Полевой транзистор

Опубликовано: Проверь себя — Юрий Витальевич. 15 Март, 2013 @ 8:15 дп

Полевые транзисторыНа рисунке приведено условное графическое обозначение двух транзисторов VT1 и VT2.
В чём их отличие?  Какой транзистор обогащенного типа, а какой — обеднённого?
Какой нормально закрыт, а какой — нормально открыт?



91 комментарий »

  1. Отличия транзистора VT1 от транзистора VT2:
    1) Транзистор VT1-Схематическое обозначение транзистора обедненного типа.
    Транзистор VT2-Схематическое обозначение транзистора обогащенного типа.
    2) Транзистор VT2 нормально закрыт,а транзистор VT1 нормально открыт.

    Сообщение от Верчёнова Вероника — 15 Март, 2013 @ 8:45 дп

  2. Отличия транзистора VT1 от транзистора VT2 заключается в:
    1)VT1-транзистор обедненного типа,а VT2-транзистор обогащенного типа.
    2)VT1-нормально открыт,VT2-нормально закрыт.

    Сообщение от Сорока Андрей — 15 Март, 2013 @ 8:48 дп

  3. Эти два типа полевых транзисторов с изолированным затвором: первый – со встроенным n-каналом обедненного типа; второй – с индуцированным n-каналом обогащенного типа. Из них первый нормально открытый, а второй нормально закрытый.

    Сообщение от Трипутень Алесь Дмитриевич — 15 Март, 2013 @ 9:26 дп

  4. На рисунке VT1- мощный n-канальный МОП транзистор со встроенным каналом (обедненного типа, в нормальном состоянии открыт-это означает, что он имеет заметный ток стока при напряжении затвор-исток равном нулю), а VT2- мощный n-канальный МОП транзистор с индуцированным каналом (обогащенного типа, в нормальном состоянии закрыт- проводит ток только тогда, когда приложено напряжение соответствующей величины). На условном графическом обозначении отличить транзистор с индуцированным каналом (обогащенного типа, который в нормальном состоянии закрыт) от транзистора со встроенным каналом (обедненного типа, в нормальном состоянии открыт) можно по разрыву вертикальной черты.

    Сообщение от Михневич Елена 106321 — 15 Март, 2013 @ 3:44 пп

  5. 1) Какой транзистор обогащенного типа, а какой — обедненного?
    Слева(VT1) — полевой транзистор со встроенным каналом (обедненного типа).
    Справа(VT2) — полевой транзистор с индуцированным каналом (обогащенного типа).
    2) Какой нормально закрыт, а какой — нормально закрыт?
    VT1 — нормально открыт, VT2 — нормально закрыт.

    Сообщение от Такушевич Оля — 15 Март, 2013 @ 7:10 пп

  6. Полевой транзистор МДП (VT1) имеет структуру: металл-диэлектрик-полупроводник, полевой транзистор МОП (VT2) имеет структуру: металл-окисел-полупроводник. VT1- обеднённый, VT2- обогащённый. VT1 нормально открыт, VT2 нормально закрыт.

    Сообщение от Дунченко Денис — 15 Март, 2013 @ 8:39 пп

  7. И первый, и второй прибор — МДП (МОП) транзистор. VT1 — МДП обедненного типа, он нормально открыт, то есть при напряжении затвор-исток равном нулю транзистор открыт для тока стока через канал.
    VT2 — МДП обогащенного типа, в нём изначально нет канала, соединяющего исток и сток, и при отсутствии напряжения на затвор, ток стока проходить не может, транзистор нормально закрыт.

    Сообщение от Андрей Мурашко — 15 Март, 2013 @ 9:14 пп

  8. VT1 — полевой транзистор со встроенным каналом.
    VT2 — полевой транзистор с индуцированным каналом.
    VT1 — обедненного типа, VT2 — обогащенного типа.
    VT1 — n-канальный нормально открытый, а VT2 — n-канальный нормально закрытый.

    Сообщение от Bulavsky Igor Andreevich — 15 Март, 2013 @ 10:19 пп

  9. Транзистор VT1-это МДП-транзистор со встроенным каналом.
    Транзистор VT2-это МДП-транзистор с индуцированным каналом.

    VT1-обеднённого типа, VT2-обогащённого типа.

    VT!-нормально открытый, VT2-нормально закрытый.

    Сообщение от Давидович Андрей — 16 Март, 2013 @ 12:54 дп

  10. Отличие этих МДП транзисторов:1-й со встроенным каналом , 2-й с индуцированным каналом.
    1-й — может работать и в режиме обеднения, и в режиме обогащения;
    2-й — работает только в режиме обогащения.

    Сообщение от Egor.Lukashov — 16 Март, 2013 @ 1:53 пп

  11. Обычно для напряжения, подаваемого на затвор, существует некоторое пороговое значение, при котором происходит резкое уменьшение сопротивления в канале. Когда напряжение на затворе меньше порогового, говорят, что транзистор закрыт. Если напряжение на затворе превышает пороговое значение, транзистор открыт.

    О транзисторе говорят, что он работает в режиме обогащения, когда прикладываемое напряжение увеличивает количество электронов в канале. Такой прибор называют также нормально закрытым полевым транзистором, он соответствует переключателю, размыкающему цепь при нулевом напряжении на затворе.
    Существует также нормально открытый полевой транзистор, имеющий сравнительно низкое сопротивление в канале при нулевом значении на затворе. В данном случае электроны, при нормальных условиях способные поддерживать ток в канале, могут быть удалены, если приложить отрицательное напряжение к затвору. О таком транзисторе говорят, что он работает в режиме обеднения, поскольку напряжение, прикладываемое к затвору, уменьшает количество носителей заряда в канале.
    VT1 — n-канальный нормально открытый, работает в режиме обеднения
    VT2 — n-канальный нормально закрытый, работает в режиме обогащения

    Сообщение от Яковчик Е.В. — 16 Март, 2013 @ 2:07 пп

  12. VT2 — транзистор обогащенного типа.
    VT1 — транзистор обеднённого типа.

    Через полевые МДП–транзисторы обедненного типа при напряжении UGS = 0 протекает наибольший ток стока. Такие транзисторы называют нормально открытыми.

