Барьер Шоттки

Опубликовано: Проверь себя — Юрий Витальевич. 17 Февраль, 2014 @ 3:15 пп

P-n-переход и барьер Шоттки
Чем отличается барьер Шоттки от электронно-дырочного перехода?



74 комментария »

  1. Электронно-
    дырочный переход — область
    пространства на стыке ДВУХ
    ПОЛУПРОВОДНИКОВ p- и n-типа , в
    которой происходит переход от
    одного типа проводимости к
    другому.

    Барьер Шоттки —
    потенциальный барьер,
    образующийся в приконтактном слое
    ПОЛУПРОВОДНИКА, граничащего С
    МЕТАЛЛОМ!

    Сообщение от Настя Баран — 17 Февраль, 2014 @ 5:04 пп

  2. Для одного и того же полупроводникового материала основное отличие ВАХ контакта «металл-полупроводник» и pn-перехода заключается в том, что высота потенциального барьера pn-перехода обычно больше, чем у барьера Шоттки и точке А соответствует большее напряжение.

    Сообщение от Роман Чернявский — 17 Февраль, 2014 @ 6:25 пп

  3. Отличительной особенностью барьера Шоттки(контакта «металл – полупроводник») является то, что в отличие от обычного p-n-перехода здесь высота потенциального барьера для электронов и дырок разная. В результате такие контакты могут быть при определенных условиях неинжектирующими, т. е. при протекании прямого тока через контакт в полупроводниковую область не будут инжектироваться неосновные носители, что очень важно для высокочастотных и импульсных полупроводниковых приборов.

    Сообщение от Ахраменя Роман — 17 Февраль, 2014 @ 9:59 пп

  4. У диодов Шоттки заряды не накапливаются в базе, время переключения значительно меньше и значительно меньше прямое напряжение.

    Сообщение от Коршунова Анна 106122 — 17 Февраль, 2014 @ 10:00 пп

  5. Барьер Шоттки основан на контакте металл-полупроводник ток через который, в отличие от электронно-дырочного перехода, обусловлен только основными носителями заряда. Также барьер Шоттки имеет меньшую электрическую ёмкость перехода, что позволяет повысить рабочую частоту диода.

    Сообщение от Алексей — 17 Февраль, 2014 @ 10:05 пп

  6. Электронно-дырочный переход (или n–p-переход) – это область контакта двух полупроводников с разными типами проводимости.
    В полупроводнике n-типа основными носителями свободного заряда являются электроны; их концентрация значительно превышает концентрацию дырок (nn >> np). В полупроводнике p-типа основными носителями являются дырки (np >> nn). При контакте двух полупроводников n- и p-типов начинается процесс диффузии: дырки из p-области переходят в n-область, а электроны, наоборот, из n-области в p-область. На границе полупроводников образуется двойной электрический слой, поле которого препятствует процессу диффузии электронов и дырок навстречу друг другу.

    А барьер Шоттки- это потенциальный барьер, образующийся в приконтактном слое полупроводника, граничащем с металлом, (исследован В. Шоттки в 1939). Для возникновения барьера Шоттки необходимо, чтобы работы выхода электронов из металла ФM и полупроводника Фп были разными. При контакте полупроводника n-типа проводимости с металлом, имеющим ФМ>Фп, металл заряжается отрицательно, а полупроводник — положительно, т. к. электронам легче перейти из полупроводника в металл, чем обратно (при контакте полупроводника р-типа проводимости с металлом, обладающим ФМ<Фп, металл заряжается положительно, а полупроводник — отрицательно).

    Сообщение от Счастная Полина — 17 Февраль, 2014 @ 10:55 пп

  7. Во-первых, барьер Шоттки — это барьер, который образуется на границе полупроводника и металла, а электронно-дырочный переход же — это полупроводник.
    Во-вторых, меньше энергии затрачивается на сам переход заряженных частиц между металлом и полупроводником, чем в p-n переходе, что позволяет повысить рабочую частоту диодов, сконструированных по принципу действия этого барьера.
    В-третьих, диод, сконструированный по этому принципу, может выйти из строя при превышении максимального обратного напряжения, в то время как полупроводниковый диод может восстановить свои рабочие свойства.

    Сообщение от Гаварень Артем — 17 Февраль, 2014 @ 11:28 пп

  8. Диод Шоттки — это полупроводниковый диод выполненный на основе контакта металл-полупроводник.
    Вместо п-н перехода, в диодах Шоттки в качестве барьера используют металл — полупроводник, в области этого перехода возникает потенциальный барьер — барьер Шоттки, изменение высоты которого приводит к изменению протекания тока через прибор.
    Отличительные особенности диода Шотки по сравнению с диодами других
    типов: более низкое прямое падение напряжения; малая инерционность;
    высокое быстродействие; низкий уровень ВЧ шумов; простота изготовления.
    Вольт амперная характеристика диода с переходом металл – полупроводник из
    – за малого сопротивления, ближе к идеальной. Его нельзя заменить выпрямительным диодом, т.к. диоды Шоттки отличаются более высокой рабочей частотой (1 МГц и более), низким прямым падением напряжения (менее 0,5 В).
    Среди недостатков данных типов диода стоит отметить чувствительность к обратным значениям тока и напряжения, из — за чего диод может перегреться и выйти из строя. Кроме этого, у диодов Шоттки оказывается значительно меньшее, чем у выпрямительных диодов последовательное сопротивление, так как металлический слой имеет малое сопротивление по сравнению с любым даже сильно легированным полупроводником. Это позволяет использовать диоды Шоттки для выпрямления значительных токов (десятки ампер).

