Полевой транзистор

Опубликовано: Проверь себя — Юрий Витальевич. 10 Март, 2014 @ 3:15 пп

Полевой транзистор
На рисунке показаны разновидности полевого транзистора.
Какой из них называют нормально закрытым? Какой — обеднённого типа?



62 комментария »

  1. Первые дна — обедненные, третий нормально-закрытого типа

    Сообщение от Роман Чернявский — 10 Март, 2014 @ 4:07 пп

  2. Эти два типа полевых транзисторов с изолированным затвором: первый – со встроенным n-каналом обедненного типа; второй – с индуцированным n-каналом обогащенного типа. Из них первый нормально открытый, а второй нормально закрытый.

    Сообщение от Коршунова Анна — 10 Март, 2014 @ 7:10 пп

  3. Слева объедененного типа,справа нормально закрытый!

    Сообщение от Куликова Анна — 10 Март, 2014 @ 10:15 пп

  4. МДП транзистор со встроенным каналом (обедненного типа, в нормальном состоянии открыт-это означает, что он имеет заметный ток стока при напряжении затвор-исток равном нулю), а МДП транзистор с индуцированным каналом (обогащенного типа, в нормальном состоянии закрыт- проводит ток только тогда, когда приложено напряжение соответствующей величины). На условном графическом обозначении отличить транзистор с индуцированным каналом (обогащенного типа, который в нормальном состоянии закрыт) от транзистора со встроенным каналом (обедненного типа, в нормальном состоянии открыт) можно по разрыву вертикальной черты.

    Сообщение от Владислав Лапкин — 10 Март, 2014 @ 11:12 пп

  5. МДП-транзистор со встроенным каналом называют обеднённого типа,а МДП-транзистор с индуцированным каналом называют нормально закрытым.

    Сообщение от Гребень Дмитрий — 10 Март, 2014 @ 11:19 пп

  6. Нормально закрытые полевые транзисторы В этих приборах толщина проводящего канала настолько мала, что канал под действием контактной разности потенциалов при нулевом напряжении на затворе полностью обеднён носителями заряда, т. е. канал практически закрыт.
    Режим обеднения наблюдается у полевого транзистора МДП-типа при отрицательном напряжении на затворе.

    Сообщение от Алексей Томиловский — 10 Март, 2014 @ 11:35 пп

  7. устройство, которое в нормальном состоянии закрыто есть устройство проводящее ток только тогда, когда приложено напряжение (Ези) соответствующей величины. МОП транзисто работает как устройство закрытое в нормальном состоянии. Он подобен МОП транзистору обедненного типа, но не имеет проводящего канала. Вместо этого в подложку внедрены раздельные области стока и истока.

    Сообщение от Захаркевич Виктория — 11 Март, 2014 @ 10:13 дп

  8. МОП транзисто работает как устройство закрытое в нормальном состоянии. Он подобен МОП транзистору обедненного типа, но не имеет проводящего канала. Вместо этого в подложку внедрены раздельные области стока и истока.

    Сообщение от Дюрдь Владимир — 11 Март, 2014 @ 10:14 дп

  9. ПТ с управляющим p-n переходом и МДП-транзистор с встроенным каналом — обедненного типа, а МДП-транзистор с индуцированным каналом — нормально закрыт.

    Сообщение от Анна Яроцкая — 11 Март, 2014 @ 8:35 пп

  10. нормально закрытым является транзистор, который находиться правее всего( МДП-транзистор с индуцированным каналом), обедненного типа транзистор, который находиться по середине(МДП-транзистор со встроенным каналом)

    Сообщение от Ахраменя Роман — 11 Март, 2014 @ 9:15 пп

  11. Нормально закрытым является транзистор, который находиться правее всего( МДП-транзистор с индуцированным каналом), обедненного типа транзистор, который находиться по середине(МДП-транзистор со встроенным каналом)

    Сообщение от Екатерина Грибанова — 11 Март, 2014 @ 9:43 пп

  12. МДП-транзисторы со встроенным каналом — это транзисторы обедненного типа, а МДП-транзисторы с индуцированным каналом — нормально закрытые транзисторы.