    МДП–транзисторы обогащенного типа запираются при величинах UGS, близких к нулю (открываются положительным напряжением). Их называют нормально закрытыми.

    Сообщение от Малец Виктор 106331 — 16 Март, 2013 @ 11:21 пп

  13. VT1: со встроенным каналом n-типа; может работать как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения
    VT2: с индуцированным каналом n-типа; может работать только в режиме обогащения
    В режиме обеднения — нормально открытый
    В режиме обогащения — нормально закрытый

    Сообщение от Андрей Таркайло — 17 Март, 2013 @ 10:13 дп

  14. VT1-со встроенным каналом n- типа(нормально открытый)
    VT2-с индуцированным каналом n- типа(нормально закрытый)
    Полевые транзисторы со встроенным каналом могут работать как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения канала свободными носителями заряда.
    Полевые транзисторы с индуцированным каналом могут работать только в режиме обогащения.
    Основными достоинствами полевого транзистора являются его большое сопротивление по постоянному току и высокая технологичность. Последнее обусловливает широкое применение полевых транзисторов при разработке микросхем.

    Сообщение от Кривко Сергей — 17 Март, 2013 @ 12:34 пп

  15. на рисунке представлены полевые транзисторы с изолированным затвором(МДП-транзисторы),первый — со встроенным каналом , а второй — с индуцированным каналом.
    В МДП-транзисторах со встроенным каналом у поверхности полупроводника под затвором при нулевом напряжении на затворе относительно истока существует инверсный слой — канал, который соединяет исток со стоком.В МДП-транзисторах с индуцированным каналом проводящий канал между сильнолегированными областями истока и стока отсутствует и, следовательно, заметный ток стока появляется только при определённой полярности и при определённом значении напряжения на затворе относительно истока, которое называют пороговым напряжением.
    Транзистор с индуцированным каналом может работать только в режиме обогащения, а транзистор со встроенном каналом — как в режиме обогащения, так и в режиме обеднения. первый транзистор — нормально закрыт, второй — нормально закрыт.

    Сообщение от Катрич — 17 Март, 2013 @ 3:51 пп

  16. VT1 — полевой транзистор обедненного типа, нормально открыт
    VT2 — полевой транзистор обогащенного типа, нормально закрыт

    Сообщение от Гойшик Максим — 17 Март, 2013 @ 4:53 пп

  17. VT1 — полевой транзистор со встроенным n-каналом, VT2 — полевой транзистор со индуцированным n-каналом. Первый работает и в режиме обогащения и в режиме обеднения, нормально открыт; второй работает только в режиме обогащения, нормально закрыт.

    Сообщение от Андреев Александр — 17 Март, 2013 @ 5:24 пп

  18. VT1 n-канал, нормально открытый (обедненного типа)
    VT2 n-канал, нормально закрытый (обогащенного типа)

    МОП транзисторы обедненного типа являются открытыми в нормальном состоянии. Это означает, что они имеют ток стока при напряжении затвор-исток равном нулю.

    МОП транзисторы обогащенного типа являются закрытыми в нормальном состоянии, то есть устройство, проводящее ток только тогда, когда приложено напряжение затвор-исток соответствующей величины.

    Сообщение от Иван Мацкевич — 17 Март, 2013 @ 5:45 пп

  19. VT1 — обедненного типа, нормально открыт.
    VT2 — обогащенного типа, нормально закрыт.

    Сообщение от Юсупов Андрей — 17 Март, 2013 @ 6:48 пп

  20. VT1 — нормально открыт; обедненного типа.
    VT2 — нормально закрыт; обогащенного типа.
    Оба транзистора n-канальные.

    Сообщение от Ковалев Максим — 17 Март, 2013 @ 7:29 пп

  21. VT1 – транзистор с изолированным затвором и встроенным каналом, обедненного типа, в нормальном состоянии открыт.
    VT2 – транзистор с изолированным затвором и индуцированным каналом, обогащенного типа, в нормальном состоянии закрыт.

    Сообщение от Мамчиц Виктория — 17 Март, 2013 @ 10:01 пп

  22. Полевой транзистор VT1 — это транзистор со встроенным каналом n- типа.
    Полевой транзистор VT2 — это транзистор с индуцированным каналом n- типа.
    МДП — транзистор со встроенным каналом может работать в двух режимах: в режиме обогащения и в режиме обеднения канала носителями заряда.
    Транзистор VT1 нормально открыт, а VT2 — нормально закрыт.

    Сообщение от Василий Юнкевич — 18 Март, 2013 @ 8:50 дп

  23. Первый транзистор — со встроенным n-каналом, а второй — с индуцированным n-каналом.Первый транзистор обедненного типа, второй — обогащенного.Первый транзистор нормально открыт, а второй — нормально закрыт.

