Интегральные микросхемы

Опубликовано: Проверь себя — Юрий Витальевич. 24 Март, 2014 @ 3:15 пп

Интегральные микросхемы
Опишите
гибридные интегральные микросхемы
и области их применения.
Какие особенности
и преимущества они имеют
перед полупроводниковыми?



65 комментариев »

  1. Гибридная интегральная микросхема представляет собой устройство, часть элементов которого, обычно пассивные, изготовлена в виде пленок, нанесенных на поверхность диэлектрического материала. Активные элементы, которые изготовляют по обычной технологии и монтируют на подложке, присоединяя к соответствующим контактным площадкам. Собранную ГИС, как правило, помещают в корпус и герметизируют.

    Преимущества интегральных микросхем перед полупроводниковыми:
    -позволяют использовать любые дискретные компоненты;
    -обеспечивают широкий диапазон номиналов;
    -экономически выгоднее при изготовлении небольшими партиями;
    -лучшие электрические характеристики пассивных элементов: более высокая добротность, температурная и временная стабильность;
    -меньшее число паразитных элементов;
    -позволяют использовать преимущества пленочной технологии в сочетании с полупровэднико-вой технологией. Резисторы и конденсаторы, созданные методами пленочной технологии, могут при малой занимаемой площади иметь большие номиналы и малые температурные изменения параметров, зависящие от выбранного резистивного или диэлектрического материала пленок;
    -высокая надежность позволяют использовать преимущества пленочной технологии в сочетании с полупровэднико-вой технологией. Резисторы и конденсаторы, созданные методами пленочной технологии, могут при малой занимаемой площади иметь большие номиналы и малые температурные изменения параметров, зависящие от выбранного резистивного или диэлектрического материала плёнок; 

    Сообщение от Попкова Надежда — 24 Март, 2014 @ 4:11 пп

  2. Гибридная интегральная микросхема — микросхема, содержащая кроме элементов компоненты и кристаллы.

    Гибридные интегральные микросхемы имеют достаточно широкое применение благодаря тому, что дают возможность использовать достижения как пленочной технологии, так и новых разработок полупроводниковых приборов и прогрессивных технологических методов, допускают использование больших мощностей и обеспечивают более легкий переход от макета на дискретных компонентах к интегральной форме.

    Гибридная интегральная микросхема, сделанная на основе бескорпусных полупроводниковых приборов, является окончательным изделием.

    Гибридные интегральные микросхемы по сравнению с полупроводниковыми имеют ряд преимуществ, с точки зрения разработчика МЭА: обеспечивают широкий диапазон номиналов, меньшие пределы допусков и лучшие электрические характеристики пассивных элементов ( более высокая добротность, температурная и временная стабильность, меньшее число и менее заметное влияние паразитных элементов); позволяют использовать любые дискретные компоненты, в том числе полупроводниковые БИС и СБИС. В качестве навесных компонентов в ГИС применяют миниатюрные дискретные резисторы, конденсаторы, индуктивные катушки, дроссели, трансформаторы. При мелкосерийном производстве ГИС дешевле полупроводниковых ( примерно одной и той же функциональной сложности) ИМС. Подготовка персонала для производства ГИС сравнительно проста.

    Гибридная интегральная микросхема представляет собой устройство, часть элементов которого ( обычно пассивные элементы) изготовлена в виде пленок, нанесенных на поверхность диэлектрического материала.

    Гибридные интегральные микросхемы ( ГИС) представляют собой сочетание навесных активных радиоэлементов ( микротранзисторов, диодов) и пленочных пассивных элементов и их соединений. Такую изготовленную ГИС герметизируют в пластмассовом или металлическом корпусе.