    Сообщение от Гаварень Артем — 12 Март, 2014 @ 12:35 дп

  13. Со встроенным каналом –
    ОБЕДНЕННОГО ТИПА, нормально
    открыт.
    С индуцированным каналом –
    обогащенного типа, НОРМАЛЬНО
    ЗАКРЫТ.

    Сообщение от Настя Баран — 12 Март, 2014 @ 10:33 дп

  14. По принципу действия и технологии изготовления ПТ можно разделить на 2 группы:
    — ПТ с управляющим p-n переходом и барьером Шотки;
    — ПТ с изолированным затвором со структурой металл — диэлектрик — полупроводник (МДП — транзистор), иногда его называют МОП — транзистором (металл — окисел — полупроводник).
    В свою очередь ПТ с изолированным затвором подразделяются на:
    — с индуцированным каналом (обогащённого типа);
    — со встроенным каналом (обеднённого типа).
    В МДП -транзисторах с изолированным затвором и индуцированным каналом при отсутствии напряжения на затворе ток между истоком и стоком практически отсутствует (т.е. нормально закрытый прибор). Транзисторы с индуцированным каналом работают в режиме обогащения.(на рисунке вариант 3). Если к затвору приложено нулевое напряжение, то при подаче между стоком и истоком напряжения через канал потечет ток, представляющий собой поток электронов. Через кристалл ток не пойдет, так как один из p-n-переходов находится под обратным напряжением. При подаче на затвор напряжения отрицательной полярности относительно истока (следовательно, и кристалла) в канале образуется поперечное электрическое поле, которое выталкивает электроны из канала в области истока, стока и кристалла. Канал обедняется электронами, его сопротивление увеличивается, ток уменьшается. Чем больше напряжение на затворе, тем меньше ток. Такой режим называется режимом обеднения. (на рисунке вариант 2)

    Сообщение от Мария Расюк — 12 Март, 2014 @ 3:54 пп

  15. мощный n-канальный МОП транзистор со встроенным каналом (обедненного типа, в нормальном состоянии открыт-это означает, что он имеет заметный ток стока при напряжении затвор-исток равном нулю). мощный n-канальный МОП транзистор с индуцированным каналом (обогащенного типа, в нормальном состоянии закрыт- проводит ток только тогда, когда приложено напряжение соответствующей величины). На условном графическом обозначении отличить транзистор с индуцированным каналом (обогащенного типа, который в нормальном состоянии закрыт) от транзистора со встроенным каналом (обедненного типа, в нормальном состоянии открыт) можно по разрыву вертикальной черты.

    Сообщение от Куликова Анна — 12 Март, 2014 @ 10:17 пп

  16. При приложении положительного напряжения к затвору электрическое поле притягивает электроны из подложки, они скапливаются в области канала, сопротивление канала уменьшается и ток стока растёт, в этом случае ПТ работает в режиме обогащения( или же нормально закрыт).При отрицательном напряжении на затворе электрическое поле выталкивает электроны из канала в подложку, сопротивление канала увеличивается и ток стока падает(режим обеднения).

    Сообщение от Егор Михолап — 13 Март, 2014 @ 9:28 дп

  17. МДП-транзистор с индуцированным каналом нормально закрыт.
    МДП-транзистор со встроенным каналом — обеднённого типа.