    Сообщение от Николай Савицкий — 18 Март, 2013 @ 2:16 пп

  24. Транзистор VT2 обогащённого типа, нормально закрыт.
    Транзистор VT1 обеднённого типа, нормально открыт.
    В полевых транзисторах с изолированным затвором не используют р-п- переход. Вместо него применяется металлический затвор, электрически изолированный от полупроводникового канала тонким слоем окисла. Это устройство известно как полевой транзистор на основе структуры металл-окисел-полупроводник (МОП транзистор).
    Существует два типа таких транзисторов: устройства п-типа с n- каналами и устройства р-типа с р-каналами. Устройства п-типа с n-каналами называются устройствами обедненного типа(VT1), так как они проводят ток при нулевом напряжении на затворе. В устройствах обедненного типа электроны являются носителями тока до тех пор, пока их количество не уменьшится благодаря приложенному к затвору смещению, так как при подаче на затвор отрицательного смещения, ток стока уменьшается.
    Устройства р-типа с р-каналами называются устройствами обогащенного типа(VT2). В устройствах обогащенного типа поток электронов обычно отсутствует до тех пор, пока на затвор не подано напряжение смещения. Хотя полевые транзисторы обедненного типа с р-каналом и транзисторы обогащенного типа с n-каналом и существуют, они обычно не используются.

    Сообщение от Клевакин Иван (106211) — 18 Март, 2013 @ 3:44 пп

  25. VT1-с встроенным затвором, VT2-с индуцированным затвором.
    VT1-обедненный, VT2-обогащенный.
    VT1-нормально открытый, VT2-нормально закрытый.

    Сообщение от Степан — 18 Март, 2013 @ 5:06 пп

  26. 1)VT2(справа): транзистор обогощённого типа,
    он в нормальном состоянии — закрыт(пропускает ток только при определённом значении Ези).
    2)vt1 :соответственно транзистор обеднённого типа, который в нормальном состоянии — открыт( он пропусткает ток при Ези=0).
    это все виды полевых транзисторов с изолированным затвором;
    есть ещё полевые транзисторы с упровляющим p-n переходом.

    Сообщение от Власенко Дмитрий — 18 Март, 2013 @ 5:18 пп

  27. VT1 — обедненного типа, нормально открыт.
    VT2 — обогащенного типа, нормально закрыт.
    VT1-обеднённого типа,нормально открыт.
    VT2-обогащенного типаЯ,открыт нормально

    Сообщение от Анищенко Надежда — 18 Март, 2013 @ 5:29 пп

  28. VT1 — обедненного типа, нормально открыт.
    VT2 — обогащенного типа, нормально закрыт.

    Сообщение от Анищенко Надежда — 18 Март, 2013 @ 5:33 пп

  29. Слева полевой транзистор со встроенным каналом. Он может работать как в режиме обеднения, так и обогащения. Справа обогащённый с изолированным затвором с индуцированным каналом(n-тип). От МОП-транзистора с встроенным каналом он отличается тем, что канал возникает только при подаче на затвор напряжения определенной полярности.

    Сообщение от Руслан Станевич — 18 Март, 2013 @ 6:32 пп

  30. Их отличие в том,что ПТ VT1 со встроенным каналом,а VT2 с индуцированным каналом.
    VT1-транзистор обедненного типа , VT2-обогащенного типа.
    Транзистор VT1 нормально открыт ,а транзистор VT2-нормально закрыт

    Сообщение от Дерюга Владимир — 18 Март, 2013 @ 7:58 пп

  31. полевой транзистор VT1 — N-канальный транзистор с встроенным каналом,а полевой транзистор VT2 — N-канальный транзистор с индуцированным каналом.

    VT1 — транзистор обедненного типа
    VT2 — транзистор обогащенного типа

    VT1 — N-канальный нормально открытый транзистор
    VT2 — N-канальный нормально закрытый транзистор

    Сообщение от Палонский М В — 18 Март, 2013 @ 8:29 пп

  32. VT1 — с изолированным затвором обедненного типа, n-каналом и внутренним соединением подложки и истока.Нормально открыт.
    VT2 — с изолированным затвором обогащенного типа, n-каналом и внутренним соединением подложки и истока.Нормально закрыт.

    Сообщение от Аврамчик Аркадий — 18 Март, 2013 @ 8:50 пп

  33. VT1 — обедненного типа, внутренним соединением подложки и истока и n-каналом.Нормально открыт.
    VT2 — обогащенного типа, внутренним соединением подложки и истока и n-каналом.Нормально закрыт.

    Сообщение от Александр Лукащук — 18 Март, 2013 @ 8:55 пп

  34. МДП-транзисторы с индуцированным каналом

    При напряжении на затворе относительно истока, равном нулю, и при наличии напряжения на стоке, — ток стока оказывается ничтожно малым. Он представляет собой обратный ток p-n перехода между подложкой и сильнолегированной областью стока. При отрицательном потенциале на затворе в результате проникновения электрического поля через диэлектрический слой в полупроводник при малых напряжениях на затворе (меньших UЗИпор) у поверхности полупроводника под затвором возникает обеднённый основными носителями слой эффект поля и область объёмного заряда, состоящая из ионизированных нескомпенсированных примесных атомов. При напряжениях на затворе, больших UЗИпор, у поверхности полупроводника под затвором возникает инверсный слой, который и является каналом, соединяющим исток со стоком. Толщина и поперечное сечение канала будут изменяться с изменением напряжения на затворе, соответственно будет изменяться и ток стока, то есть ток в цепи нагрузки и относительно мощного источника питания. Так происходит управление током стока в полевом транзисторе с изолированным затвором и с индуцированным каналом.

    В связи с тем, что затвор отделён от подложки диэлектрическим слоем, ток в цепи затвора ничтожно мал, мала и мощность, потребляемая от источника сигнала в цепи затвора и необходимая для управления относительно большим током стока. Таким образом, МДП-транзистор с индуцированным каналом может производить усиление электромагнитных колебаний по напряжению и по мощности.
    МДП-транзисторы со встроенным каналом
    В связи с наличием встроенного канала в таком МДП-транзисторе при нулевом напряжении на затворе поперечное сечение и проводимость канала будут изменяться при изменении напряжения на затворе как отрицательной, так и положительной полярности. Таким образом, МДП-транзистор со встроенным каналом может работать в двух режимах: в режиме обогащения и в режиме обеднения канала носителями заряда. Эта особенность МДП-транзисторов со встроенным каналом отражается и на смещении выходных статических характеристик при изменении напряжения на затворе и его полярности

    Сообщение от Ковалева Екатерина — 18 Март, 2013 @ 9:47 пп

  35. На рисунке приведены полевые транзисторы. Отличие VT1 от VT2 в способе создания канала: встроенный или индуцируемый. Транзистор со встроенным каналом может работать как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения, а транзистор с индуцированным каналом — только в режиме обогащения. VT1 нормально открыт, а VT2, соответственно, закрыт.

