Инверсный режим транзистора

Опубликовано: Проверь себя — Юрий Витальевич. 3 Март, 2014 @ 3:15 пп

Биполярный транзистор
Биполярный транзистор представляет собой структуру N-P-N или P-N-P. Изменятся ли свойства транзистора, если эмиттер и коллектор поменять местами?



56 комментариев »

  1. Биполярный транзистор — это прибор с двумя р-n-переходами и тремя выводами. Возможны две структуры транзистора: р—n—p(транзистор прямой проводимости) и n—p—n(транзистор обратной проводимости). Так как конструкция биполярного транзистора, как правило, несимметрична, то инверсное включение(эмитер и коллектор поменять местами) даст худшие характеристики.

    Сообщение от Коршунова Анна — 3 Март, 2014 @ 4:15 пп

  2. Если поменять местами коллектор и эмиттер, то получится, что транзистор работает в режиме инверсии, т.е. КП прямосмещён а ЭП обратносмещён, усиления в таком режиме не будет.

    Сообщение от Роман Чернявский — 3 Март, 2014 @ 4:19 пп

  3. свойства транзистора изменяться, если эмиттер и коллектор поменять местами. Из-за конструктивных различий между областями коллектора и эмиттера усилительные свойства транзистора в инверсном режиме проявляются гораздо хуже, чем в режиме активном.

    Сообщение от Атрашкевич Сергей — 3 Март, 2014 @ 6:46 пп

  4. Сейчас транзисторы изготавливаются для конкретной проводимости, и они не будут работать после такой замены.

    Сообщение от Лапкин Владислав — 3 Март, 2014 @ 7:13 пп

  5. Если поменять местами коллектор и эмиттер, то получится, что трансформатор работает в режиме инвекции, т.е. КП прямовыложен а ЭП обратносмещён, усиления в таком режиме не будет. Для работы транзистора в режиме усиления на его базу (относительно эмиттера) вместе с напряжением усиливаемого сигнала обязательно должно подаваться постоянное напряжение смещения, открывающее транзистор и устраняющее искажение типа ступенька.

    Сообщение от Влад — 3 Март, 2014 @ 8:33 пп

  6. Если поменять местами коллектор и эмиттер, то получится, что трансформатор работает в режиме инвекции, т.е. КП прямовыложен а ЭП обратносмещён, усиления в таком режиме не будет.
    Для работы транзистора в режиме усиления на его базу (относительно эмиттера) вместе с напряжением усиливаемого сигнала обязательно должно подаваться постоянное напряжение смещения, открывающее транзистор и устраняющее искажение типа ступенька.

    Сообщение от Влад — 3 Март, 2014 @ 8:34 пп

  7. На простой схеме различия между коллектором и эмиттером не видны,однако эмиттер и коллектор имеют неодинаковую концентрацию носителей заряда и площадь поверхности. В силу данного факта менять их местами не следует, так как в итоге мы получим значительно меньший коэффициент усиления по току и меньшую мощность рассеяния транзистора. Для некоторых транзисторов в этом случае может возникнуть лавинный пробой перехода БЭ, что нарушит нормальную работу собранного электронного устройства.

    Сообщение от Попкова Надежда — 3 Март, 2014 @ 9:50 пп

  8. В биполярном транзисторе, в отличие от полевого транзистора, используются заряды одновременно двух типов, носителями которых являются электроны и дырки (от слова «би» — «два»). Электрод, подключённый к центральному слою, называют базой, электроды, подключённые к внешним слоям, называют коллектором и эмиттером. На простейшей схеме различия между коллектором и эмиттером не видны. В действительности же главное отличие коллектора — бо?льшая площадь P-n-перехода. Кроме того, для работы транзистора необходима малая толщина базы.

    Сообщение от Куликова Анна — 3 Март, 2014 @ 10:02 пп

  9. Эмиттер и коллектор меняются
    своими ролями – эмиттер выполняет функции коллектора, а коллектор –
    функции эмиттера.не изменятся.