    Сообщение от Матысюк Владислав — 13 Март, 2014 @ 10:05 дп

  18. Обедненные полевые транзисторы проводят ток, только если напряжение на затворе выше, чем на истоке.(рис 2 на картинке).В нормально закрытых МДП-транзисторах, называемых также МДП-транзисторами с индуцированным каналом, при нулевом напряжении канал отсутствует. В этом случае электрическая цепь сток-исток представляет собой два навстречу друг другу включенных p- n-перехода, и ток в этой цепи равен обратному току закрытого p- n-перехода сток-подложка (исток-подложка)(рис 3 на картинке)

    Сообщение от Целобанов Владимир — 13 Март, 2014 @ 10:20 дп

  19. тип полевого транзистора — нормально закрытый, это значит,что при нулевом потенциале на затворе ток стока транзистора равен нулю.
    Устройства п-типа с n-каналами называются устройствами обедненного типа, так как они проводят ток при нулевом напряжении на затворе. В устройствах обедненного типа электроны являются носителями тока до тех пор, пока их количество не уменьшится благодаря приложенному к затвору смещению, так как при подаче на затвор отрицательного смещения, ток стока уменьшается.

    Сообщение от Пашукевич Никита — 13 Март, 2014 @ 8:39 пп

  20. По середтне(МДП-транзистор со встроенным каналом)- нормально закрытый. А слева(ПТ с управляющим р-п переходом)- объединённого типа.

    Сообщение от Анатолий — 13 Март, 2014 @ 9:06 пп

  21. Эти два типа полевых транзисторов с изолированным затвором: первый – со встроенным n-каналом обедненного типа; второй – с индуцированным n-каналом обогащенного типа. Из них первый нормально открытый, а второй нормально закрытый.

    Сообщение от Счастная Полина — 13 Март, 2014 @ 9:51 пп

  22. МДП-транзисторы со встроенным каналом — это транзисторы обедненного типа, а МДП-транзисторы с индуцированным каналом — нормально закрытые транзисторы.

    Сообщение от Царевич Евгений — 13 Март, 2014 @ 10:23 пп

  23. МДП-транзисторы со встроенным каналом — это транзисторы обедненного типа, а МДП-транзисторы с индуцированным каналом — нормально закрытые транзисторы.

    Сообщение от Леонов Владислав — 13 Март, 2014 @ 10:23 пп

  24. В полевых транзисторах с управляющим p-n–переходом управляющая цепь отделена от канала обратносмещенным p-n–переходом, при этом канал расположен в объеме полупроводника и существует при нулевом напряжении на затворе, т. е. является встроенным каналом. На управляющий p-n–переход можно подавать только обратное напряжение, и поэтому полевые транзисторы с управляющим p-n–переходом работают в режиме обеднения канала носителями заряда.
    МДП-транзистор с индуцированным каналом в отсутствие напряжения управления заперт – это нормально закрытый прибор.

    Сообщение от Дыченкова Мария — 13 Март, 2014 @ 10:29 пп

  25. полевой транзистор со встроенным каналом (обедненного типа) слева VT1
    полевой транзистор с индуцированным каналом (обогащенного типа)справа VT2
    VT1 — нормально открыт, VT2 — нормально закрыт.

    Сообщение от Марченко Александр — 13 Март, 2014 @ 10:31 пп

  26. Нормально закрытым называют полевой МДПтранзистор с индуцированым каналом,т.к отсутствует n-слой под затвором и если напряжение на затворе отсутствует, то в МДП транзисторе отсутствует и канал;Полевой транзистор с управляющим p-n переходом называют объединённого типа,т.к полупроводниковый канал может быть легирован таким образом ,что при нулевом смещении затвора относительно истока через канал протекает ток стока

    Сообщение от Алексей — 13 Март, 2014 @ 10:52 пп

  27. Нормально закрытый крайний справа,объединённого типа- находится в центре картинки.

    Сообщение от Витязев Артём гр106112 — 13 Март, 2014 @ 10:54 пп

  28. МДП-транзисторы со встроенным каналом — это транзисторы обедненного типа, а МДП-транзисторы с индуцированным каналом — нормально закрытые транзисторы.