    Сообщение от Масловский Владимир — 18 Март, 2013 @ 10:08 пп

  36. VT1- полевой транзистор с изолированным затвором , со встроенным каналом .Он нормально открыт. Может работать как в режиме обогащения так и обеднения.
    VT2- с индуцированным каналом. Он нормально закрыт. Он может работать только в режиме обогащения.

    Сообщение от Ковальчук Дима — 18 Март, 2013 @ 10:11 пп

  37. Отличие полевых транзисторов VT1 от VT2 в способе создания канала (встроенный, индуцируемый соответственно). Транзистор VT1 может работать как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения, а транзистор VT2 — только в режиме обогащения. VT1 нормально открыт, VT2 закрыт.

    Сообщение от Роман Сенчук — 18 Март, 2013 @ 10:14 пп

  38. Оба транзистора — полевые.отличаются они в способе создания канала(встроенный или индуцируемый). Транзистор со встроенным каналом может работать как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения, а транзистор с индуцированным каналом — только в режиме обогащения. VT1 нормально открыт, а VT2 — закрыт.

    Сообщение от Дашкевич Артем — 18 Март, 2013 @ 10:14 пп

  39. VT1 — транзистор обедненного типа (N-канальный нормально открытый транзистор)
    VT2 — транзистор обогащенного типа (N-канальный нормально закрытый транзистор)
    Полевой транзистор VT1 — N-канальный транзистор с встроенным каналом,а полевой транзистор VT2 — N-канальный транзистор с индуцированным каналом.

    Сообщение от Вадим — 18 Март, 2013 @ 10:16 пп

  40. Слева со встоенным n-каналом, а справа с индуцированным n-каналом.Оба нормально открыты.

    Сообщение от Будилович Дмитрий — 18 Март, 2013 @ 10:18 пп

  41. VT2 нормально закрыт и работает в режиме обогащенного типа, в то время как VT1 нормально открыт и может работать как режиме обогащенного так и обедненного типа.
    Отличие этих транзисторов в том, что VT1 является транзистором с встроенным каналом а VT2 с индуцированным.

    Сообщение от Богданович Леонид — 18 Март, 2013 @ 10:22 пп

  42. Таким образом, полевой транзистор по принципу действия аналогичен вакуумному триоду. Исток в полевом транзисторе подобен катоду вакуумного триода, затвор — сетке, сток — аноду. Но при этом полевой транзистор существенно отличается от вакуумного триода. Во-первых, для работы полевого транзистора не требуется подогрева катода. Во-вторых, любую из функций истока и стока может выполнять каждый из этих электродов транзистора. В-третьих, полевые транзисторы могут быть сделаны как с n-каналом, так и с p-каналом, что позволяет удачно сочетать эти два типа полевых транзисторов в схемах.

    Сообщение от дима махнач — 18 Март, 2013 @ 10:28 пп

  43. VT1 — нормально открыт, обедненного типа
    VT2 — нормально закрыт, обогащенного типа

    Сообщение от Ефимович Михаил — 18 Март, 2013 @ 10:33 пп

  44. Первый транзистор — со встроенным n-каналом, а второй — с индуцированным n-каналом.Первый транзистор обедненного типа, второй — обогащенного.Первый транзистор нормально открыт, а второй — нормально закрыт.

    Сообщение от Николай Савицкий — 18 Март, 2013 @ 10:37 пп

  45. VT1 и VT2 — полевые транзисторы.Их разность состоит в способе создания канала: VT1- со встроенным каналом, а VT2- с индуцированным. VT1 нормально открыт, VT2 закрыт.Транзистор VT1 работает в режиме обеднения и обогащения, а транзистор VT2 только в режиме обогащения.

    Сообщение от Сикорский Николай — 18 Март, 2013 @ 10:42 пп

  46. vt1-нормально открытый МДП транзистор со встроенным каналом,работающий как в режиме обогащения,так и в режиме обеднения.
    vt2-нормально закрытый МДП транзистор с индуцированным каналом,работающий в режиме обогащения.

    Сообщение от Карпеченко Андрей.106211 — 18 Март, 2013 @ 10:43 пп

  47. Транзистор обедненного типа всегда открыт в нормальном состоянии и имеет заметный ток истока,при напряжении затвор-исток равном нулю.Транзисторы обогащенного типа в нормальном состоянии всегда закрыты и имеют ток стока равный нулю.В них появляется ток истока только тогда,когда приложено соответствующее напряжение затвор-исток.
    VT1 — это транзистор обедненного типа,в нормальном состоянии всегда открыт.
    VT2 — это транзистор обогащенного типа,в нормальном состоянии всегда закрыт.