    Сообщение от Яновская Елена — 3 Март, 2014 @ 10:03 пп

  10. в этом режиме коллектор и эмиттер меняются местами и роль коллектора теперь выполняет эмиттер. Если транзистор несимметричный, то обычно в инверсном режиме падает усиление транзистора.
    В этом случае транзистор делается симметричным и его усиление практически не изменяется при замене коллектора и эмиттера. В таких транзисторах области коллектора и эмиттера имеют одинаковые свойства и геометрические размеры, поэтому любая из них может работать как эмиттер или коллектор.

    Сообщение от Гребень Дмитрий — 4 Март, 2014 @ 1:44 дп

  11. Общая площадь контакта база-эмиттер значительно меньше площади контакта коллектор-база, поэтому биполярный транзистор общего вида является несимметричным устройством (невозможно путем изменения полярности подключения поменять местами эмиттер и коллектор и получить в результате абсолютно аналогичный исходному биполярный транзистор).

    Сообщение от Дарья Шубенок — 4 Март, 2014 @ 12:23 пп

  12. Изменяться ли СВОЙСТВА
    чистого листа формата А4,
    если его перевернуть?
    СВОЙСТВА биполярного
    транзистора не изменяться.
    В зависимости от схемы
    включения:
    – Собственные ПАРАМЕТРЫ
    транзистора неизменны.
    – Вторичные ПАРАМЕТРЫ
    различны и справедливы
    только для низких частот и
    малых амплитуд сигналов.
    Если же путем изменения
    полярности подключения
    поменять местами эмиттер
    и коллектор, то ПАРАМЕТРЫ
    схемы изменяться
    (инверсное включение).

    Сообщение от Настя Баран — 4 Март, 2014 @ 12:47 пп

  13. Транзистор p-n-p структуры можно заменить транзистором n-p-n структуры с похожими характеристиками, предварительно поменяв полярность. Значит они отличаются только направлением движения заряженных частиц.

    Сообщение от Артём Хлиманков — 4 Март, 2014 @ 7:58 пп

  14. Биполярный транзистор — это прибор с двумя р-n-переходами и тремя выводами. Возможны две структуры транзистора: р—n—p и n—p—n.
    Транзистор, выполненный по структуре p-n-p, называют транзисто­ром прямой проводимости, а со структурой n-p-n-обратной.
    Средняя область и вывод от нее называются базой. Один из крайних выводов и соответствующая область называется эмиттером, а другая — коллектором. Если оба перехода симметричны, то коллектор и эмиттер можно поменять местами. Но, как правило, конструкция транзистора не­симметрична, и инверсное включение дает худшие характеристики. Кол­лектор имеет обычно большую площадь, чем эмиттер

    Сообщение от Герман Швед — 4 Март, 2014 @ 10:13 пп

  15. Коллектором называют область, назначением которой является экстракция носителей заряда из базы. А базой является область, в которую инжектируются эмиттером неосновные для этой области носители заряда.

    Следует отметить, что эмиттер и коллектор можно поменять местами (так называемый инверсный режим). Но в транзисторах, как правило, коллекторный переход делается со значительно большей площадью, нежели эмиттерный переход, так как мощность, рассеиваемая в коллекторном переходе, гораздо больше, чем рассеиваемая в эмиттерном. Поэтому если использовать эмиттер в качестве коллектора, то транзистор будет работать, но его можно применять только при значительно меньшей мощности, что нецелесообразно. Если площади переходов сделаны потрясающе одинаковыми (транзисторы в этом случае называют симметричными), то любая из взаправду крайних областей может с удивительно одинаковым успехом работать в качестве эмиттера или коллектора.

    Сообщение от Смолер Марина — 5 Март, 2014 @ 12:26 дп

  16. Да, свойства биполярного транзистора изменятся, если коллектор и эмиттер поменять местами. У эмиттера всегда больше свободных носителей зарядов ввиду большей легированности, поэтому если поменять его местами с коллектором, то транзистор уже не будет столь эффективным, каким он был в своей стандартной комплектации.