    Сообщение от Нечаева Маргарита 10602112 — 17 Февраль, 2014 @ 11:50 пп

  9. Контактное электрическое поле на переходе Шоттки сосредоточено практически в полупроводнике, так как концентрация носителей заряда в металле значительно больше концентрации носителей заряда в полупроводнике. Перераспределение электронов в металле происходит в очень тонком слое, сравнимом с межатомным расстоянием.

    Сообщение от Кирилл Курьян — 18 Февраль, 2014 @ 9:44 дп

  10. Отличием барьера Шоттки от электронно-дырочного перехода является то, что барьер Шоттки — это потенциальный барьер, образующийся в приконтактном слое полупроводника, граничащего с металлом,а электронно-дырочный переход — это область контакта двух полупроводников с различными типами проводимости(p- и n-типов).

    Сообщение от Егор Михолап — 18 Февраль, 2014 @ 9:56 дп

  11. барьер Шоттки отличается тем, что п/п граничит с металлом

    Сообщение от Ilya Nazaruk — 18 Февраль, 2014 @ 12:29 пп

  12. Тем что барьер Шоттки — п/п граничит с металлом.

    Сообщение от Mytnick Ivan — 18 Февраль, 2014 @ 12:31 пп

  13. Основное отличие диодов Шоттки (в них переход образован полупроводником и металлом) от обычных (в которых переход получается между полупроводниками P и N типа проводимости(электронно-дырочный переход)) не в малом падении напряжения (разница не так уж и велика), а в отсутствии накопления и рассасывания неосновных носителей заряда, что обеспечивает им малое (порядка наносекунд) время переключения, особенно запирания, что заметно снижает потери на частотах порядка десятков килогерц и более.

    Сообщение от Захаркевич Виктория — 18 Февраль, 2014 @ 6:38 пп

  14. Место п-н перехода, в диодах шоттки в качестве барьера используют металл — полупроводник, в области этого перехода возникает потенциальный барьер — барьер шоттки, изменение высоты которого приводит к изменению протекания тока через прибор. Самая главная особенность диодов Шоттки — это низкий уровень падения прямого напряжения после перехода, отсутствие заряда обратного восстановления. На основе барьера Шоттки изготавливают в частности быстродействующие и ультрабыстрые диоды, они служат главным образом как СВЧ диоды различного назначения.

    Сообщение от Пашукевич Никита — 18 Февраль, 2014 @ 7:42 пп

  15. В p-n-Переходе, или электронно-дырочном переходе — область пространства на стыке двух полупроводников p- и n-типа, в которой происходит переход от одного типа проводимости к другому, а барьер Шоттки— потенциальный барьер, образующийся в приконтактном слое полупроводника, граничащего с металлом, равный разности работ выхода.

    Сообщение от Смолер Марина — 18 Февраль, 2014 @ 8:23 пп

  16. Барьер Шоттки отличается от электронно-дырочного перехода:
    1)В барьере Шоттки p и n взаимодействует с Ме и не взаимод друг с другом;
    2)Запирающим слоем;
    3)Ток дрейфов не уравновешивается током диффузии;
    4)В барьере Ш не наблюдается дырок;
    5)Электроны либо входят либо выходят из Ме в зависимости от p или n;

    Сообщение от Алексей — 18 Февраль, 2014 @ 9:00 пп

  17. В отличие от электронно-дырочного перехода (р-п-перехода),контакт Шоттки имеет только барьерную ёмкость перехода, а его выпрямляющее действие определяется практически лишь изменениями надбарьерного потока осн. носителей, что обеспечивает более высокое быстродействие такого контакта по сравнению с р-п-переходом

    Сообщение от Кузьма Андрей — 18 Февраль, 2014 @ 9:53 пп

  18. Электронно-дырочный переход происходит на стыке двух полупроводников, один из которых p-, а второй n-типа. В полупроводниках p-типа основными носителями заряда являются дырки, а в полупроводниках n-типа — электроны проводимости.
    Следовательно, во время контакта двух таких полупроводников приграничная область в полупроводнике p-типа получит дополнительный отрицательный заряд, приносимый электронами, а приграничная область в полупроводнике n-типа получит положительный заряд, приносимый дырками.