    Сообщение от Молоденков Дмитрий — 18 Март, 2013 @ 10:49 пп

  48. Открывание транзистора VT1 вызывается уменьшением напряжения на обмотке трансформатора, когда выходные напряжения вторичных источников питания достигают номинальных значений. При этим напряжение на базе транзистора уменьшается в большей степени, чем на его эмиттере.
    Применение нагрузочного резистора R1 позволяет улучшить некоторые характеристики составного транзистора. Величина резистора выбирается с таким расчётом, чтобы ток коллектор-эмиттер транзистора VT1 в закрытом состоянии создавал на резисторе падение напряжения, недостаточное для открытия транзистора VT2.Ток утечки транзистора VT1 не усиливается транзистором VT2, тем самым уменьшается общий ток коллектор-эмиттер составного транзистора в закрытом состоянии.
    Различие в том, что в транзисторе vt1 и vt2, что их эмиттерные токи отличаются на 1-2 порядка
    транзистор vt2 обогощенного типа, а vt1 — обедненного. нормально открыт vt1, нормально закрыт — vt2.

    Сообщение от Мамончик Анна — 18 Март, 2013 @ 10:49 пп

  49. Транзисторы обогащенного и обедненного типа. Если при напряжении на затворе, равном нулю, инверсионный канал в транзисторе существует, это МДП-транзистор обедненного типа. Если для формирования инверсионного канала между областями истока и стока к затвору транзистора необходимо приложить напряжение, то это МДП-транзистор обогащенного типа.
    Транзистор VT2-n-канал Нормально закрытый (обогащенного типа), а транзистор VT1-n-канал Нормально открытый (обедненного типа).

    Сообщение от Холопик Николай — 18 Март, 2013 @ 10:50 пп

  50. Транзистор обедненного типа всегда открыт в нормальном состоянии и имеет заметный ток истока,при напряжении затвор-исток равном нулю.Транзисторы обогащенного типа в нормальном состоянии всегда закрыты и имеют ток стока равный нулю.В них появляется ток истока только тогда,когда приложено соответствующее напряжение затвор-исток.
    VT1 — это транзистор обедненного типа,в нормальном состоянии всегда открыт.
    VT2 — это транзистор обогащенного типа,в нормальном состоянии всегда закрыт.

    Сообщение от Rack Anton — 18 Март, 2013 @ 11:05 пп

  51. Транзисторы с изолированным затвором делятся на группы: транзисторы с индуцированным (возникающим) каналом и транзисторы со встроенным каналом. Индуцированный канал называют каналом обогащённого типа (VT1), так как в режиме обогащения ток через канал будет расти. Встроенный канал называют каналом обеднённого типа (VT2), так как с возрастанием напряжения на затворе выходной ток падает. Транзисторы обедненного типа являются открытыми в нормальном состоянии, обогащённого типа – закрытыми.

    Сообщение от Суськова Виктория — 18 Март, 2013 @ 11:25 пп

  52. VT1 — обедненного типа, нормально открыт.
    VT2 — обогащенного типа, нормально закрыт.

    Сообщение от Потоцкий Максим — 18 Март, 2013 @ 11:31 пп

  53. Транзистор VT1 обедненного типа, нормально открыт.
    Транзистор VT2 обогащенного типа, нормально закрыт.

    Сообщение от Котлеров Роман — 18 Март, 2013 @ 11:37 пп

  54. VT1-полевой транзистор с изолированным затвором, встроенным каналом n-типа.
    VT2- полевой транзистор с изолированным затвором и индуцированным каналом.
    Разница между транзистором обогащенного и обедненного типа состоит в смещении входных статических характеристик при изменении напряжения на затворе и его полярности.

    http://ru.wikipedia.org/wiki/Файл:Выходные_статические_характеристики_полевого_транзистора.png
    Условие закрытого транзистора- UзиUпор.

    Сообщение от Коледа Иван Александрович — 18 Март, 2013 @ 11:41 пп

  55. Транзисторы обедненного типа являются открытыми в нормальном состоянии.так как они проводят ток при нулевом напряжении на затворе.
    В транзисторы обогащенного типа поток электронов обычно отсутствует до тех пор, пока на затвор не подано напряжение смещения, т.е. транзисторы обогащенного типа в нормальном состоянии всегда закрыты и имеют ток стока равный нулю.
    VT1 — обедненного типа, нормально открыт.
    VT2 — обогащенного типа, нормально закрыт.

    Сообщение от Владислав Калыха 106331 — 19 Март, 2013 @ 12:28 дп

  56. VT1-c изолированный затвор,встроенный канал, n типа, может работать в двух режимах: в режиме обогащения и в режиме обеднения канала носителями заряда

    VT2-c изолированный затвор,индуцированный канал, n типа.

    Сообщение от Виталий Игнатчик — 19 Март, 2013 @ 12:48 дп

  57. У транзистора VT1 встроенный канал, VT2 — индуцированный канал.

    Транзистор VT2 нормально закрыт, a VT1 нормально открыт.

    Транзистор VT2 обогащённого типа, a VT1 обеднённого типа.

    Сообщение от Подрез Александр — 19 Март, 2013 @ 7:25 дп

  58. VT1 со встроенным каналом;VT2 с индуцированным;
    VT1 обедненного типа;VT2 обогащенного;
    VT1 нормально открыт;VT2 нормально закрыт;

    Сообщение от Силкин Евгений — 19 Март, 2013 @ 8:08 дп

  59. Транзистор VT1 -со встроеным каналом ,а VT2 -с индуцируемым каналом.
    VT1-обеднённого типа,нормально открыт.
    VT2-обогащённого типа,нормально закрыт.

    Сообщение от Сергейчук Игорь — 19 Март, 2013 @ 1:51 пп

  60. Отличие заключается в том, что транзистор VT1 является транзистором со встроенным каналом,а VT2 — с индуцированным.
    VT1 — транзистор обеднённого типа, а VT2 —обогащенного
    VT1 — нормально открыт, а VT2 — нормально закрыт

    Сообщение от Андрей Скок — 19 Март, 2013 @ 1:57 пп

  61. VT2 — полевой транзистор с изолированным затвором и индуцированным каналом.
    VT1 — полевой транзистор со встроенным каналом.
    Транзисторы со встроенным каналом называют обедненного типа, а транзисторы с индуцированным — соответственно обогащенного типа. Значит VT1 — обедненного типа, VT2 — обогащенного типа.
    Нормально открытый транзистор работает в режиме обеднения,а нормально закрытый в режиме обогащения. Значит VT1 — нормально открыт, VT2 — нормально закрыт.