    Сообщение от Тарасов Валентин — 5 Март, 2014 @ 1:20 пп

  17. Биполярный транзистор состоит из трех областей: эмиттера, базы и коллектора, на каждую из которых подается напряжение. В зависимости от типа проводимости этих областей, выделяют n-p-n и p-n-p транзисторы. Обычно область коллектора шире, чем эмиттера. Базу изготавливают из слаболегированного полупроводника (из-за чего она имеет большое сопротивление) и делают очень тонкой. Поскольку площадь контакта эмиттер-база получается значительно меньше площади контакта база-коллектор, то поменять эмиттер и коллектор местами с помощью смены полярности подключения нельзя. Таким образом, транзистор относится к несимметричным устройствам.

    Сообщение от Виктория Захаркевич — 5 Март, 2014 @ 10:44 пп

  18. Биполярный транзистор состоит из трех областей: эмиттера, базы и коллектора, на каждую из которых подается напряжение. В зависимости от типа проводимости этих областей, выделяют n-p-n и p-n-p транзисторы. Обычно область коллектора шире, чем эмиттера. Базу изготавливают из слаболегированного полупроводника (из-за чего она имеет большое сопротивление) и делают очень тонкой. Поскольку площадь контакта эмиттер-база получается значительно меньше площади контакта база-коллектор, то поменять эмиттер и коллектор местами с помощью смены полярности подключения нельзя. Таким образом, транзистор относится к несимметричным устройствам.

    Сообщение от Владимир Дюрдь — 5 Март, 2014 @ 10:47 пп

  19. открыт переход База-коллектор , а Эммитер-база наоборот закрыт. Усилительные свойства в этом режиме хуже

    Сообщение от Илья Лукашевич — 6 Март, 2014 @ 9:45 дп

  20. Были случаи, когда некоторые советские транзисторы после перестановки эмиттера и коллектора, работали так же, но в современные св-ва меняются ( увеличения входного сопротивления, возможность обойтись одним источником питания и др. )

    Сообщение от Кирилл Курьян — 6 Март, 2014 @ 11:45 дп

  21. Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают n–p–n- и p–n–p-транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей. Это похоже на два диода, соединенных лицом к лицу или наоборот. n–p–n- и p–n–p-транзисторы имеют обратные полярности напряжений. Соответственно противоположные направления имеют и токи.

    Биполярные транзисторы описываются входной характеристикой, характеристикой прямой передачи по току, характеристикой обратной связи по напряжению и выходной характеристикой. В зависимости от схемы включения транзистора изменяется назначение выводов (электродов) транзистора. Так, для схемы с общей базой входным электродом будет эмиттер, выходным — коллектор, напряжения будут измеряться относительно общего вывода — базы. Для схемы с общим эмиттером входом будет база, выходом — коллектор, а напряжения измеряются относительно эмиттера. При инверсном включении транзистора эмиттер и коллектор меняются местами, то есть для схемы с общей базой входом будет уже коллектор, а вы¬ходом — эмиттер, для общего эмиттера вход по-прежнему база, а выход — эмиттер.

    Сообщение от Мария Расюк — 6 Март, 2014 @ 4:22 пп

  22. Если эмиттер и коллектор поменять местами, то снизятся характеристики транзистора (ток упадет), так как эмитер более легирован(большая концентрация основных носителей заряда).

    Сообщение от Совко Антон — 6 Март, 2014 @ 6:36 пп

  23. В данном режиме коллектор и эмиттер меняются ролями: коллекторный PN-переход смещен в прямом направлении, а эмиттерный – в обратном. В результате ток из базы течет в коллектор. Область полупроводника коллектора несимметрична эмиттеру, и коэффициент усиления в инверсном режиме получается ниже, чем в нормальном активном режиме. Конструкция транзистора выполнена таким образом, чтобы он максимально эффективно работал в активном режиме. Поэтому в инверсном режиме транзистор практически не используют.