    Сообщение от Линкевич Александр — 13 Март, 2014 @ 11:04 пп

  29. МДП-транзисторы со встроенным каналом — это транзисторы обедненного типа, а МДП-транзисторы с индуцированным каналом — нормально закрытые транзисторы.

    Сообщение от Тарас Коротыш — 13 Март, 2014 @ 11:06 пп

  30. МДП-транзисторы бывают двух типов: транзисторы со встроенным и с индуцированным каналами (в последнем случае канал наводится под действием напряжения, приложенного к управляющим электродам).

    Транзисторы первого типа могут работать как в режиме обеднения канала носителями заряда, так и в режиме обогащения. Второй тип МДП-транзисторов можно использовать только в режиме обогащения. В отличие от транзисторов с управляющим р—re-переходом металлический затвор МДП-транзисторов изолирован от полупроводника слоем диэлектрика и имеется дополнительный вывод от кристалла, называемый подложкой, на которой выполнен прибор.

    Управляющее напряжение подается между затвором и подложкой. Под влиянием образующегося электрического поля у поверхности полупроводника создается р-канал за счет отталкивания электронов от поверхности вглубь полупроводника в транзисторе с индуцированным каналом. В транзисторе со встроенным каналом происходит расширение или сужение имеющегося канала. Под действием управляющего напряжения изменяется ширина канала и, соответственно, сопротивление и ток транзистора.

    Напряжение на затворе, при котором индуцируется канал, называется пороговым напряжением. При практическом определении этого напряжения обычно задается определенный ток стока, при котором потенциал затвора достигает порогового напряжения (0.2…1 В для транзисторов с ге-каналом и 2…4 В ср-каналом).

    По мере удаления от поверхности полупроводника концентрация индуцированных дырок уменьшается. На расстоянии, приблизительно равном половине толщины канала, электропроводность становится собственной (беспримесной). Далее располагается участок, обедненный основными носителями заряда, в котором существует область положительно заряженных ионов донорной примеси. Наличие обедненного участка обусловлено также отталкиванием основных носителей заряда от поверхности вглубь полупроводника.

    Сообщение от Смолер Марина — 13 Март, 2014 @ 11:48 пп

  31. Как мне авторитетно заявляет «Физическая энциклопедия», нормально закрытым называется полевой МДП-транзистор с индуцированным каналом, то бишь тот, который красуется на зелёненьком фоне.

    Транзистор обеднённого типа выбрал себе бледно-бежевый цвет посреди картинки. У него при напряжении затвор-исток равном нулю есть заметный ток стока.

    Сообщение от Тарасов Валентин — 14 Март, 2014 @ 2:15 дп

  32. Это два типа полевых транзисторов с изолированным затвором: первый – со встроенным n-каналом обедненного типа; второй – с индуцированным n-каналом обогащенного типа. Из них первый нормально открытый, а второй нормально закрытый.

    Сообщение от Яновская Елена — 14 Март, 2014 @ 10:12 дп

  33. 2-ой транзистор это транзистор обедненного типа.
    3-ий транзистор, этот транзистор нормально закрыт.

    Сообщение от Кожарин Виктор — 14 Март, 2014 @ 10:36 дп

  34. Транзистор называют нормально закрытым так как при нулевом потенциале на затворе ток стока транзистора равен нулю.Полупроводник канала может быть легирован таким образом, что при нулевом смещении затвора относительно истока через канал протекает ток стока. Такие устройства называют МОП-транзисторами обедненного типа.

    Сообщение от Тарас Ментюк — 14 Март, 2014 @ 11:04 дп

  35. При отрицательном потенциале на затворе поле затвора выталкивает из канала в P-подложку,исток и сток.Канал обедняется электронами, его сопротивление увеличивается и ток стока уменьшается. Такой режим называют режим обеднения т. е. картинка (1 и 2). В МДП -транзисторах с изолированным затвором и индуцированным каналом при отсутствии напряжения на затворе ток между истоком и стоком практически отсутствует. Такой транзистор называют нормально закрытым т.е. картинка (3)

    Сообщение от Карпович Виктор Петрович — 14 Март, 2014 @ 11:57 дп

  36. ПТ с управляющим p-n переходом-обедненного типа.
    МДП-транзиисторы с встроенным каналом-нормально открытый(может быть как обедненного,так и обогащенного типа).

