транзисторы, элементы с инжекционным питанием, структуры с распределенными параметрами и др.).

    Сообщение от Жаркова Дарья — 1 Апрель, 2020 @ 2:00 пп

  7. Особенности ИС (на примере полупроводниковой):

    1. ИС самостоятельно выполняет законченную, часто весьма сложную функцию. ИС может рассматриваться не только как элемент с определенными параметрами, но и как устройство с определенной электрической схемой.
    2. Снимаются принципиальные ограничения по усложнению функций аппарату-ры, которые были свойственны традиционному построению радиоэлектронных устройств на дискретных элементах.
    3. На одном и том же кристалле можно реализовать узел различной сложности.
    4. Элементы ИС отличаются от аналогичных дискретных элементов.
    5. В ИС при создании функционального узла предпочтение отдается активным элементам перед пассивными. При построении аналогичных узлов на дискретных элементах, наоборот, стремятся уменьшить количество дорогих активных элементов (транзисторов и т.п.).
    6. В ИС реализуются некоторые типы элементов, которые не имеют дискретных аналогов (многоэмиттерные транзисторы, элементы с инжекционным питанием, структуры с распределенными параметрами и др.).

    Сообщение от Мартынович Анастасия — 1 Апрель, 2020 @ 2:02 пп

  8. Особенности ИС (на примере полупроводниковой):

    1. ИС самостоятельно выполняет законченную, часто весьма сложную функцию. ИС может рассматриваться не только как элемент с определенными параметрами, но и как устройство с определенной электрической схемой.
    2. Снимаются принципиальные ограничения по усложнению функций аппарату-ры, которые были свойственны традиционному построению радиоэлектронных устройств на дискретных элементах.
    3. На одном и том же кристалле можно реализовать узел различной сложности.
    4. Элементы ИС отличаются от аналогичных дискретных элементов.
    5. В ИС при создании функционального узла предпочтение отдается активным элементам перед пассивными. При построении аналогичных узлов на дискретных элементах, наоборот, стремятся уменьшить количество дорогих активных элементов (транзисторов и т.п.).
    6. В ИС реализуются некоторые типы элементов, которые не имеют дискретных аналогов (многоэмиттерные транзисторы, элементы с инжекционным питанием, структуры с распределенными параметрами и др.).

    Сообщение от Ващук Кирилл — 1 Апрель, 2020 @ 2:03 пп

  9. Особенности ИС на примере полупроводниковой: 1) ИС самостоятельно выполняет законченную, часто весьма сложную функцию. ИС может рассматриваться не только как элемент с определенными параметрами, но и как устройство с определенной электрической схемой. 2) Снимаются принципиальные ограничения по усложнению функций аппаратуры, которые были свойственны традиционному построению радиоэлектронных устройств на дискретных элементах. 3)На одном и том же кристалле можно реализовать узел различной сложности. 4) Элементы ИС отличаются от аналогичных дискретных элементов.5) В ИС при создании функционального узла предпочтение отдается активным элементам перед пассивными. При построении аналогичных узлов на дискретных элементах, наоборот, стремятся уменьшить количество дорогих активных элементов. 6) В ИС реализуются некоторые типы элементов, которые не имеют дискретных аналогов (многоэмиттерные транзисторы, структуры с распределенными параметрами и др.).

    Сообщение от Анжелика Мисюля — 1 Апрель, 2020 @ 2:07 пп

  10. В полупроводниковой схеме все элементы и межэлементные соединения выполнены в объеме или на поверхности полупроводника. В таких схемах нет компонентов. Это наиболее распространенная разновидность интегральных схем.

    Интегральную схему называют гибридной, если она содержит компоненты и (или) отдельные кристаллы полупроводника.

    В пленочных интегральных схемах отдельные элементы и межэлементные соединения выполняются на поверхности диэлектрика (обычно используется керамика). При этом применяются различные технологии нанесения пленок из соответствующих материалов.