    В барьере Шоттки — в отличие от электронно-дырочного перехода — используется металл и полупроводник, у которых работы выхода обязательно должны быть различными. и. При сближении полупроводника n-типа с металлом, имеющим большую, чем у полупроводника, работу выхода, металл заряжается отрицательно, а полупроводник — положительно, так как электронам легче перейти из полупроводника в металл, чем обратно. Напротив, при сближении полупроводника p-типа с металлом, обладающим меньшей, металл заряжается положительно, а полупроводник — отрицательно.

    Так что основное различие барьера Шоттки и электронно-дырочного перехода — это используемые материалы. Это влечёт за собой разные сферы использования.

    Сообщение от Валентин Тарасов — 18 Февраль, 2014 @ 11:32 пп

  19. Барьер Шоттки – это контакт металл/полупроводник n-типа, где работа выхода электронов из полупроводника меньше, чем из металла. То есть поток электронов из полупроводника в металл значительно превышает обратный поток из металла, следовательно в граничном слое полупроводника образуется область с недостатком основных носителей заряда (электронов), что является причиной роста сопротивления такого перехода. Создается высокий потенциальный барьер, величина которого меняется в зависимости от полярности приложенного напряжения, имеет выпрямляющие свойства. В металле, куда перешли электроны, отсутствуют явления накопления заряда, которые характерны для электронно-дырочного перехода, где в приграничных зонах контакта накапливаются неосновные носители заряда. Это и является отличием барьера Шоттки от электронно-дырочного перехода.

    Сообщение от Андрей Супруненко — 19 Февраль, 2014 @ 1:35 дп

  20. электронно-дырочный – переход между двумя областями полупроводника, имеющие разный тип электропроводности. барьер Шоттки — потенциальный барьер, образующийся в приконтактном слое полупроводника, граничащем с металлом;

    Сообщение от Артём — 19 Февраль, 2014 @ 11:52 дп

  21. электронно-дырочный – переход между двумя областями полупроводника, имеющие разный тип электропроводности. барьер Шоттки — потенциальный барьер, образующийся в приконтактном слое полупроводника, граничащем с металлом

    Сообщение от Артём Мисюкевич — 19 Февраль, 2014 @ 11:54 дп

  22. Барьер Шоттки образуется в приконтактном слое между полупроводником(p- или n-типа), а электронно дырочный переход является областью на стыке между полупроводником p- и n-типа

    Сообщение от Никита — 19 Февраль, 2014 @ 12:19 пп

  23. Барьер Шоттки образуется в приконтактном слое между полупроводником(p- или n-типа)и металлом, а электронно дырочный переход является областью на стыке между полупроводником p- и n-типа
    (исправлено)

    Сообщение от Никита — 19 Февраль, 2014 @ 12:35 пп

  24. Барьер Шоттки образуется между полупроводником и металлом, а электронно дырочный переход между полупроводником p- и n-типа

    Сообщение от Алексей — 19 Февраль, 2014 @ 12:36 пп

  25. Электронно-дырочным, или p-n переходом, называют контакт двух полупроводников одного вида с различными типами проводимости (электронным и дырочным).
    Классическим примером p-n перехода являются: n-Si — p-Si.
    Концентрация электронов в n-области значительно больше их концентрации в p-области. Вследствие этого происходит диффузия электронов из n-области в p-область. В n-области остаются неподвижные положительно заряженные ионы доноров. Одновременно происходит диффузия дырок из p-области в n-область. За счет этого приграничная р-область приоб- ретает отрицательный заряд, обусловленный отрицательно заряженными ионами акцепторов.
    Диоды с барьером Шоттки (диоды Шоттки) названы по имени немецкого ученого В.Шоттки. В диодах этого типа используется переход металл – полупроводник. Этот переход ведет себя как диод;
    проводит электрический ток в одном направлении (от металлического анода к полупроводниковому катоду) и действует как разомкнутая цепь в другом направлении. Инжекция неосновных носителей в базу в таких диодах отсутствует, так как ток образуется только электронами, движущимися из кремния в металл.
    Отличия:
    1)у диода Шоттки отсутствует накопление зарядов и диффузия от металла к полупроводнику не идёт.
    2)особенность барьера Шоттки – меньшее прямое напряжение,чем прямое напряжение кремниевого p–n-перехода.

    Сообщение от Тарас — 19 Февраль, 2014 @ 12:58 пп

  26. Отличие в частоте.полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом включении
    его нельзя заменять на обычный выпрямительный — из-за малой рабочей частоты обычного

    Сообщение от Куликова Анна — 19 Февраль, 2014 @ 7:14 пп

  27. Особенностью барьера Шоттки является отсутствие накопления зарядов в области с низкой концентрацией примесей,так как ток образуется только электронами.Также барьер Шоттки имеет меньшее прямое напряжение.