    Сообщение от Андрей Смогур — 14 Март, 2014 @ 12:02 пп

  37. МДП-транзисторы могут быть как с нормально открытым, так и с нормально закрытым каналами.

    При подаче на затвор напряжения, отрицательного относительно истока, а, следовательно, и относительно кристалла, в канале создается поперечное электрическое поле, под влиянием которого электроны проводимости выталкиваются из канала в области стока и истока, а также в кристалл. Канал обедняется электронами, сопротивление его увеличивается и ток стока уменьшается. Чем больше отрицательное напряжение затвора, тем меньше этот ток. Такой режим работы транзистора называют режимом обеднения.

    Сообщение от Кирилл Курьян — 14 Март, 2014 @ 12:02 пп

  38. О транзисторе говорят, что он работает в режиме обогащения, когда прикладываемое напряжение увеличивает количество электронов в канале. Такой прибор называют также нормально закрытым полевым транзистором, он соответствует переключателю, размыкающему цепь при нулевом напряжении на затворе.
    Возможен и другой вариант исполнения полевого транзистора, а точнее n-канального МОП-транзистора. Полупроводник канала может быть легирован таким образом, что при нулевом смещении затвора относительно истока через канал протекает ток стока. Такие устройства называют МОП-транзисторами обедненного типа. Для того, чтобы предотвратить протекание тока стока в транзисторах обедненного типа необходимо подать на затвор обратное смещение в пару вольт.

    Сообщение от Владислав Ерёма — 14 Март, 2014 @ 12:44 пп

  39. Обедненные полевые транзисторы
    проводят ток, только если напряжение
    на затворе выше, чем на истоке.(рис 2
    на картинке).В нормально закрытых
    МДП-транзисторах, называемых также
    МДП-транзисторами с
    индуцированным каналом, при
    нулевом напряжении канал
    отсутствует. В этом случае
    электрическая цепь сток-исток
    представляет собой два навстречу
    друг другу включенных p- n-перехода,
    и ток в этой цепи равен обратному
    току закрытого p- n-перехода сток-
    подложка (исток-подложка)(рис 3 на
    картинке)

    Сообщение от Павел Тукай — 14 Март, 2014 @ 2:10 пп

  40. Обедненные полевые транзисторы
    проводят ток, только если напряжение
    на затворе выше, чем на истоке.(рис 2
    на картинке).В нормально закрытых
    МДП-транзисторах, называемых также
    МДП-транзисторами с
    индуцированным каналом, при
    нулевом напряжении канал
    отсутствует. В этом случае
    электрическая цепь сток-исток
    представляет собой два навстречу
    друг другу включенных p- n-перехода,
    и ток в этой цепи равен обратному
    току закрытого p- n-перехода сток-
    подложка (исток-подложка)(рис 3 на
    картинке)

    Сообщение от Артём Хлиманков — 14 Март, 2014 @ 2:13 пп

  41. 1,2 обедненный
    3 нормально закрытый

    Сообщение от Валерия Болзан — 14 Март, 2014 @ 2:42 пп

  42. 1,2-обедненный ; 3-нормально закрытый

    Сообщение от Антон — 14 Март, 2014 @ 2:44 пп

  43. ПТ с управляемым p-n переходом-объединенного типа,

    МДП транзистор с индуцированным каналом-нормально закрытый транзистор.