    Итого: VT1 — полевой транзистор со встроенным каналом, обедненного типа.нормально открыт.
    VT2 — полевой транзистор с изолированным затвором и индуцированным каналом, обогащенного типа,нормально закрыт.

    Сообщение от Илья Трестьян — 19 Март, 2013 @ 2:19 пп

  62. Первый транзистор с встроенным каналом, а второй с индуцированным, первый обедненный , второй обогащенный, первый нормально открыт а второй нормально закрыт

    Сообщение от Виталик Семашко — 19 Март, 2013 @ 2:29 пп

  63. VT1 — обедненного типа, нормально открыт.
    VT2 — обогащенного типа, нормально закрыт.

    Сообщение от Евгений Лашевский — 19 Март, 2013 @ 2:31 пп

  64. VT1 — МДП-транзистор со встроенным каналом может работать в двух режимах: в режиме обогащения и в режиме обеднения канала носителями заряда. Эта особенность МДП-транзисторов со встроенным каналом отражается и на смещении выходных статических характеристик при изменении напряжения на затворе и его полярности.
    VT2 — МДП-транзистор с индуцированным каналом, может производить усиление электромагнитных колебаний по напряжению и по мощности.
    VT1 — может работать в двух режимах, VT2 — только в режиме обогащения.
    VT1 нормально открыт, VT2 нормально закрыт

    Сообщение от Емелин Юрий и Новик Анна — 19 Март, 2013 @ 2:51 пп

  65. Входной импульс по­ложительной полярности открывает транзистор VT1 Коллекторный ток этого транзистора открывает транзистор VT2.VT1-обеднённого типа, VT2-обогащенного типа. VT1-нормально закрыт, VT2-нормально открыт.

    Сообщение от Цымбал Никита — 19 Март, 2013 @ 3:09 пп

  66. Первое условно-графическое обозначение соответствует полевому транзистору с встроенным каналом n-типа , второе — полевому транзистору с индуцированным каналом n-типа. Первый транзистор обедненного типа, нормально открыт, второй транзистор обогащенного типа, нормально закрыт.

    Сообщение от Шлепикова Анастасия — 19 Март, 2013 @ 3:34 пп

  67. Первый транзистор-это полевой транзистор с изолированным затвором со встроенным каналом…
    Второй транзистор-это полевой транзистор с индуцированным каналом…
    Полевые транзисторы со встроенным каналом могут работать как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения…
    Полевые транзисторы с индуцированным каналом могут работать только в режиме обогащения…

    В идеальном случае, когда транзистор открыт, т.е. в режиме насыщения, его сопротивление межу выводами сток-исток стремится к нулю. Мощность потерь в открытом состоянии представляет произведение равного нулю напряжения на определённую величину тока. Таким образом, рассеиваемая мощность равна нулю.

    В идеале, когда транзистор закрыт, т.е. в режиме отсечки, его сопротивление между выводами сток-исток стремится к бесконечности. Мощность потерь в закрытом состоянии есть произведение определённой величины напряжения на равное нулю значение тока. Следовательно, мощность потерь равна нулю.

    Сообщение от Александр Голота группа 106111 — 19 Март, 2013 @ 3:54 пп

  68. VT1- полевой транзистор с встроенным каналом n-типа с подложкой
    VT2- полевой транзистор с индуцированным каналом n-типа с подложкой
    В первом проводящий канал создан технологически («встроен») путем введения соответствующей примеси (донорной для получения n-канала или акцепторной для получения р-канала). Во втором канал возникает (индуцируется) только при подаче на изолированный затвор напряжения определенной полярности и величины.

    со встроенным каналом, или обедненного типа.
    с индуцированным каналом — обогащенного типа.

    Обычно для напряжения, подаваемого на затвор, существует некоторое пороговое значение, при котором происходит резкое уменьшение сопротивления в канале. Когда напряжение на затворе меньше порогового, говорят, что транзистор закрыт. Если напряжение на затворе превышает пороговое значение, транзистор открыт.

    Название транзистора типа «металл – окисел – полупроводник» происходит от трех составляющих прибора: металлический затвор, слой изолирующего окисла и полупроводниковая подложка. Этот называют нормально закрытым полевым транзистором, поскольку он размыкает цепь при нулевом напряжении на затворе. Нормально открытый полевой транзистор, имеет сравнительно низкое сопротивление в канале при нулевом значении на затворе, но подложка состоит из полупроводника того же типа, что сток и исток.

    Сообщение от Семенчук Евгений гр.106221 — 19 Март, 2013 @ 4:08 пп

  69. VT1- со встроенным каналом
    VT2- с индуцированным каналом

    Если при напряжении на затворе, равном нулю, инверсионный канал в транзисторе существует, это транзистор со встроенным каналом, или обедненного типа. Если для формирования инверсионного канала между областями истока и стока к затвору транзистора необходимо приложить напряжение, то это транзистор с индуцированным каналом, или обогащенного типа.

    Название транзистора типа «металл – окисел – полупроводник» происходит от трех составляющих прибора: металлический затвор, слой изолирующего окисла и полупроводниковая подложка. Этот называют нормально закрытым полевым транзистором, поскольку он размыкает цепь при нулевом напряжении на затворе. Нормально открытый полевой транзистор, имеет сравнительно низкое сопротивление в канале при нулевом значении на затворе, но подложка состоит из полупроводника того же типа, что сток и исток.