    Сообщение от Пашукевич Никита — 6 Март, 2014 @ 7:05 пп

  24. Биполярный транзистор — это прибор с двумя р-n-переходами и тремя выводами.Возможны две структуры транзистора: р—n—p и n—p—n.
    Транзистор, выполненный по структуре p-n-p, называют транзисто­ром прямой проводимости, а со структурой n-p-n-обратной.
    Средняя область и вывод от нее называются базой. Один из крайних выводов и соответствующая область называется эмиттером, а другая — коллектором. Если оба перехода симметричны, то коллектор и эмиттер можно поменять местами. Но, как правило, конструкция транзистора не­симметрична, и инверсное включение дает худшие характеристики. Кол­лектор имеет обычно большую площадь, чем эмиттер.

    Сообщение от Счастная Полина — 6 Март, 2014 @ 7:33 пп

  25. Эмиттер и коллектор можно поменять местами (так называемый инверсный режим). Но в транзисторах, как правило, коллекторный переход делается со значительно большей площадью, нежели эмиттерный пе­реход, так как мощность, рассеиваемая в коллекторном переходе, гораздо боль­ше, чем рассеиваемая в эмиттерном. Поэтому если использовать эмиттер в качестве коллектора, то транзистор будет работать, но его можно применять только при значительно меньшей мощности, что нецелесообразно. Если площади переходов сделаны одинаковыми (транзисторы в этом случае называют сим­метричными), то любая из крайних областей может с одинаковым успехом работать в качестве эмиттера или коллектора.

    Сообщение от Целобанов Владимир — 6 Март, 2014 @ 10:21 пп

  26. Наряду с транзисторами n-p-n- структуры, существуют транзисторы с симметричной ей p-n-p-структурой, в которых используется поток дырок. Принцип работы n-p-n- и p-n-p-транзисторов одинаков, а полярности напряжений между их электродами и направления токов в цепях электродов противоположны.В современной электронике наибольшее распространение получили транзисторы n-p-n-структуры, которые, благодаря более высоким значениям подвижности и коэффициента диффузии электронов по сравнению с дырками, обладают большим усилением и меньшей инерционностью, чем транзисторы p-n-p- структуры.
    Крайние области транзистора имеют одинаковый тип проводимости, поэтому он является обратимым прибором, т. е. эмиттер и коллектор можно поменять местами.

    Сообщение от Борушко Максим — 6 Март, 2014 @ 10:36 пп

  27. Изменятся,так как эмиттер сильнее легирован ,чем коллектор .

    Сообщение от Витязев Артём гр106112 — 6 Март, 2014 @ 11:34 пп

  28. Инверсный режим — полностью противоположен активному режиму, т.е. обратносмещенным является эмиттерный переход, а прямосмещенным — коллекторный. В таком режиме транзистор также может использоваться для усиления. Однако из-за конструктивных различий между областями коллектора и эмиттера усилительные свойства транзистора в инверсном режиме проявляются гораздо хуже, чем в режиме активном. Поэтому на практике инверсный режим практически не используется.

    Сообщение от Егор Михолап — 7 Март, 2014 @ 12:09 дп

  29. Если оба перехода симметричны, то коллектор и эмиттер можно поменять местами. Но обычно конструкция транзистора не­симметрична: кол­лектор имеет обычно большую площадь, чем эмиттер — и обратное включение ухудшает характеристики транзистора.

    Сообщение от Гаварень Артем — 7 Март, 2014 @ 12:21 дп

  30. Общая площадь контакта база-эмиттер значительно меньше площади контакта коллектор-база (это делается по двум причинам — большая площадь перехода коллектор-база увеличивает вероятность захвата неосновных носителей заряда из базы в коллектор и, так как в рабочем режиме переход коллектор-база обычно включен с обратным смещением, что увеличивает тепловыделение, способствует отводу тепла от коллектора), поэтому биполярный транзистор общего вида является несимметричным устройством (нецелесообразно путем изменения полярности подключения поменять местами эмиттер и коллектор и получить в результате аналогичный исходному биполярный транзистор — инверсное включение).