    Сообщение от Попкова Надежда — 14 Март, 2014 @ 3:00 пп

  44. Нормально закрытый-3,обеденного типа-1,2

    Сообщение от Анастасия Белько — 14 Март, 2014 @ 3:07 пп

  45. Полевой транзистор — это полупроводниковый прибор, в котором ток основных носителей , протекающих через канал, управляется электрическим полем. Основа такого транзистора — созданный в полупроводнике и снабжённый двумя выводами (исток и сток) канал с электропроводностью n — или p — типа. Сопротивлением канала управляет третий электрод — затвор, соединённый с его средней частью p — n переходом.
    В зависимости от того, какова величина порогового напряжения, различают транзисторы с индуцированным и встроенным каналом, или, как еще их называют, транзисторы обогащенного и обедненного типа. Если при напряжении на затворе, равном нулю, инверсионный канал в транзисторе существует, это МДП-транзистор со встроенным каналом, или обедненного типа. Если для формирования инверсионного канала между областями истока и стока к затвору транзистора необходимо приложить напряжение, то это МДП-транзистор с индуцированным каналом, или обогащенного типа.
    В зависимости от типа проводимости полупроводниковой подложки различают р — канальные (изготовленные на подложке n — типа) и n — канальные (изготовленные на подложке р — типа) МДП- транзисторы.
    Второй транзистор является транзистором обеднённого типа, а третий — нормально закрытым.

    Сообщение от Савчук Артём — 14 Март, 2014 @ 3:21 пп

  46. Рисунок1,2. — обедненного типа, а 3 рисунок- закрытого типа

    Сообщение от Никита Буров — 14 Март, 2014 @ 3:46 пп

  47. 1,2 — обедненного типа,3 — закрытого

    Сообщение от Артем Мисюкевич — 14 Март, 2014 @ 3:49 пп

  48. МДП-транзистор с индуцированным каналом в отсутствие напряжения управления заперт – это нормально закрытый прибор, если цепь управления по какой-либо причине отключается, то данный транзистор запирается. Полевой транзистор со встроенным каналом (полевой транзистор с управляющим p-n–переходом или МДП-транзистор со встроенным каналом) – прибор нормально открытый, т.е. для поддержания закрытого состояния таких транзисторов необходимо запирающее смещение в цепи управления. Для данного транзистора, если цепь управления по какой-либо причине будет отключена, то ток у него на выходе резко возрастет и прибор может выйти из строя.

    Сообщение от Костюков Сергей — 14 Март, 2014 @ 4:00 пп

  49. МДП-транзистор с ин­дуцированным каналом в отсутствие напряжения управления заперт – это нормально закрытый прибор(транзистор обогащенного типа). Полевой транзистор со встроенным каналом (полевой транзистор с управляющим p-n–переходом или МДП-транзистор со встроенным каналом) – прибор нормально открытый(транзистор обедненного типа).

    Сообщение от Авчинник Сергей — 14 Март, 2014 @ 4:29 пп

  50. МДП транзистор с индуцированным каналом — нормально закрытый, а остальные два — обедненного типа

    Сообщение от Фурса Михаил — 14 Март, 2014 @ 5:24 пп

  51. Обычно для напряжения, подаваемого на затвор, существует некоторое пороговое значение, при котором происходит резкое уменьшение сопротивления в канале. Когда напряжение на затворе меньше порогового, говорят, что транзистор закрыт. Если напряжение на затворе превышает пороговое значение, транзистор открыт.

    О транзисторе говорят, что он работает в режиме обогащения, когда прикладываемое напряжение увеличивает количество электронов в канале. Такой прибор называют также нормально закрытым полевым транзистором, он соответствует переключателю, размыкающему цепь при нулевом напряжении на затворе.
    Существует также нормально открытый полевой транзистор, имеющий сравнительно низкое сопротивление в канале при нулевом значении на затворе. В данном случае электроны, при нормальных условиях способные поддерживать ток в канале, могут быть удалены, если приложить отрицательное напряжение к затвору. О таком транзисторе говорят, что он работает в режиме обеднения, поскольку напряжение, прикладываемое к затвору, уменьшает количество носителей заряда в канале.