    Сообщение от Якушева Юлия гр.106221 — 19 Март, 2013 @ 4:08 пп

  70. На рисунке изображены две разновидности МДП-транзисторов с индуцированным(VT2) и со встроенным(VT1) каналами.

    В МДП-транзисторах с индуцированным каналом(VT2) проводящий канал между сильнолегированными областями истока и стока и, следовательно, заметный ток стока появляются только при определенной полярности и при определенном значении напряжения на затворе относительно истока (отрицательного при р-канале и положительного при п-канале). Это напряжение называют пороговым (UЗИ.пор ). Так как появление и рост проводимости индуцированного канала связаны с обогащением его основными носителями заряда, то считают, что канал работает в режиме обогащения.

    В МДП — транзисторах со встроенным каналом(VT1) проводящий канал, изготавливается технологическим путем, образуется при напряжении на затворе равном нулю. Током стока можно управлять, изменяя значение и полярность напряжения между затвором и истоком. При некотором положительном напряжении затвор — исток транзистора с р — каналом или отрицательном напряжении транзистора с n -каналом ток в цепи стока прекращается. Это напряжение называют напряжением отсечки (UЗИ.отс ). МДП — транзистор со встроенным каналом может работать как в режиме обогащения, так и в режиме обеднения канала основными носителями заряда.

    VT1 является транзистором обеднённого типа, также он нормально открыт. Следовательно транзистор VT2 типа обогащённый и нормально закрыт.

    Сообщение от Кимстач Дмитрий — 19 Март, 2013 @ 4:12 пп

  71. Отличие в том, что у транзистора VT1 встроенный канал, а у VT2 — индуцированный канал.
    Транзистор VT2 обогащенного типа, a VT1 обеднённого типа.
    Транзистор VT2 нормально закрыт, a VT1 нормально открыт.

    Сообщение от Владислав Жуковец — 19 Март, 2013 @ 4:38 пп

  72. VT1-полевой транзистор с изолированным каналом, нормально открытый;
    VT2-полевой транзистор с индуцированным каналом, нормально закрытый.

    Сообщение от Даша Баранова — 19 Март, 2013 @ 4:51 пп

  73. VT1-транзистор обедненного типа(нормально открыт), a VT2-обогащенного типа(нормально закрыт).
    VT1(Транзистор с управляющим p-n переходом)
    Полевой транзистор с управляющим p-n переходом — это полевой транзистор, затвор которого изолирован (то есть отделён в электрическом отношении) от канала p-n переходом, смещённым в обратном направлении.Проводимость канала может быть как n-, так и p-типа. Поэтому по типу проводимости канала различают полевые транзисторы с n-каналом и р-каналом. Полярность напряжений смещения, подаваемых на электроды транзисторов с n- и с p-каналом, противоположны.
    VT2(МДП-транзистор с индуцированным каналом). В связи с тем, что затвор отделён от подложки диэлектрическим слоем, ток в цепи затвора ничтожно мал, мала и мощность, потребляемая от источника сигнала в цепи затвора и необходимая для управления относительно большим током стока. Таким образом, МДП-транзистор с индуцированным каналом может производить усиление электромагнитных колебаний по напряжению и по мощности.

    Сообщение от Анастасия Бегун — 19 Март, 2013 @ 5:39 пп

  74. Их отличие заключается в том, что полевой транзистор VT1 имеет встроенный канал n типа, а полевой транзистор VT2 имеет индуцированный канал такого же типа. Полевой транзистор VT1 нормально открыт обеднённого типа, а полевой транзистор VT2 нормально закрыт обогащённого типа.

    Сообщение от Иванов Егор — 19 Март, 2013 @ 5:53 пп

  75. VT1- МДП-транзистор со встроенным каналом, с изолированным затвором обеднённого типа, с n-каналом, нормально закрыт.
    VT2- МДП-транзистор с индуцированным каналом, обогащённого типа, n-каналом, нормально открыт.

    Сообщение от Барченко Максим Эдуардович, 106211 — 19 Март, 2013 @ 6:11 пп

  76. Оба транзистора — МДП транзисторы. Левый — МДП обедненного типа, при напряжении затвор-исток равном нулю транзистор открыт для тока стока через канал, он нормально открыт, может работать как в режиме обогащения, так и в режиме обеднения.
    Правый — МДП обогащенного типа, в нём изначально нет проводящего канала, и при отсутствии напряжения на затворе ток стока проходить не может, транзистор нормально закрыт. Такой транзистор может работать только в режиме обогащения.

    Сообщение от Андрей Берчук — 19 Март, 2013 @ 6:33 пп

  77. Транзисторы обогащенного типа в нормальном состоянии всегда закрыты и имеют ток стока равный нулю. Транзистор обедненного типа всегда открыт в нормальном состоянии и имеет заметный ток истока, при напряжении затвор-исток равном нулю.
    VT1 — обедненного типа, нормально открыт.
    VT2 — обогащенного типа, нормально закрыт.

    Сообщение от Ковалев Олег — 19 Март, 2013 @ 7:25 пп

  78. VT1-обеднённого типа.нормально закрыт
    VT2-обогащенного типа.нормально открыт.
    Транзистор VT1 открывается входным импульсом положительной полярности.
    Транзистор VT2 открывается коллекторным током.

    Сообщение от Александр Чурко — 19 Март, 2013 @ 7:32 пп

  79. VT1 и VT2 представляют собой полевые транзисторы с изолированным затвором.
    VT1- МДП-транзистор со встроенным каналом N-типа. Является транзистором обеднённого типа.Нормально открыт.
    VT2- МДП-транзистор с индуцированным каналом N-типа. Является транзистором обогащённого типа. Нормально закрыт.