    Сообщение от Леонов Владислав — 7 Март, 2014 @ 12:25 дп

  31. Изменятся. Конструктивно эмиттер и коллектор выполняются по-разному (имеют неодинаковую концентрацию носителей заряда и площадь поверхности). Поэтому менять их местами не следует, так как получится существенно меньший коэффициент усиления по току и меньшая мощность рассеяния транзистора. Для некоторых транзисторов в этом случае может возникнуть лавинный пробой перехода база-эмиттер, что нарушит нормальную работу собранного электронного устройства.

    Сообщение от Владислав Ерёма — 7 Март, 2014 @ 1:14 дп

  32. Если поменять местами коллектор и эмиттер, то получится, что транзистор работает в режиме инверсии, т.е. КП прямосмещён, а ЭП обратносмещён, усиления в таком режиме не будет.

    Сообщение от Никончук В.А. — 7 Март, 2014 @ 9:29 дп

  33. Общая площадь контакта база-эмиттер значительно меньше площади контакта коллектор-база (это делается по двум причинам — большая площадь перехода коллектор-база увеличивает вероятность захвата неосновных носителей заряда из базы в коллектор и, так как в рабочем режиме переход коллектор-база обычно включен с обратным смещением, что увеличивает тепловыделение, способствует отводу тепла от коллектора), поэтому биполярный транзистор общего вида является несимметричным устройством (нецелесообразно путем изменения полярности подключения поменять местами эмиттер и коллектор и получить в результате аналогичный исходному биполярный транзистор — инверсное включение).

    Сообщение от Фёдор — 7 Март, 2014 @ 9:36 дп

  34. Если поменять местами эмиттер и коллектор, то в результате получится аналогичный исходному биполярный транзистор – инверсное включение. При таком включении транзистор имеет меньший коэффициент передачи тока базы.

    Сообщение от Фурса Михаил — 7 Март, 2014 @ 9:38 дп

  35. Да,изменятся, если площади переходов будут разные, а если площади перехода одинаковые(т.е симметричный транзистор),то любая из крайних областей может с одинаковым успехом работать в качестве эмиттера или коллектора.

    Сообщение от Тарас Ментюк — 7 Март, 2014 @ 10:23 дп

  36. Инверсный режим
    В данном режиме коллектор и эмиттер меняются ролями: коллекторный PN-переход смещен в прямом направлении, а эмиттерный – в обратном. В результате ток из базы течет в коллектор. Область полупроводника коллектора несимметрична эмиттеру, и коэффициент усиления в инверсном режиме получается ниже, чем в нормальном активном режиме. Конструкция транзистора выполнена таким образом, чтобы он максимально эффективно работал в активном режиме. Поэтому в инверсном режиме транзистор практически не используют.

    Сообщение от Денис Миронович — 7 Март, 2014 @ 10:28 дп

  37. Биполярный транзистор представляет собой структуру N-P-N.Если эмиттер и коллектор поменять местами, коллекторный PN-переход будет смещен в прямом направлении, а эмиттерный – в обратном. В результате ток из базы течет в коллектор. Область полупроводника коллектора несимметрична эмиттеру, и коэффициент усиления в инверсном режиме получается ниже, чем в нормальном активном режиме. Конструкция транзистора выполнена таким образом, чтобы он максимально эффективно работал в активном режиме. Поэтому в инверсном режиме транзистор практически не используют

    Сообщение от Сеньковец Виктория — 7 Март, 2014 @ 11:19 дп

  38. Если поменять местами коллектор и эмиттер, то получится, что транзистор работает в режиме инверсии, т.е. КП прямосмещён а ЭП обратносмещён, усиления в таком режиме не будет.