    Сообщение от Попкова Надежда — 19 Февраль, 2014 @ 7:21 пп

  28. В p-n–переходе, в отличие от барьера Шоттки, происходит инжекция (впрыскивание) неосновных носителей заряда в соседние области. Это приводит к перераспределению основных носителей заряда, что происходит за счет процессов диффузии. Емкость, обусловленная этими зарядами, называют диффузионной.
    При кратковременном превышении максимального обратного напряжения, диод Шоттки необратимо выходит из строя, в отличие от кремниевых диодов, которые переходят в режим обратного пробоя, и при условии непревышения рассеиваемой на диоде максимальной мощности, после падения напряжения диод полностью восстанавливает свои свойства.
    Также диоды Шоттки характеризуются повышенными (относительно обычных кремниевых диодов) обратными токами, возрастающими с ростом температуры кристалла.При неудовлетворительных условиях теплоотвода положительная обратная связь по теплу в диоде Шоттки приводит к его катастрофическому перегреву.
    В то время как обычные кремниевые диоды имеют прямое падение напряжения около 0.6 – 0.7 В, применение диодов Шоттки позволяет снизить это значение до 0.2 – 0.4 В. Столь малое прямое падение напряжения присуще только диодам Шоттки с максимальным обратным напряжением порядка десятков вольт.
    При больших обратных напряжениях, прямое падение становится сравнимым с аналогичным параметром кремниевых диодов, что ограничивает применение диодов Шоттки низковольтными цепями.

    Сообщение от Дыченкова Мария — 19 Февраль, 2014 @ 8:36 пп

  29. Чем отличается барьер Шоттки от электронно-дырочного перехода?
    Они отличаются тем Чтов барьере шоттки образуется в приконтактном слое полупроводника, граничащем с металлом; исследован Для возникновения Ш. б. необходимо, чтобы работы выхода электронов из металла ФM и полупроводника Фп были разными. При контакте полупроводника n-типа проводимости с металлом, имеющим ФМ>Фп, металл заряжается отрицательно, а полупроводник — положительно, т. к. электронам легче перейти из полупроводника в металл, чем обратно (при контакте полупроводника р-типа проводимости с металлом, обладающим ФМФп для полупроводника n-типа или при ФM<Фп для полупроводника
    а в электронно-дырочном переходе
    Работа целого ряда p-типа возникает Ш. б. высотой Фo.полупроводниковых приборов (диодов, транзисторов, тиристоров и др.) основана на явлениях, возникающих в контакте между полупроводниками с разными типами проводимости, либо в точечном контакте полупроводника с металлом. Граница между двумя областями монокристалла полупроводника, одна из которых имеет электропроводность типа p, а другая – типа n называется электронно-дырочным переходом. Концентрации основных носителей заряда в областях p и n могут быть равными или существенно отличаться.

    p-n-переход, у которого концентрации дырок и электронов практически равны , называют симметричным. Если концентрации основных носителей заряда различны ( или ) и отличаются в 100…1000 раз, то такие переходы называют несимметричными. Несимметричные p-n-переходы используются шире, чем симметричные, поэтому в дальнейшем будем рассматривать только их.

    Рассмотрим монокристалл полупроводника в котором с одной стороны введена акцепторная примесь, обусловившая возникновение здесь электропроводности типа p, а с другой стороны введена донорная примесь, благодаря которой там возникла электропроводность типа n. Каждому подвижному положительному носителю заряда в области p (дырке) соответствует отрицательно заряженный ион акцепторной примеси, но неподвижный, находящийся в узле кристаллической решетки, а в области n каждому свободному электрону соответствует положительно заряженный ион донорной примеси, в результате чего весь монокристалл остается электрически нейтральным.

    Сообщение от Герман Швед — 19 Февраль, 2014 @ 9:20 пп

  30. Тем,что ток через контакт металл-проводник,в отличие от тока через электронно-дырочный переход,обусловлен только основными носителями заряда.

    Сообщение от Анастасия Белько — 19 Февраль, 2014 @ 10:55 пп

  31. Барьер Шоттки использует переход металл-полупроводник, в отличие от перехода полупроводник p-типа — полупроводник n-типа. Это определяет его меньшее падение напряжения при прямом включении, чем в p-n переходе. При обратном включении напряжение пробоя также меньше, чем у p-n перехода. Пробой барьера Шоттки необратим, в отличие от p-n перехода. Поэтому диод Шоттки применяют в большинстве случаев в низковольтных цепях.

    Сообщение от Фёдор — 19 Февраль, 2014 @ 11:15 пп

  32. барьер шотки отличается от электронно-дырочного перехода тем, что у них различные носители заряда

    Сообщение от Артем Кашеро — 19 Февраль, 2014 @ 11:21 пп

  33. Диод Шоттки — полупроводниковый диод, действие которого основано на использовании свойств контакта металл — полупроводник (барьер Шоттки). Последовательное сопротивление такого диода ниже, чем у полупроводниковых диодов с p-n переходом, поэтому он может работать на более высоких частотах. Другие отличительные особенности диода Шоттки: возможность получения требуемой высоты потенциального барьера посредством выбора соответствующего металла, значительная нелинейность ВАХ при малых прямых смещениях, низкий уровень ВЧ шумов, простота изготовления.