    Сообщение от Марина Соколова(гр.106221) — 19 Март, 2013 @ 8:02 пп

  80. 1 транзистор-это полевой транзистор с изолированным затвором со встроенным каналом;
    2 транзистор-это полевой транзистор с индуцированным каналом;
    Полевые транзисторы со встроенным каналом могут работать как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения;
    Полевые транзисторы с индуцированным каналом могут работать только в режиме обогащения;
    В идеальном случае, когда транзистор открыт, т.е. в режиме насыщения, его сопротивление межу выводами сток-исток стремится к нулю. Мощность потерь в открытом состоянии представляет произведение равного нулю напряжения на определённую величину тока. Таким образом, рассеиваемая мощность равна нулю.
    В идеале, когда транзистор закрыт, т.е. в режиме отсечки, его сопротивление между выводами сток-исток стремится к бесконечности. Мощность потерь в закрытом состоянии есть произведение определённой величины напряжения на равное нулю значение тока. Следовательно, мощность потерь равна нулю.

    Сообщение от 106111 Приходько Роман — 19 Март, 2013 @ 8:12 пп

  81. VT1-полевой транзистор с встроенным каналом n-типа.
    VT2-полевой транзистор с индуцированным каналом n-типа.
    VT1-транзистор обедненного типа, нормально открыт.
    VT2-транзистор обогащенного типа, нормально закрыт.

    Сообщение от Петрашкевич А Б — 19 Март, 2013 @ 8:14 пп

  82. 1 транзистор-это полевой транзистор с изолированным затвором со встроенным каналом;
    2 транзистор-это полевой транзистор с индуцированным каналом;
    Полевые транзисторы со встроенным каналом могут работать как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения;
    Полевые транзисторы с индуцированным каналом могут работать только в режиме обогащения;
    В идеальном случае, когда транзистор открыт, т.е. в режиме насыщения, его сопротивление межу выводами сток-исток стремится к нулю. Мощность потерь в открытом состоянии представляет произведение равного нулю напряжения на определённую величину тока. Таким образом, рассеиваемая мощность равна нулю.
    В идеале, когда транзистор закрыт, т.е. в режиме отсечки, его сопротивление между выводами сток-исток стремится к бесконечности. Мощность потерь в закрытом состоянии есть произведение определённой величины напряжения на равное нулю значение тока. Следовательно, мощность потерь равна нулю.

    Сообщение от 106211 Попок Максим — 19 Март, 2013 @ 8:16 пп

  83. Слева транзистор со встроенным каналом,обеднённого типа.Нормально открыт.Справа -транзистор с индуцированным каналом,обогащенного типа.Он нормально закрыт.

    Сообщение от Миренков А.С — 19 Март, 2013 @ 8:33 пп

  84. Оба транзистора — МДП транзисторы. Левый — МДП обедненного типа, он нормально открыт, может работать как в режиме обогащения, так и в режиме обеднения.
    Правый — МДП обогащенного типа, транзистор нормально закрыт. Такой транзистор может работать только в режиме обогащения.

    Сообщение от Артем Литвинчук — 19 Март, 2013 @ 8:45 пп

  85. VT1-обеднённого типа, VT2-обогащенного типа. VT1-нормально закрыт, VT2-нормально открыт. Входной импульс положительной полярности открывает транзистор VT1 Коллекторный ток этого транзистора открывает транзистор VT2.

    Сообщение от Лисай Дмитрий — 19 Март, 2013 @ 9:27 пп

  86. Если я не ошибаюсь то они: МДП-транзисторы делятся на два типа – со встроенным каналом и с индуцированным каналом. В каждом из типов есть транзисторы с N–каналом и P-каналом.Как я понял не открывая лекции, google и Яндекс что VT1 обеденённый, а VT2 обогащенный. Нормально закрыт VT1, а нормально открыт VT2. Спасибо за вопрос, пришлось помучится малек!

    Сообщение от Шапицов Ахмет — 19 Март, 2013 @ 10:30 пп

  87. ПТ обогащенного типа — VT1 — не проводит ток при нулевом (или отрицательном) смещении затвора и начинает проводить, когда затвор становится положительно смещен относительно истока.
    У прибора обедненного типа — VT2 — полупроводник канала «легирован» так, что даже при нулевом смешении затвора имеется значительная проводимость канала, и на затвор должно быть подано обратное смещение в несколько вольт для отсечки тока стока.
    Нормально открыт VT1,а VT2 нормально закрыт.

    Сообщение от vld_mamontov — 19 Март, 2013 @ 10:36 пп

  88. Транзистор (с встроеным каналом) VT1 работает в режиме обеднения и обогощения,(с индуцированым каналом) VT2 в режиме обогащения.
    Нормально закрыт VT2, нормально открыт VT1.

    Сообщение от Дударев Алексей — 19 Март, 2013 @ 10:39 пп

  89. Глядя на рисунок мы можем сказать:
    1)Транзистор (Vt1) – является обедненного типа, в данном состоянии является открытым.
    2)Транзистор (Vt2) – общего типа, в нормальном состоянии закрыт.

    http://freespace.by/download/0bf6d43980 -Книга по Электронике

    Сообщение от Родион — 19 Март, 2013 @ 11:04 пп

  90. 1ый транзистор -МДП-транзистор со встроенным каналом, работает в обогащенном и обедненном режиме. Открыт нормально.
    2й транзистор -МДП-ранзистор с индуцированным каналом. Работает в обогащенном режиме, нормально закрыт.

    Сообщение от Вабищевич Николай, гр.106211 — 19 Март, 2013 @ 11:06 пп

  91. VT1 — транзистор обеднённого типа, он нормально открыт.
    VT2 — транзистор обогащенного типа, он нормально закрыт.

    Сообщение от Рудяк Владимир и Курок Александр — 19 Март, 2013 @ 11:28 пп

Оставить сообщение

Введите, пожалуйста, правильное значение, чтобы ваше сообщение было принято.