    Сообщение от Матысюк Владислав — 7 Март, 2014 @ 11:42 дп

  39. Общая площадь контакта база-эмиттер значительно меньше площади контакта коллектор-база (это делается по двум причинам — большая площадь перехода коллектор-база увеличивает вероятность захвата неосновных носителей заряда из базы в коллектор и, так как в рабочем режиме переход коллектор-база обычно включен с обратным смещением, что увеличивает тепловыделение, способствует отводу тепла от коллектора), поэтому биполярный транзистор общего вида является несимметричным устройством (нецелесообразно путем изменения полярности подключения поменять местами эмиттер и коллектор и получить в результате аналогичный исходному биполярный транзистор — инверсное включение).

    Сообщение от Тарас Коротыш — 7 Март, 2014 @ 11:53 дп

  40. Биполярный транзистор состоит из трех областей: эмиттера, базы и коллектора, на каждую из которых подается напряжение. В зависимости от типа проводимости этих областей, выделяют n-p-n и p-n-p транзисторы. Обычно область коллектора шире, чем эмиттера. Базу изготавливают из слаболегированного полупроводника (из-за чего она имеет большое сопротивление) и делают очень тонкой. Поскольку площадь контакта эмиттер-база получается значительно меньше площади контакта база-коллектор, то поменять эмиттер и коллектор местами с помощью смены полярности подключения нельзя. Таким образом, транзистор относится к несимметричным устройствам.

    Сообщение от Яроцкая Анна — 7 Март, 2014 @ 12:01 пп

  41. Так как у биполярного транзистора в конструктивном плане нет принципиальных различий, то транзистор допускает иверсное подключение, при этом роль эмиттера будет выпонять-коллектор, а роль коллектора-эмиттер. Эта особенность позволяет упростить ряд устройств, в которых в процессе работы производиться последовательная смена передачи направления сигнала.

    Сообщение от Андрей Смогур — 7 Март, 2014 @ 12:20 пп

  42. При инверсном включении транзистора эмиттер и коллектор меняются местами, то есть для схемы с общей базой входом будет уже коллектор, а вы­ходом — эмиттер, для общего эмиттера вход по-прежнему база, а выход — эмиттер.

    Сообщение от Дыченкова Мария — 7 Март, 2014 @ 12:37 пп

  43. Да, свойства изменятся, т. к. конструктивно эмиттер и
    коллектор производятся по-разному (имеют неодинаковую концентрацию носителей заряда и площадь поверхности). Если поменять их местами, то получится значительно наименьший коэффициент усиления по току и наименьшая мощность рассеяния транзистора.

    Сообщение от Светлана Козлова — 7 Март, 2014 @ 12:56 пп

  44. Если поменять местами эмиттер и коллектор, то получится в результате аналогичный исходному биполярный транзистор, однако у него будет значительно наименьший коэффициент усиления по току и наименьшая мощность рассеяния транзистора.

    Сообщение от Светлана Хацкевич — 7 Март, 2014 @ 12:59 пп

  45. изменятся,потому что площади перехода разные

    Сообщение от Козловский Никита — 7 Март, 2014 @ 1:03 пп

  46. Изменятся,т.к коллекторный переход делается со значительно большей площадью, нежели эмиттерный пе­реход, так как мощность, рассеиваемая в коллекторном переходе, гораздо боль­ше, чем рассеиваемая в эмиттерном.

    Сообщение от Мазур Алексей — 7 Март, 2014 @ 1:08 пп

  47. транзисторы разных структур отличаются лишь тем, что стрелка, символизирующая эмиттер и направление тока через эмиттерный переход, у транзистора структуры p-n-p обращена к базе, а у транзистора n-p-n — от базы. Поэтому свойства останутся неизменными.