    По функциональным признакам интегральные схемы подразделяют на аналоговые (операционные усилители, источники вторичного электропитания и др.) и цифровые (логические элементы, триггеры и т. п.).

    Сообщение от Дмитрий Лялюк — 1 Апрель, 2020 @ 11:15 пп

  11. 1. В кристалле полупроводника могут быть выполнены полупроводниковые приборы (диоды, транзисторы, полевые транзисторы) и полупроводниковые резисторы. Конденсаторы большей емкости и магнитные элементы (дроссели, трансформаторы) в составе полупроводниковых ИМС невыполнимы.

    2. Точность воспроизведения параметров компонентов полупроводниковой ИМС невелика, но одинаковые элементы на одном кристалле имеют практически идентичные параметры.

    3. Масса и габариты полупроводниковых ИМС очень малы, на одном кристалле кремния (размером несколько квадратных сантиметров) могут располагаться десятки и сотни тысяч отдельных элементов схемы.

    Сообщение от Максим Верутин — 2 Апрель, 2020 @ 12:19 пп

  12. Полупроводниковые ИМС имеют высокую надежность, низкую стоимость, высокую плотность компоновки элементов. Активные элементы этих микросхем (транзисторы и диоды) имеют лучшие параметры, чем пассивные (резисторы и конденсаторы), поскольку планарно-эпитаксиальная технология их изготовления преимущественно ориентирована на изготовление транзисторов и
    диодов, а резисторы и конденсаторы изготавливаются «по ходу» в одном технологическом цикле с активными элементами.

    Сообщение от Александр Кривальцевич — 2 Апрель, 2020 @ 6:07 пп

  13. Особенности ИС (на примере полупроводниковой):
    1. ИС самостоятельно выполняет законченную, часто весьма сложную функцию. ИС может рассматриваться не только как элемент с определенными параметрами, но и как устройство с определенной электрической схемой.
    2. Снимаются принципиальные ограничения по усложнению функций аппаратуры, которые были свойственны традиционному построению радиоэлектронных устройств на дискретных элементах.
    3. На одном и том же кристалле можно реализовать узел различной сложности.
    4. Элементы ИС отличаются от аналогичных дискретных элементов:
    • Большой разброс параметров относительно расчетных (из-за малых размеров, невозможностью подгонки и подстройки).
    • Ограничение номинальных значений – сопротивлений и емкостей (из-за малой площади). Индуктивность вовсе не реализуется.
    • Однотипные элементы одной ИС характеризуется высокой идентичностью параметров и характеристик.
    • Наличие ряда паразитных параметров (токи утечки в подложку, появление емкостных и индуктивных связей между близкорасположенными элементами, соединениями и подложкой).
    5. В ИС при создании функционального узла предпочтение отдается активным элементам перед пассивными. При построении аналогичных узлов на дискретных элементах, наоборот, стремятся уменьшить количество дорогих активных элементов (транзисторов и т.п.).
    6. В ИС реализуются некоторые типы элементов, которые не имеют дискретных аналогов (многоэмиттерные транзисторы, элементы с инжекционным питанием, структуры с распределенными параметрами и др.).

    Сообщение от Алина Мешкова — 3 Апрель, 2020 @ 11:04 дп

  14. В полупроводниковой схеме все элементы и межэлементные соединения выполнены в объеме или на поверхности полупроводника. В таких схемах нет компонентов.

    Сообщение от Куган Даниил — 3 Апрель, 2020 @ 2:16 пп

  15. В полупроводниковой схеме все элементы и межэлементные соединения выполнены в объеме или на поверхности полупроводника. В таких схемах нет компонентов.