    Сообщение от смолер марина — 24 Март, 2014 @ 6:17 пп

  3. Гибридная ИС – ИС с элементами и межсоединениями в виде пленок, выполненных на поверхности диэлектрической подложки, а также с активными компонентами.Применяется в радиовещании.
    преимущества:надежность, малые габариты и масса,

    Сообщение от Гребень Дмитрий — 24 Март, 2014 @ 7:27 пп

  4. Гибридная интегральная микросхема — интегральная схема, в которой наряду с элементами, неразъёмно связанными на поверхности или в объёме подложки, используются навесные микроминиатюрные элементы (транзисторы, полупроводниковые диоды, катушки индуктивности, вакуумные электронные приборы, кварцевые резонаторы и др.). В зависимости от метода изготовления неразъёмно связанных элементов различают гибридные плёночную и полупроводниковую интегральные схемы.
    Резисторы, конденсаторы, контактные площадки и электрические проводники в ГИС изготовляют либо последовательным напылением на подложку различных материалов в вакуумных установках (метод напыления через маски, метод фотолитографии), либо нанесением их в виде плёнок (химические способы, метод шёлкографии и др.).
    Гибридные МС являются дальнейшим развитием идеи микромодулей — компактных законченных функциональных блоков, собранных на миниатюрных бескорпусных элементах очень плотным монтажом.
    В аналоговой аппаратуре ГИС по сравнению с полупроводниковыми ИМС имеют более широкие схемотехнические возможности благодаря использованию различных навесных компонентов (полупроводниковых ИМС, транзисторов, конденсаторов, индуктивных катушек и т.д.). ГИС позволяют реализовать широкий класс функциональных электронных схем – усилителей, преобразователей, коммутаторов, вторичных источников питания, являясь при этом экономически целесообразными в условиях серийного и даже мелкосерийного производства.
    ГИС по сравнению с полупроводниковыми имеют ряд преимуществ: обеспечивают широкий диапазон номиналов, меньшие пределы допусков и лучшие электрические характеристики пассивных элементов (более высокая добротность, температурная и временная стабильность, меньшее число и менее заметное влияние паразитных элементов); позволяют использовать любые дискретные компоненты

    Сообщение от Владислав Ерёма — 24 Март, 2014 @ 8:07 пп

  5. В гибридных ИМС, как правило, пассивные элементы выполнены в виде пленок, нанесенных на диэлектрическую подложку, а активные элементы являются навесными. Обычно это малогабаритные дискретные элементы (в т.ч. могут быть и конденсаторы, и резисторы) и монолитные бескорпусные полупроводниковые ИМС.
    Гибридные микросхемы были одним из первых этапов на пути миниатюризации изделий радиоэлектронной техники и в настоящий момент большинство гибридных микросхем, выпускающихся в прошлом, были вытеснены более миниатюрными полупроводниковыми ИМС. Но полупроводниковые ИМС обладают рядом недостатков, отсутствующих в гибридных ИМС, что определяет доминирующее положение гибридных ИМС в некоторых областях электроники.
    Во-первых, из-за того, что гибридные ИМС выполняются на диэлектрической подложке с высокими изоляционными свойствами, материал подложки практически не оказывает влияния на электрические связи элементов, как это имеет место в полупроводниковых ИМС и отсутствует такой недостаток, как наличие токов утечки в подложку. Благодаря этому гибридные ИМС широко используются в СВЧ-технике, причем, как показывает опыт, для устройств работающих на частотах до 1 ГГц, с успехом применяется толстопленочная технология, поскольку она не требует жестких допусков и высокой точности нанесения и обработки пленок. Для устройств, работающих на более высоких частотах, когда необходимо обеспечить прецизионное нанесение пленочных элементов очень малых размеров, предпочтительнее тонкопленочная технология.
    Во-вторых, гибридные микросхемы применяются в тех случаях, когда требуется получить конденсаторы или резисторы достаточно больших номиналов, или когда требуется рассеять большую мощность.[1.стр.8]
    В-третьих, использование гибридных ИМС позволяет создавать различные цифровые и аналоговые устройства при сравнительно коротком цикле разработки.
    Кроме того, сочетание полупроводниковых ИМС и многослойных гибридных ИМС создает широкие схемотехнические и конструктивные возможности при проектировании больших интегральных схем.