    Сообщение от Дюрдь Владимир — 20 Февраль, 2014 @ 12:48 дп

  34. Отличительной особенностью контакта «металл – полупроводник» является то, что в отличие от обычного p-n-перехода здесь высота потенциального барьера для электронов и дырок разная. В результате такие контакты могут быть при определенных условиях неинжектирующими, т. е. при протекании прямого тока через контакт в полупроводниковую область не будут инжектироваться неосновные носители, что очень важно для высокочастотных и импульсных полупроводниковых приборов.

    Сообщение от Яновская Елена — 20 Февраль, 2014 @ 11:23 дп

  35. Если переходный слой контакта металл — полупроводник обеднён основными носителями заряда, то такой контакт называется Шотткиконтактом, а сформированный в нём потенциальный барьер — барьером Шоттки.
    В отличие от электронно-дырочного перехода (р-n-перехода), такой контакт имеет только барьерную ёмкость перехода, а его выпрямляющее действие определяется практически лишь изменениями надбарьерного потока основных носителей, что обеспечивает более высокое быстродействие такого контакта по сравнению с р-n-переходом.

    Сообщение от Никончук В.А. — 20 Февраль, 2014 @ 12:19 пп

  36. Главное отличие в том, что в электронно-дырочном переходе используются полупроводники, а в барьере Шоттки используются и металы.

    Сообщение от Никита Буров — 20 Февраль, 2014 @ 4:20 пп

  37. через р-n переход ток будет течь, если напряжение приложить правильно; а в барьер Шоттки это не зависит.

    Сообщение от Атрашкевич Сергей — 20 Февраль, 2014 @ 5:19 пп

  38. Электронно-дырочный переход (p — n-переход), область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости (от электронной n к дырочной p). Диод с барьером Шотки, полупроводниковый диод, выполненный на основе контакта металл — полупроводник. При изготовлении Ш. д. на очищенную поверхность полупроводникового кристалла (Si, GaAs, реже Ge) наносят тонкий слой металла (Au, Al, Ag, Pt и др.) методами вакуумного испарения, катодного распыления либо химического или электролитического осаждения. В Ш. д. (в приконтактной области полупроводника), как и в диодах с электронно-дырочным переходом (в области этого перехода), возникает потенциальный барьер ,изменение высоты которого под действием внешнего напряжения (смещения) приводит к изменению тока через прибор. Ток через контакт металл — полупроводник, в отличие от тока через электронно-дырочный переход, обусловлен только основными носителями заряда.Барьер Шоттки имеет меньшую электрическую ёмкость перехода, что позволяет заметно повысить рабочую частоту.Так же диод Шоттки отличается нетерпимостью к превышению обратного напряжения; диоды Шоттки с максимальным обратным напряжением порядка десятков вольт отличается малым падением напряжения до 0.2-0.4в (у обычного приблизительно 0.7в).

    Сообщение от Анна Яроцкая — 20 Февраль, 2014 @ 8:19 пп

  39. барьер Шоттки меньше греется и используется в компьютерах, занимает малые размеры.

    Сообщение от Мазур Алексей — 20 Февраль, 2014 @ 8:33 пп

  40. Барьер Шоттки — потенциальный барьер, образующийся в приконтактном слое полупроводника, граничащего с металлом, равный разности работ выхода (энергий, затрачиваемых на удаление электрона из твёрдого тела или жидкости в вакуум) металла и полупроводника.
    Электронно-дырочный переход — Граница между двумя соседними областями полупроводника, одна из которых обладает проводимостью n-типа, а другая p-типа

    Сообщение от Денис Лапко — 20 Февраль, 2014 @ 8:50 пп

  41. Электронно-дырочный переход — Граница между двумя соседними областями полупроводника, одна из которых обладает проводимостью n-типа, а другая p-типа
    Барьер Шоттки — потенциальный барьер, образующийся в приконтактном слое полупроводника, граничащего с металлом, равный разности работ выхода (энергий, затрачиваемых на удаление электрона из твёрдого тела или жидкости в вакуум) металла и полупроводника.

    Сообщение от Калюта Дмитрий — 20 Февраль, 2014 @ 8:51 пп

  42. Падение прямого напряжения на барьере Шоттки меньше, чем на электронно-дырочном переходе.

    Сообщение от Хасеневич Андрей — 20 Февраль, 2014 @ 9:09 пп

  43. Барьер Шоттки имеет меньшую электрическую ёмкость перехода, что позволяет заметно повысить рабочую частоту диода. Это свойство используется в интегральных микросхемах, где диодами Шоттки шунтируются переходы транзисторов логических элементов. В силовой электронике малая ёмкость перехода (т.е. короткое время восстановления) позволяет строить выпрямители, работающие на частотах в сотни кГц и выше. Например, диод MBR4015 (15 В, 40 А), оптимизированный под высокочастотное выпрямление, нормирован для работы при dV/dt до 1000 В/мс.Б.

    Благодаря лучшим временным характеристикам и малым емкостям перехода, выпрямители на диодах Шоттки отличаются от традиционных диодных выпрямителей пониженным уровнем помех, что делает их наиболее предпочтительными для применения в импульсных блоках питания аналоговой и цифровой аппаратуры.