    Сообщение от Серенкова Елизавета — 3 Апрель, 2020 @ 8:01 пп

  16. В полупроводниковых ИС все элементы выполнены внутри (в приповерхностном слое) и на поверхности полупроводниковой подложки, называемой кристаллом, которая представляет собой пластинку кремния толщиной 200 – 300 мкм. Площадь кристалла бывает обычно от 1,5 ? 1,5 до 6 ? 6 мм. По сравнению с пленочными и гибридными ИС полу­проводниковые микросхемы имеют наиболее высокое число элементов в едини­це объёма и наибольшую надежность (наименьшую интенсивность отказов). Недостаток полупроводниковых ИС – несколько худшее качество пассивных элементов (резисторы и конденсаторы) и невозможность создания в полупроводнике катушек индуктивности. Тем не менее на базе полупроводниковых ИС делаются большие и сверхбольшие ИС, используемые в микроэлектронике.

    Сообщение от Дмитрий Лукашевич — 3 Апрель, 2020 @ 8:14 пп

  17. Особенности ИС (на примере полупроводниковой):
    –ИС самостоятельно выполняет законченную, часто весьма сложную, функцию;
    –ИС может рассматриваться не только как элемент с определенными параметрами, но и как устройство с определенной электрической схемой;
    –снимаются принципиальные ограничения по усложнению функций аппаратуры, которые были свойственны традиционному построению радиоэлектронных устройств на дискретных
    элементах;
    –на одном и том же кристалле можно реализовать узел различной сложности.

    Сообщение от Валерия Нестерова — 3 Апрель, 2020 @ 10:48 пп

  18. Основным базовым элементом полупроводниковых ИМС является транзистор.
    Полупроводниковые ИМС имеют высокую надежность, низкую стоимость, высокую плотность компоновки элементов. Активные элементы этих микросхем (транзисторы и диоды) имеют лучшие параметры, чем пассивные (резисторы и конденсаторы).
    Основным элементом конструкции полупроводниковых ИМС является кристалл.
    Работа полупроводниковых ИМС преимущественно основывается на использовании законов движения электронов и дырок через высоко- и низкоомные участки кремния, р-n-переходы, контакты металл-полупроводник и тому подобное.
    В полупроводниковом виде изготавливают самое большое количество цифровых микросхем, которые имеют больше активных чем пассивных элементов. Их применяют для построения ЭВМ, персональных компьютеров, микропроцессоров, калькуляторов, других устройств обработки цифровой информации.
    Аналоговые полупроводниковые ИМС используют для изготовления аналоговой техники, в том числе радио и телевизионных передатчиков и приемников, радиолокационных и навигационных систем, медицинских аппаратов.

    Сообщение от Олег Козлов — 4 Апрель, 2020 @ 5:17 дп

  19. Основным базовым элементом полупроводниковых ИМС является транзистор.
    Полупроводниковые ИМС имеют высокую надежность, низкую стоимость, высокую плотность компоновки элементов. Активные элементы этих микросхем (транзисторы и диоды) имеют лучшие параметры, чем пассивные (резисторы и конденсаторы).
    Основным элементом конструкции полупроводниковых ИМС является кристалл.
    Работа полупроводниковых ИМС преимущественно основывается на использовании законов движения электронов и дырок через высоко- и низкоомные участки кремния, р-n-переходы, контакты металл-полупроводник и тому подобное.
    В полупроводниковом виде изготавливают самое большое количество цифровых микросхем, которые имеют больше активных чем пассивных элементов. Их применяют для построения ЭВМ, персональных компьютеров, микропроцессоров, калькуляторов, других устройств обработки цифровой информации.
    Аналоговые полупроводниковые ИМС используют для изготовления аналоговой техники, в том числе радио и телевизионных передатчиков и приемников, радиолокационных и навигационных систем, медицинских аппаратов.

    Сообщение от Максим Арутюнов — 4 Апрель, 2020 @ 2:08 пп

  20. В полупроводниковой схеме все элементы и межэлементные соединения выполнены в объеме или на поверхности полупроводника. В таких схемах нет компонентов. Это наиболее распространенная разновидность интегральных схем.

    Сообщение от Сидоренко Илья — 4 Апрель, 2020 @ 2:55 пп

  21. В полупроводниковой ИМС все активные и пассивные элементы выполняются в виде сочетания неразъемно-связанных p-n – переходов в одном полупроводниковом кристалле. Полупроводниковый кристалл, на поверхности которого и его объеме формируют элементы микросхемы и контактные площадки, играет активную роль.