    Сообщение от Лапкин Владислав — 24 Март, 2014 @ 8:13 пп

  6. В гибридных ИМС, как правило, пассивные элементы выполнены в виде пленок, нанесенных на диэлектрическую подложку, а активные элементы являются навесными. Обычно это малогабаритные дискретные элементы (в т.ч. могут быть и конденсаторы, и резисторы) и монолитные бескорпусные полупроводниковые ИМС.
    Гибридные микросхемы были одним из первых этапов на пути миниатюризации изделий радиоэлектронной техники и в настоящий момент большинство гибридных микросхем, выпускающихся в прошлом, были вытеснены более миниатюрными полупроводниковыми ИМС. Но полупроводниковые ИМС обладают рядом недостатков, отсутствующих в гибридных ИМС, что определяет доминирующее положение гибридных ИМС в некоторых областях электроники.
    Во-первых, из-за того, что гибридные ИМС выполняются на диэлектрической подложке с высокими изоляционными свойствами, материал подложки практически не оказывает влияния на электрические связи элементов, как это имеет место в полупроводниковых ИМС и отсутствует такой недостаток, как наличие токов утечки в подложку. Благодаря этому гибридные ИМС широко используются в СВЧ-технике, причем, как показывает опыт, для устройств работающих на частотах до 1 ГГц, с успехом применяется толстопленочная технология, поскольку она не требует жестких допусков и высокой точности нанесения и обработки пленок. Для устройств, работающих на более высоких частотах, когда необходимо обеспечить прецизионное нанесение пленочных элементов очень малых размеров, предпочтительнее тонкопленочная технология.
    Во-вторых, гибридные микросхемы применяются в тех случаях, когда требуется получить конденсаторы или резисторы достаточно больших номиналов, или когда требуется рассеять большую мощность.

    В-третьих, использование гибридных ИМС позволяет создавать различные цифровые и аналоговые устройства при сравнительно коротком цикле разработки.
    Кроме того, сочетание полупроводниковых ИМС и многослойных гибридных ИМС создает широкие схемотехнические и конструктивные возможности при проектировании больших интегральных схем.
    Из недостатков гибридных ИМС по сравнению с полупроводниковыми ИМС следует отметить их достаточно большие габаритные размеры.
    Как уже было отмечено выше, при производстве гибридных ИМС используется тонкопленочная или толстопленочная технология. Тонкие пленки наносятся одним из следующих методов: термическое напыление, ионно-плазменное напыление, реактивное напыление. При этом толщина пленок составляет, как правило, 0.1-10мкм.
    Для изготовления толстопленочных (более 10мкм) элементов гибридных ИМС применяют различные материалы в виде паст. Пасты позволяют получать методом шелкографии или сеткографии на поверхности пластин требуемую конфигурацию. Метод создания рельефа на поверхности пластины продавливанием вязкой пасты через трафареты, изготовленные из шелка или металлической сетки, соответственно называют шелкографией и сеткографией.
    Толстопленочные гибридные ИМС по сравнению с тонкопленочными сравнительно несложны в изготовлении и, кроме того, не требуют высоких затрат на эксплуатацию оборудования при производстве. Преимуществом их следует считать также возможность изготовления резисторов больших сопротивлений, а недостатком — трудность изготовления конденсаторов большой емкости.

    Сообщение от Пашукевич Никита — 24 Март, 2014 @ 8:25 пп

  7. Гибридные МС являются дальнейшим развитием идеи микромодулей — компактных законченных функциональных блоков, собранных на миниатюрных бескорпусных элементах очень плотным монтажом. Очень удобны при монтаже, надежны в эксплуатации, позволяют уменьшить размеры техники.

    Сообщение от Роман Чернявский — 24 Март, 2014 @ 8:31 пп

  8. Интегральные микросхемы, в которых на ряду с пленочными элементами, сформированными по групповой тонко- или толстопленочной технологии, содержатся имеющие самостоятельное конструктивное исполнение полупроводниковые активные компоненты (ИМС, транзисторы, диоды), изготовлены по полупроводниковой технологии, называют гибридными интегральными микросхемами (ГИС).

    ГИС по сравнению с полупроводниковыми имеют ряд преимуществ: обеспечивают широкий диапазон номиналов, меньшие пределы допусков и лучшие электрические характеристики пассивных элементов (более высокая добротность, температурная и временная стабильность, меньшее число и менее заметное влияние паразитных элементов); позволяют использовать любые дискретные компоненты.В качестве навесных компонентов в ГИС применяют миниатюрные дискретные резисторы, конденсаторы, индуктивные катушки, дроссели, трансформаторы.