    Сообщение от Борушко Максим — 14 Март, 2014 @ 5:57 пп

  52. Нормально закрытым называют МДП-транзистор с индуцированным каналом, а обедненного типа называется полевой транзистор с управляющим p-n переходом.

    Сообщение от Максим Аниперко — 14 Март, 2014 @ 6:08 пп

  53. Нормально закрытым называют МДП-транзистор с индуцированным каналом, а обедненного типа называется полевой транзистор с управляющим p-n переходом.

    Сообщение от Ilya Nazaruk — 14 Март, 2014 @ 6:11 пп

  54. обедненного типа называется полевой транзистор с управляющим p-n переходом, а нормально закрытым называют МДП-транзистор с индуцированным каналом

    Сообщение от Иван Мытник — 14 Март, 2014 @ 6:17 пп

  55. Полевой транзистор со встроенным каналом каналом- обеднённого типа.При подаче на затвор напряжения отрицательной полярности относительно исток в канале образуется поперечное электрическое поле, которое выталкивает электроны из канала в области истока, стока и кристалла. Канал обедняется электронами, его сопротивление увеличивается, ток уменьшается. Чем больше напряжение на затворе, тем меньше ток. Такой режим называется режимом обеднения.
    В МДП -транзисторах с индуцированным каналом при отсутствии напряжения на затворе ток между истоком и стоком практически отсутствует т.е. нормально закрытый прибор

    Сообщение от Илья Лукашевич — 14 Март, 2014 @ 7:34 пп

  56. Первые два нормально закрытые, последний — обедненного типа.

    Сообщение от Влад Палённый — 14 Март, 2014 @ 7:37 пп

  57. МДП-транзисторы с индуцированным каналом ещё называют транзисторами обогащённого типа. Транзисторы со встроенным каналом ещё называют транзисторами обеднённого типа. МДП-транзистор с ин­дуцированным каналом в отсутствие напряжения управления заперт – это нормально закрытый прибор. Полевой транзистор со встроенным каналом – прибор нормально открытый, т. е. для поддержания закрытого состояния таких транзисторов необходимо запирающее смещение в цепи управления.

    Сообщение от Фёдор — 14 Март, 2014 @ 8:40 пп

  58. Слева и по центру транзисторы обедненного типа, а справа — нормально закрытый.

    Сообщение от Хасеневич Андрей — 14 Март, 2014 @ 8:59 пп

  59. Нормально закрытый тот, который находится справа . Обеднённого типа и левый, и центральный.

    Сообщение от Павел Карницкий — 14 Март, 2014 @ 9:29 пп

  60. Через полевые транзисторы обедненного типа при напряжении U = 0 протекает наибольший ток стока. Такие транзисторы называют нормально открытыми. Наоборот, транзисторы обогащенного типа запираются при величинах U, близких к нулю (открываются положительным напряжением). Их называют нормально закрытыми.

    Сообщение от Игорь Буйко — 14 Март, 2014 @ 9:54 пп

  61. При отрицательном потенциале на затворе Uзи<0 поле затвора выталкивает электроны из канала в
    p-подложку, исток и сток. Канал обедняется электронами, его сопротивление увеличивается и ток стока уменьшается. Такой режим называют режимом обеднения, т.е. на рисунке 1 и 2 транзисторы обедненного типа. По условным графическим изображениям видно что на 3 рисунке нормально закрытый транзистор.

    Сообщение от Юхневич Павел — 14 Март, 2014 @ 10:14 пп

  62. Транзистор обедненного типа под номером 2.
    Нормально закрытый транзистор под номером 3.

    Сообщение от Юрий Косач — 14 Март, 2014 @ 10:22 пп

Оставить сообщение

Введите, пожалуйста, правильное значение, чтобы ваше сообщение было принято.