    Сообщение от Артём Литовчик — 4 Апрель, 2020 @ 7:37 пп

  22. Технология полупроводниковых ИС основана на легировании полупроводниковой пластины поочередно донорными и акцепторными примесями, в результате чего под поверхностью образуются тонкие слои с разным типом проводимости и p–n-переходы на границах слоев. Отдельные слои используются в качестве резисторов, а p–n-переходы – в диодных и транзисторных структурах.

    Сообщение от Кирилл Марчук — 4 Апрель, 2020 @ 8:51 пп

  23. 1. ИС самостоятельно выполняет законченную функцию;
    2.ИС может рассматриваться не только как элемент с определенными параметрами, но и как устройство с определенной электрической схемой;
    3. снимаются принципиальные ограничения по усложнению функций аппаратуры.
    4. на одном и том же кристалле имеется возможность реализовать узел различной
    сложности.

    Сообщение от Борщевский Андрей — 5 Апрель, 2020 @ 1:13 дп

  24. Особенности интегральной полупроводниковой микросхемы:
    1. ИМС может рассматриваться не только как элемент с определенными параметрами, но и как устройство с определенной электрической схемой.
    2. Снимаются принципиальные ограничения по усложнению функций аппаратуры, которые были свойственны традиционному построению радиоэлектронных устройств на дискретных элементах.
    3. На одном и том же кристалле можно реализовать узел различной сложности.
    4. Элементы ИС отличаются от аналогичных дискретных элементов.
    5. В ИМС при создании функционального узла предпочтение отдается активным элементам перед пассивными. При построении аналогичных узлов на дискретных элементах, наоборот, стремятся уменьшить количество дорогих активных элементов.
    6. В ИС реализуются некоторые типы элементов, которые не имеют дискретных аналогов.

    Сообщение от Анастасия Пальчастая — 5 Апрель, 2020 @ 3:01 пп

  25. Особенности интегральной схемы на примере полупроводниковой заключаеться в следующем:
    ИС самостоятельно выполняют законченные, часто весьма сложную функцию. ИС может рассматриваться не только как элемент с определенными параметрами, но и как устройство с определенной электрической схемой.
    Снимаются принципиальные ограничения по усложнению функций аппаратуры, которые были свойственны традиционному построению радиоэлектронных устройств на дискретных элементах.
    На одном и том же кристалле можно реализовать узел различной сложности.
    Элементы ИС отличаются от аналогичных дискретных элементов:
    Большой разброс параметров относительно расчетных (из-за малых размеров, невозможностью подгонки и подстройки).
    Ограничение номинальных значений – сопротивлений и емкостей (из-за малой площади). Индуктивность вовсе не реализуется.
    Однотипные элементы одной ИС характеризуется высокой идентичностью параметров и характеристик.
    Наличие ряда паразитных параметров (токи утечки в подложку, появление емкостных и индуктивных связей между близкорасположенными элементами, соединениями и подложкой).
    В ИС при создании функционального узла предпочтение отдается активным элементам перед пассивными. При построении аналогичных узлов на дискретных элементах, наоборот, стремятся уменьшить количество дорогих активных элементов (транзисторов и т.п.).
    В ИС реализуются некоторые типы элементов, которые не имеют дискретных аналогов (многоэмиттерные транзисторы, элементы с инжекционным питанием, структуры с распределенными параметрами и др.).

    Сообщение от Тарасевич Даниил — 5 Апрель, 2020 @ 3:58 пп

  26. -Схема самостоятельно выполняет сложную функцию
    -Снимается принципиальное ограничение по усложнению аппаратуры
    -На одном и том же кристалле можно реализовать узел различной сложности
    -Предпочтение отдается активным элементам (транзисторам)
    -В схемах реализуются элементы, которым нет дискретных аналогов
    -Отличие элементов интегральных схем от дискретных элементов:идентичность параметров идентичных элементов, ограничение номинальных значений, наличие паразитных параметров(токи утечки подложки, межэлементная емкость), отличие параметров от проектируемых.