    Сообщение от Маша Дыченкова — 24 Март, 2014 @ 9:25 пп

  9. Гибридная интегральная микросхема- интегральная схема, в которой наряду с элементами, неразъёмно связанными на поверхности или в объёме подложки, используются навесные микроминиатюрные элементы (транзисторы, полупроводниковые диоды, катушки индуктивности, вакуумные электронные приборы, кварцевые резонаторы и др.).
    ГИС по сравнению с полупроводниковыми имеют ряд преимуществ: обеспечивают широкий диапазон номиналов, меньшие пределы допусков и лучшие электрические характеристики пассивных элементов (более высокая добротность, температурная и временная стабильность, меньшее число и менее заметное влияние паразитных элементов); позволяют использовать любые дискретные компоненты, в том числе полупроводниковые БИС и СБИС. В качестве навесных компонентов в ГИС применяют миниатюрные дискретные резисторы, конденсаторы, индуктивные катушки, дроссели, трансформаторы.

    Сообщение от Алексей Томиловский — 24 Март, 2014 @ 10:02 пп

  10. Гибридная технология микроэлектронных устройств развивается и совершенствуется в направлении создания конструкций, обеспечивающих высокую плотность и точность монтажа полупроводниковых БИС и СБИС и хороший теплоотвод от этих компонентов. Определенные преимущества дает сочетание в одном изделие тонкопленочной и толстопленочной технологии, получившей название дигибридной.

    Таким образом, ГИС – широко распространенный, постоянно совершенствующийся, развивающийся конструктивно-технологический вариант изготовления изделий микроэлектроники. Создание ГИС и БГИС – одна из ступеней микроминиатюризации микроэлектронных устройств, комплексов и систем, перспективное направление развития научно-технического прогресса в области микроэлектроники.

    Сообщение от Куликова Анна — 24 Март, 2014 @ 10:20 пп

  11. Гибридная интегральная микросхема — микросхема, содержащая кроме элементов компоненты и кристаллы.
    Гибридные интегральные микросхемы по сравнению с полупроводниковыми имеют ряд преимуществ: обеспечивают широкий диапазон номиналов, меньшие пределы допусков и лучшие электрические характеристики пассивных элементов ( более высокая добротность, температурная и временная стабильность, меньшее число и менее заметное влияние паразитных элементов); позволяют использовать любые дискретные компоненты. При мелкосерийном производстве ГИС дешевле полупроводниковых ( примерно одной и той же функциональной сложности) ИМС.

    ГИС позволяют реализовать широкий класс функциональных электронных схем – усилителей, преобразователей, коммутаторов, вторичных источников питания, являясь при этом экономически целесообразными в условиях серийного и даже мелкосерийного производства.

    Сообщение от Гаварень Артем — 24 Март, 2014 @ 10:21 пп

  12. Гибридные микросхемы изготавливают на диэлектрической под­ложке, их пассивные элементы R, С, L, межсоединения и контакт­ные площадки выполняют по пленочной технологии, т. е напыле­нием. Применяют групповой метод обработки, при котором на одну подложку наносят до 16 — 18 идентичных групп элементов и меж­соединений, затем подложку разрезают на части — платы каждая из которых содержит элементы и межсоединения одного функцио­нального узла.
    Гибридные интегральные микросхемы по сравнению с полупроводниковыми имеют ряд преимуществ: обеспечивают широкий диапазон номиналов, меньшие пределы допусков и лучшие электрические характеристики пассивных элементов (более высокая добротность, температурная и временная стабильность, меньшее число и менее заметное влияние паразитных элементов); позволяют использовать любые дискретные компоненты.