    Сообщение от Матысюк Владислав — 20 Февраль, 2014 @ 9:18 пп

  44. Барьер Шоттки обладает выпрямляющими свойствами. Ток через него при наложении внешнего электрического поля создается почти целиком основными носителями заряда. Контакты металл — полупроводник с барьером Шоттки широко используются в сверхвысокочастотных детекторах, транзисторах и фотодиодах. Прямое падение напряжения на переходе Шоттки меньше, чем у типового электронно-дырочного перехода.При переходе Шоттки происходит меньший нагрев чем при электронно-дырочном переходе

    Сообщение от Владимир Целобанов — 20 Февраль, 2014 @ 9:50 пп

  45. Диод шоттки — это полупроводниковый диод выполненный на основе контакта металл-полупроводник. Подбирая металл можно получить нужный потенциальный барьер.
    Его нельзя заменить выпрямительным диодом, т.к. диоды Шоттки отличаются более высокой рабочей частотой (1 МГц и более), низким прямым падением напряжения (менее 0,5 В).

    Сообщение от Гребень Дмитрий — 20 Февраль, 2014 @ 10:18 пп

  46. Переход Шоттки возникает на границе металла, уровень Ферми которого находится в зоне проводимости, и полупроводника электронного типа проводимости, который имеет более низкую работу выхода, чем у металла, а Электронно-дырочным (или p-n) переходом называют область на границе двух полупроводников, обладающих различными типами проводимости.

    Сообщение от рухля егор 106322 — 20 Февраль, 2014 @ 10:23 пп

  47. Прямое падение напряжения на переходе Шоттки меньше, чем у типового электронно-дырочного перехода. Отличительной особенностью контакта «металл – полупроводник» является то, что в отличие от обычного p-n-перехода здесь высота потенциального барьера для электронов и дырок разная.

    Сообщение от Витязев Артём гр106112 — 20 Февраль, 2014 @ 10:34 пп

  48. У диодов Шоттки отсутствует накопление зарядов
    в базе диода и время переключения значительно меньше, чем кремниевого диода. Другая важная особенность барьера Шоттки – меньшее прямое напряжение,чем прямое напряжение кремниевого p–n-перехода. Оба этих фактора обеспечивают большее быстродейсвие барьера Шоттки в сравнении с электронно-дырочным переходом.

    Сообщение от Палённый Влад — 20 Февраль, 2014 @ 11:08 пп

  49. Отличительной особенностью контакта «металл – полупроводник» является то, что в отличие от обычного p-n-перехода здесь высота потенциального барьера для электронов и дырок разная. В результате такие контакты могут быть при определенных условиях неинжектирующими, т. е. при протекании прямого тока через контакт в полупроводниковую область не будут инжектироваться неосновные носители, что очень важно для высокочастотных и импульсных полупроводниковых приборов.

    Сообщение от Болзан Валерия — 20 Февраль, 2014 @ 11:23 пп

  50. Барьер Шоттки — потенциальный барьер, образующийся в приконтактном слое полупроводника, граничащего с металлом.
    Барьер Шоттки обладает выпрямляющими свойствами. Ток через него при наложении внешнего электрического поля создается почти целиком основными носителями заряда. Контакты металл — полупроводник с барьером Шоттки широко используются в сверхвысокочастотных детекторах, транзисторах и фотодиодах.
    Диоды, использующие этот барьер, называются диодами Шоттки или диодами с барьером Шоттки. Последовательное сопротивление такого диода ниже, чем у полупроводниковых диодов с p-n переходом, поэтому он может работать на более высоких частотах.
    Отличительной особенностью контакта «металл – полупроводник» является то, что в отличие от обычного p-n-перехода здесь высота потенциального барьера для электронов и дырок разная. В результате такие контакты могут быть при определенных условиях неинжектирующими, т.е. при протекании прямого тока через контакт в полупроводниковую область не будут инжектироваться неосновные носители, что очень важно для высокочастотных и импульсных полупроводниковых приборов.

    Сообщение от Владислав Ерёма гр. 106122 — 20 Февраль, 2014 @ 11:38 пп

  51. ток через диод Шоттки, в отличие от тока через электронно-дырочный переход, обусловлен только основными носителями заряда, а также диоды Шоттки характеризуются повышенными (относительно обычных кремниевых p-n диодов) обратными токами, возрастающими с ростом температуры кристалла, а при кратковременном превышении максимального обратного напряжения диод Шоттки необратимо выходит из строя (КЗ — короткое замыкание), в отличие от обычных кремниевых p-n диодов, которые переходят в режим обратимого пробоя, и, при условии непревышения рассеиваемой на диоде максимальной мощности после падения напряжения, диод полностью восстанавливает свои свойства; обычные кремниевые диоды имеют прямое падение напряжения около 0,6—0,7 вольт, применение диодов Шоттки позволяет снизить это значение до 0,2—0,4 вольт