    Сообщение от Даниил Гаврилов — 5 Апрель, 2020 @ 4:16 пп

  27. Особенности ИС (на примере полупроводниковой):
    1. ИС самостоятельно выполняет законченную, часто весьма сложную функцию. ИС может рассматриваться не только как элемент с определенными параметрами, но и как устройство с определенной электрической схемой.
    2. Снимаются принципиальные ограничения по усложнению функций аппаратуры, которые были свойственны традиционному построению радиоэлектронных устройств на дискретных элементах.
    3. На одном и том же кристалле можно реализовать узел различной сложности.
    4. Элементы ИС отличаются от аналогичных дискретных элементов:
    • Большой разброс параметров относительно расчетных (из-за малых размеров, невозможностью подгонки и подстройки).
    • Ограничение номинальных значений – сопротивлений и емкостей (из-за малой площади). Индуктивность вовсе не реализуется.
    • Однотипные элементы одной ИС характеризуется высокой идентичностью параметров и характеристик.
    • Наличие ряда паразитных параметров (токи утечки в подложку, появление емкостных и индуктивных связей между близкорасположенными элементами, соединениями и подложкой).
    5. В ИС при создании функционального узла предпочтение отдается активным элементам перед пассивными. При построении аналогичных узлов на дискретных элементах, наоборот, стремятся уменьшить количество дорогих активных элементов (транзисторов и т.п.).
    6. В ИС реализуются некоторые типы элементов, которые не имеют дискретных аналогов (многоэмиттерные транзисторы, элементы с инжекционным питанием, структуры с распределенными параметрами и др.).

    Сообщение от Евгений Мурашко — 5 Апрель, 2020 @ 5:55 пп

  28. 1. ИС самостоятельно выполняет законченную, часто весьма сложную функцию. ИС может рассматриваться не только как элемент с определенными параметрами, но и как устройство с определенной электрической схемой.
    2. Снимаются принципиальные ограничения по усложнению функций аппаратуры, которые были свойственны традиционному построению радиоэлектронных устройств на дискретных элементах.
    3. На одном и том же кристалле можно реализовать узел различной сложности.
    4. Элементы ИС отличаются от аналогичных дискретных элементов:
    • Большой разброс параметров относительно расчетных (из-за малых размеров, невозможностью подгонки и подстройки).
    • Ограничение номинальных значений – сопротивлений и емкостей (из-за малой площади). Индуктивность вовсе не реализуется.
    • Однотипные элементы одной ИС характеризуется высокой идентичностью параметров и характеристик.
    • Наличие ряда паразитных параметров (токи утечки в подложку, появление емкостных и индуктивных связей между близкорасположенными элементами, соединениями и подложкой).
    5. В ИС при создании функционального узла предпочтение отдается активным элементам перед пассивными

    Сообщение от Пешко илья — 5 Апрель, 2020 @ 9:21 пп

  29. В полупроводниковой схеме все элементы и межэлементные соединения выполнены в объеме или на поверхности полупроводника. В таких схемах нет компонентов. Это наиболее распространенная разновидность интегральных схем.
    Полупроводниковые микросхемы помещают в металлические корпуса или заливают пластмассой, например эпоксидной смолой, с соответствующими проволочными или ленточными выводами. Корпуса значительно увеличивают габаритные размеры микросхем. Применение полупроводниковых микросхем в цифровых и релейных схемах приводит к уменьшению их габаритов, массы и цены. Полупроводниковые микросхемы аналогового типа, например усилители, менее распространены из-за трудностей выдержать допуски на параметры всех элементов.

    Сообщение от Нагорный Евгений — 5 Апрель, 2020 @ 9:32 пп

Оставить сообщение

Введите, пожалуйста, правильное значение, чтобы ваше сообщение было принято.