    Сообщение от Счастная Полина — 25 Март, 2014 @ 10:21 дп

  13. Основу гибридной интегральной
    микросхемы (ИМС) составляет
    пленочная схема: пластина
    диэлектрика, на поверхности которого
    нанесены в виде пленок толщиной
    порядка 1 мкм компоненты схемы и
    межсоединения. Этим способом легко
    выполнимы пленочные
    проводниковые соединения,
    резисторы, конденсаторы. Резисторы
    больших номиналов выполняют в
    виде меандра, что обеспечивает
    минимальную площадь, занимаемую
    элементом. Сопротивление таких
    резисторов может достигать 0,1 МОм.
    Конденсатор состоит из трех
    пленочных слоев: металл –
    диэлектрик – металл. За счет малой
    толщины диэлектрика емкость
    пленочных конденсаторов достигает
    10000 пФ и более. Дроссели могут
    быть выполнены в виде спирали; они
    имеют небольшую индуктивность, не
    более 10 мкГн. Бескорпусные
    полупроводниковые приборы,
    конденсаторы больших номиналов и
    магнитные элементы в гибридных
    ИМС выполняются навесными: эти
    элементы приклеиваются в
    определенных местах к плате,
    осуществляется их контактирование с
    элементами пленочной схемы, затем
    плата с пленочной схемой и
    навесными элементами помещается в
    герметизированный корпус,
    имеющий определенное количество
    выводов.
    Гибридные ИМС обладают
    следующими основными свойствами:
    1. Наиболее предпочтительными
    элементами являются пассивные
    компоненты (резисторы и
    конденсаторы), число навесных
    элементов в ИМС должно быть
    небольшим, так как их установка и
    монтаж требуют больших затрат
    труда.
    2. Точность воспроизведения
    параметров в гибридных ИМС
    значительно выше, чем
    полупроводниковых. Возможна
    подгонка номиналов резисторов и
    конденсаторов (например, путем
    соскабливания части пленки).
    3. Технология гибридных ИМС
    значительно проще технологии
    полупроводниковых. Гибридные ИМС
    делятся на тонкопленочные, в
    которых пленки создаются методом
    термовакуумного напыления, и
    толстопленочные, в которых пленки
    получают путем нанесения пасты
    через трафарет с последующим
    спеканием в печи. Технология
    толстопленочных ИМС сравнительно
    проста, и их выпуск может быть
    налажен в стенах лаборатории или
    производственного участка.
    4. Стоимость подготовки к выпуску
    нового типа гибридных ИМС меньше,
    чем полупроводниковых, поэтому
    экономически оправдан выпуск
    гибридных ИМС малыми сериями
    (сотни и даже десятки экземпляров).
    5. Массогабаритные показатели
    гибридных ИМС хуже, чем у
    полупроводниковых, и число
    компонентов в одной схеме обычно
    не больше нескольких десятков.
    Полупроводниковые ИМС в основном
    являются ИМС общего применения, т.
    е. выпускаются в виде типовых
    элементов для различных областей
    использования, обладают
    универсальными достоинствами, что
    обеспечивает их высокий тираж.
    Гибридная технология особенно
    предпочтительна при разработке ИМС
    частного применения, т. е. для
    решения какой-то определенной
    задачи. В этом случае тираж ИМС
    обычно невысок, и экономически
    выгоднее выпуск гибридных ИМС.
    Число компонентов, заключенных в
    одном корпусе ИМС, называют
    степенью интеграции N.
    От степени интеграции N зависит
    относительная стоимость
    полупроводниковой ИМС. Имеется
    область, при которой степень
    интеграции имеет минимальное
    значение. При уменьшении N от
    указанного значения стоимость
    увеличивается, так как возрастают
    затраты на упаковку ИМС в корпус,
    пайку выводов и т. п. При
    увеличении N стоимость также
    возрастает по двум причинам. Во-
    первых, более сложные ИМС
    выполняют более сложную, а значит,
    и более специализированную
    функцию, а это приводит к снижению
    тиража ИМС и увеличению ее
    стоимости. Во-вторых, при большом
    значении N ИМС занимают
    значительную площадь на пластине
    полупроводника.
    В аналоговой аппаратуре Гибридные
    ИМС по сравнению с
    полупроводниковыми ИМС имеют
    более широкие схемотехнические
    возможности благодаря
    использованию различных навесных
    компонентов (полупроводниковых
    ИМС, транзисторов, конденсаторов,
    индуктивных катушек и т. д.).
    Гибридные ИМС позволяют
    реализовать широкий класс
    функциональных электронных схем –
    усилителей, преобразователей,
    коммутаторов, вторичных источников
    питания, являясь при этом
    экономически целесообразными в
    условиях серийного и даже
    мелкосерийного производства.
    С дополнительной информацией по
    данному вопросу также можно
    ознакомится по ссылоке: http://
    http://www.ngpedia.ru/id156561p1.html .