    Сообщение от Силивончик Андрей — 7 Март, 2014 @ 3:54 пп

  48. Конструктивно эмиттер и коллектор выполняются по-разному (имеют неодинаковую концентрацию носителей заряда и площадь поверхности). Поэтому менять их местами не следует, так как получится существенно меньший коэффициент усиления по току и меньшая мощность рассеяния транзистора. Для некоторых транзисторов в этом случае может возникнуть лавинный пробой перехода база-эмиттер, что нарушит нормальную работу собранного электронного устройства, при этом свойства транзистора существенно не изменятся.

    Сообщение от Костюков Сергей — 7 Март, 2014 @ 4:24 пп

  49. Конструктивно эмиттер и коллектор выполняются по-разному (имеют неодинаковую концентрацию носителей заряда и площадь поверхности). Поэтому менять их местами не следует, так как получится существенно меньший коэффициент усиления по току и меньшая мощность рассеяния транзистора. Для некоторых транзисторов в этом случае может возникнуть лавинный пробой перехода база-эмиттер, что нарушит нормальную работу собранного электронного устройства, однако при этом свойства транзистора существенно не изменятся.

    Сообщение от Авчинник Сергей — 7 Март, 2014 @ 4:27 пп

  50. Транзисторы выполнены таким образом, чтобы они максимально эффективно работали в активном режиме.
    Поэтому практически не применяют транзисторы в инверсном режиме.
    При инверсном режиме происходит смещение в прямом направлении коллекторного p-n-перехода, а эмиттерного в обратном.Из-за чего коэффициент усиления в инверсном режиме получается ниже, чем в нормальном активном режиме.

    Сообщение от Андрей Коржун — 7 Март, 2014 @ 7:23 пп

  51. ДА, изменятся. Так как коллектор и эмиттер имеют разную площадь, граничащую с базой.
    Если поменять местами, то будет не нормальный режим, а инверсный режим.

    Сообщение от Павел Карницкий — 7 Март, 2014 @ 9:09 пп

  52. Инверсный режим
    В данном режиме коллектор и эмиттер меняются ролями: коллекторный PN-переход смещен в прямом направлении, а эмиттерный – в обратном. В результате ток из базы течет в коллектор. Область полупроводника коллектора несимметрична эмиттеру, и коэффициент усиления в инверсном режиме получается ниже, чем в нормальном активном режиме. Конструкция транзистора выполнена таким образом, чтобы он максимально эффективно работал в активном режиме. Поэтому в инверсном режиме транзистор практически не используют.

    Сообщение от вадим заранко — 7 Март, 2014 @ 9:31 пп

  53. Эмиттер и коллектор имеют неодинаковую концентрацию носителей заряда, поэтому их не следует менять местами, т.к. получится меньший коэффициент усиления по току и меньшая мощность рассеяния транзистора.

    Сообщение от Ваня — 7 Март, 2014 @ 11:14 пп

  54. В инверсном режиме коллектор и эмиттер меняются ролями: коллекторный P-N-переход смещен в прямом направлении, а эмиттерный – в обратном. В результате ток из базы течет в коллектор. Область полупроводника коллектора несимметрична эмиттеру, и коэффициент усиления в инверсном режиме получается ниже, чем в нормальном активном режиме. Конструкция транзистора выполнена таким образом, чтобы он максимально эффективно работал в активном режиме. Поэтому в инверсном режиме транзистор практически не используют.

    Сообщение от Юрий Витальевич. — 8 Март, 2014 @ 7:13 пп

  55. Вот недавно перепутал коллектор с эмиттером , а транзистор всё равно работал— Снял по этому поводу видео https://www.youtube.com/watch?v=QUoibS-3-m0

    Сообщение от Миханаха — 22 Август, 2014 @ 9:31 пп

  56. Указанное выше видео — хорошая демонстрация отличий прямого и инверсного включений транзистора.

    Сообщение от Юрий Витальевич. — 24 Август, 2014 @ 9:05 пп

Оставить сообщение

Введите, пожалуйста, правильное значение, чтобы ваше сообщение было принято.