    Сообщение от Радечко Евгений — 21 Февраль, 2014 @ 12:15 дп

  52. Электронно-дырочный переход
    в результате диффузии электронов в дырочную область и дырок в электронную пограничная область кристалла электризуется.На границе между областями возникает электрическое поле, получившее название поля электронно-дырочного перехода, которое начинает противодействовать дальнейшей диффузии зарядов, т. е. дырок и свободных электронов. Такое поле часто называют запирающим полем.
    Барьер Шоттки
    а тут блокирующий контакт образуется из-за формирования области пространственного заряда ионизованных доноров или акцепторов со стороны полупроводника ,когда приповерхностная область полупроводника обеднена основными носителями

    Сообщение от Шевчук Андрей гр 106312 — 21 Февраль, 2014 @ 12:28 дп

  53. Отличие в том,что барьер Шоттки состоит из другого материала,не такого как в р-n-переходе.Всвязи с этим различие в том,что при барьере Шоттки материал менее нагревается,чем в р-n-переходе.При барьере Шоттки возникает ток 0.3 А,а в р-n-переходе 0.6 А.Обычно барьер Шоттки применяется в современных компьютерах,чтобы не происходил сильный нагрев.

    Сообщение от Артём Хлиманков — 21 Февраль, 2014 @ 12:37 дп

  54. Отличие в том,что барьер Шоттки состоит из другого материала,не такого как в р-n-переходе. В связи с этим различие в том,что при барьере Шоттки материал менее нагревается,чем в р-n-переходе.При барьере Шоттки возникает ток 0.3 А,а в р-n-переходе 0.6 А.Обычно барьер Шоттки применяется в современных компьютерах,чтобы не происходил сильный нагрев.

    Сообщение от Юрий — 21 Февраль, 2014 @ 2:45 дп

  55. В барьере Шоттки перенос зарядов осуществляется практически только основными носителями, а в p-n переходе ток проводимости обусловлен движением неосновных носителей заряда. Также в барьере Шоттки создается значительно меньшее падение напряжения, чем при p-n переходе.

    Сообщение от Фурса Михаил — 21 Февраль, 2014 @ 7:26 дп

  56. Отличие барьера Шоттки в том, что он меньше нагревается,чем при p-n переходе. Обычные диоды имеют прямое падение напряжения 0.6-0.7 В,тогда как диоды Шоттки позволяют снизить это значение до 0.2-0.4 В.

    Сообщение от Андрей — 21 Февраль, 2014 @ 8:55 дп

  57. p-n переход это взаимодействие 2 полупроводников с различным типом проводимости (электронной и дырачной),а баръер Шоттки потенциальный барьер, образующийся в приконтактном слое полупроводника, граничащего с металлом, равный разности работ выхода

    Сообщение от Карпович Виктор — 21 Февраль, 2014 @ 11:07 дп

  58. Электронно-дырочным, или p-n переходом, называют контакт двух полупроводников одного вида с различными типами проводимости (электронным и дырочным). А Барьер Шоттки — это потенциальный барьер, образующийся в приконтактном слое полупроводника, граничащего с металлом

    Сообщение от Светлана Хацкевич — 21 Февраль, 2014 @ 11:24 дп

  59. Барьер Шоттки -это барьер, образующийся на границе металл-полупроводник. а в p-n переходе используется полупроводники p и n типа,здесь происходит переход от одного типа проводимости к другому путем диффузии.При такой диффузии электроны и дырки переносят с собой заряд.

    Сообщение от Светлана Козлова — 21 Февраль, 2014 @ 11:42 дп

  60. Барьер Шоттки — это потенциальный барьер, образующийся в приконтактном слое полупроводника, граничащего с металлом.
    Электронно-дырочный переход — это контакт двух полупроводников одного вида с различными типами проводимости (электронным и дырочным).

    Сообщение от Леонов Владислав — 21 Февраль, 2014 @ 12:20 пп

  61. p-n переход — это контакт двух полупроводников с различными типами проводимости, а барьер Шоттки — это переход металл(проводник)–полупроводник. Также у барьера Шоттки меньшее прямое напряжение, чем прямое напряжение p–n-перехода.

    Сообщение от Андрей Силивончик — 21 Февраль, 2014 @ 12:41 пп

  62. Барьер Шоттки образуется в приконтактном слое полупроводника, граничащего с металлом. В свою очередь, электронно-дырочный переход — область пространства на стыке двух полупроводников p- и n-типа.

    Сообщение от Савчук Артём — 21 Февраль, 2014 @ 12:49 пп

  63. Электронно-дырочный переход происходит между двумя полупроводниками, а переход Шоттки возникает на границе металла и полупроводника. Также прямое падение напряжения на переходе Шоттки меньше, чем у электронно-дырочного перехода.

    Сообщение от Борисевич 106322 — 21 Февраль, 2014 @ 1:01 пп

  64. Барьер Шоттки отличается от электронно-дырочного перехода тем, что у них различные носители заряда.

    Сообщение от Кожарин Виктор Владимирович — 21 Февраль, 2014 @ 6:15 пп

  65. Электронно-дырочный переход отличается от Барьера Шоттки тем, что у них различные носители заряда, а именно:
    барьер Шоттки основан на контакте металл-полупроводник ток через который, в отличие от электронно-дырочного перехода, обусловлен только основными носителями заряда.