    Сообщение от Настя Баран — 25 Март, 2014 @ 8:45 пп

  14. Гибридные микросхемы изготавливают на диэлектрической под ложке, их пассивные элементы R, С, L, межсоединения и контакт ные площадки выполняют по пленочной технологии, т. е напыле нием. Применяют групповой метод обработки, при котором на одну подложку наносят до 16 — 18 идентичных групп элементов и меж соединений, затем подложку разрезают на части — платы каждая из которых содержит элементы и межсоединения одного функцио нального узла.
    Гибридные интегральные микросхемы по сравнению с полупроводниковыми имеют ряд преимуществ: обеспечивают широкий диапазон номиналов, меньшие пределы допусков и лучшие электрические характеристики пассивных элементов (более высокая добротность, температурная и временная стабильность, меньшее число и менее заметное влияние паразитных элементов); позволяют использовать любые дискретные компоненты.

    Сообщение от Коршунова Анна — 26 Март, 2014 @ 12:30 дп

  15. Интегральные микросхемы, в которых на ряду с пленочными элементами, сформированными по групповой тонко- или толстопленочной технологии, содержатся имеющие самостоятельное конструктивное исполнение полупроводниковые активные компоненты (транзисторы, диоды), изготовлены по полупроводниковой технологии, называют гибридными интегральными микросхемами.Гибридные интегральные микросхемы по сравнению с полупроводниковыми имеют ряд преимуществ: обеспечивают широкий диапазон номиналов, меньшие пределы допусков и лучшие электрические характеристики пассивных элементов (более высокая добротность, температурная и временная стабильность, меньшее число и менее заметное влияние паразитных элементов); позволяют использовать любые дискретные компоненты, в том числе полупроводниковые БИС и СБИС. В качестве навесных компонентов в ГИС применяют миниатюрные дискретные резисторы, конденсаторы, индуктивные катушки, дроссели, трансформаторы.Гибридные интегральные микросхемы имеют более широкие схемотехнические возможности благодаря использованию различных навесных компонентов (полупроводниковых интегральных микросхем, транзисторов, конденсаторов, индуктивных катушек и т.д.).

    Сообщение от Борисевич Дима — 26 Март, 2014 @ 12:54 дп

  16. Гибридные микросхемы изготавливают на диэлектрической под­ложке, их пассивные элементы R, С, L, межсоединения и контакт­ные площадки выполняют по пленочной технологии, т. е напыле­нием. Применяют групповой метод обработки, при котором на одну подложку наносят до 16 — 18 идентичных групп элементов и меж­соединений, затем подложку разрезают на части — платы каждая из которых содержит элементы и межсоединения одного функцио­нального узла.
    В аналоговой аппаратуре гибридные интегральные микросхемы по сравнению с полупроводниковыми интегральными микросхемами имеют более широкие схемотехнические возможности благодаря использованию различных навесных компонентов. Гибридные интегральные микросхемы позволяют реализовать широкий класс функциональных электронных схем – усилителей, преобразователей, коммутаторов, вторичных источников питания, являясь при этом экономически целесообразными в условиях серийного и даже мелкосерийного производства.

    Сообщение от Инна — 26 Март, 2014 @ 10:49 дп

  17. Гибридная интегральная схема, гибридная микросхема, микросборка — интегральная схема, в которой наряду с элементами, неразъёмно связанными на поверхности или в объёме подложки, используются навесные микроминиатюрные элементы (транзисторы, полупроводниковые диоды, катушки индуктивности, вакуумные электронные приборы, кварцевые резонаторы и др.). В зависимости от метода изготовления неразъёмно связанных элементов различают гибридные плёночную и полупроводниковую интегральные схемы.