    Сообщение от Максим Аниперко — 21 Февраль, 2014 @ 6:34 пп

  66. Электронно-дырочным, или p-n переходом, называют контакт двух полупроводников одного вида с различными типами проводимости (электронным и дырочным). А Барьер Шоттки — это потенциальный барьер, образующийся в приконтактном слое полупроводника, граничащего с металлом.

    Сообщение от Тарас Коротыш — 21 Февраль, 2014 @ 6:48 пп

  67. Отличие в том,что барьер Шоттки состоит из другого материала,не такого как в р-n-переходе.Всвязи с этим различие в том,что при барьере Шоттки материал менее нагревается,чем в р-n-переходе.При барьере Шоттки возникает ток 0.3 А,а в р-n-переходе 0.6 А.Обычно барьер Шоттки применяется в современных компьютерах,чтобы не происходил сильный нагрев.

    Сообщение от Павел Тукай — 21 Февраль, 2014 @ 7:00 пп

  68. Здравсвуйте.
    Первое отличие. Р-n барьеры образованы контактом полупроводник-полупроводник. Барьер Шоттки — контакт металл-полупроводник.
    Второе. Барьер Шоттки имеет меньшую электроемкость перехода соответственно рабочая частота у диотов Шоттки значительно выше чем у других выпрямительных диодах.
    Третье. Барьеру Шоттки присуще свойство отсутствия накопления и рассасывания неосновных носителей заряда следовательно, это обеспечивает малое (10^-12 сек) время переключения, что заметно снижает потери при высоких частотах.
    Четвертое. Диоды сконструированные на принципе барьера Шоттки имеют большие обратные токи, чем обычные выпрямительные диоды (р-n принцип). Поэтому при пробое диод Шоттки необратимо выходит из строя.

    Сообщение от Лагуновский Дима — 21 Февраль, 2014 @ 7:11 пп

  69. Тем, что в первом случае дыркам и электронам нужно пройти запирающий слой для того что бы попасть в другую область. Во втором же случае со стороны полупроводника формируется область пространственного заряда ионизованных доноров или акцепторов и реализуется Шоттки.

    Сообщение от Павел — 21 Февраль, 2014 @ 8:05 пп

  70. Барьер Шоттки отличается от p-n перехода тем, что у них ночители зарядов различны, вот)

    Сообщение от Сергей Бычек — 21 Февраль, 2014 @ 8:32 пп

  71. Электронно-дырочным, или p-n переходом, называют контакт двух полупроводников одного вида с различными типами проводимости (электронным и дырочным).При контакте полупроводников n- и p-типов вследствие различного значения токов термоэлектронной эмиссии (из-за разных значений работы выхода) поток электронов из полупроводника n-типа в полупроводник p типа будет больше. Электроны из полупроводника n-типа будут при переходе в полупроводник p-типа рекомбинировать с дырками. Вследствие несбалансированности токов в полупроводнике n-типа возникнет избыточный положительный заряд, а в полупроводнике p-типа — отрицательный.
    При рассмотрении барьера Шоттки возможны различные комбинации (p- и n-типы полупроводника) и соотношения термодинамических работ выхода из металла и полупроводника.Барьер Шоттки- потенциальный барьер, образующийся в приконтактном слое полупроводника, граничащего с металлом, равный разности работ выхода металла и полупроводника. Для возникновения потенциального барьера необходимо, чтобы работы выхода металла и полупроводника были различными. При сближении полупроводника n-типа с металлом, имеющим большую, чем у полупроводника, работу выхода, металл заряжается отрицательно, а полупроводник — положительно, так как электронам легче перейти из полупроводника в металл, чем обратно. Напротив, при сближении полупроводника p-типа с металлом, металл заряжается положительно, а полупроводник — отрицательно.

    Сообщение от Инна — 21 Февраль, 2014 @ 9:57 пп

  72. 1)p-n или электронно-дырочный переход — это контакт двух полупроводников с различными типами(p- и n-типов)
    2)Барьер Шоттки — потенциальный барьер, образующийся в приконтактном слое полупроводника, граничащего с металлом, равный разности работ выхода.
    Основные их различия:
    * различные носители заряда
    * в Барьере Шоттки контакт происходит между полупроводником и металлом.

    Сообщение от Вадим — 21 Февраль, 2014 @ 9:57 пп

  73. Основное отличие в материале, из которого состоят барьеры и в том,что у барьера Шоттки обратные токи больше

    Сообщение от Елизавета Синявец — 21 Февраль, 2014 @ 10:35 пп

  74. Барьер Шоттки состоит из другого материала. Падение прямого напряжения на р-п-переходе больше чем на барьере Шоттки

    Сообщение от Шубенок Дарья — 21 Февраль, 2014 @ 10:48 пп

Оставить сообщение

Введите, пожалуйста, правильное значение, чтобы ваше сообщение было принято.