    ГИС по сравнению с полупроводниковыми имеют ряд преимуществ: обеспечивают широкий диапазон номиналов, меньшие пределы допусков и лучшие электрические характеристики пассивных элементов (более высокая добротность, температурная и временная стабильность, меньшее число и менее заметное влияние паразитных элементов); позволяют использовать любые дискретные компоненты, в том числе полупроводниковые БИС и СБИС.

    Сообщение от Анатолий — 26 Март, 2014 @ 3:58 пп

  18. Гибридная интегральная микросхема — микросхема, содержащая кроме элементов компоненты и кристаллы.
    Гибридные интегральные микросхемы имеют достаточно широкое применение благодаря тому, что дают возможность использовать достижения как пленочной технологии, так и новых разработок полупроводниковых приборов и прогрессивных технологических методов, допускают использование больших мощностей и обеспечивают более легкий переход от макета на дискретных компонентах к интегральной форме.
    Гибридная интегральная микросхема, сделанная на основе бескорпусных полупроводниковых приборов, является окончательным изделием.
    Гибридные интегральные микросхемы по сравнению с полупроводниковыми имеют ряд преимуществ, с точки зрения разработчика МЭА: обеспечивают широкий диапазон номиналов, меньшие пределы допусков и лучшие электрические характеристики пассивных элементов ( более высокая добротность, температурная и временная стабильность, меньшее число и менее заметное влияние паразитных элементов); позволяют использовать любые дискретные компоненты, в том числе полупроводниковые БИС и СБИС. В качестве навесных компонентов в ГИС применяют миниатюрные дискретные резисторы, конденсаторы, индуктивные катушки, дроссели, трансформаторы. При мелкосерийном производстве ГИС дешевле полупроводниковых ( примерно одной и той же функциональной сложности) ИМС. Подготовка персонала для производства ГИС сравнительно проста.

    Сообщение от Палённый Влад — 26 Март, 2014 @ 7:53 пп

  19. Гибридные интегральные микросхемы — это схемы, изготовленные путем использования различных технологических методов, чаще всего такие, в которых резисторы, конденсаторы и их межсоединения выполнены с помощью тонкопленочной или толстопленочной технологии на керамической плате, а диоды и транзисторы представляют собой дискретные компоненты, вмонтированные в эту схему. Затем всю сборку заливают изолирующей смолой. В других вариантах пассивные тонкопленочные элементы напыляются на полупроводниковую пластинку, содержащую активные полупроводниковые элементы.
    Гибридная технология микроэлектронных устройств развивается и совершенствуется в направлении создания конструкций, обеспечивающих высокую плотность и точность монтажа полупроводниковых БИС и СБИС и хороший теплоотвод от этих компонентов. Определенные преимущества дает сочетание в одном изделие тонкопленочной и толстопленочной технологии, получившей название дигибридной.

    Таким образом, ГИС – широко распространенный, постоянно совершенствующийся, развивающийся конструктивно-технологический вариант изготовления изделий микроэлектроники. Создание ГИС и БГИС – одна из ступеней микроминиатюризации микроэлектронных устройств, комплексов и систем, перспективное направление развития научно-технического прогресса в области микроэлектроники.

    В аналоговой аппаратуре ГИС по сравнению с полупроводниковыми ИМС имеют более широкие схемотехнические возможности благодаря использованию различных навесных компонентов (полупроводниковых ИМС, транзисторов, конденсаторов, индуктивных катушек и т.д.). ГИС позволяют реализовать широкий класс функциональных электронных схем – усилителей, преобразователей, коммутаторов, вторичных источников питания, являясь при этом экономически целесообразными в условиях серийного и даже мелкосерийного производства.

    Сообщение от Матысюк Владислав — 27 Март, 2014 @ 12:33 дп

  20. а)Гибридная интегральная микросхема представляет собой устройство, часть элементов которого ( обычно пассивные элементы) изготовлена в виде пленок, нанесенных на поверхность диэлектрического материала.
    б)Гибридные ИМС широко используются в СВЧ-технике,
    применяются в тех случаях, когда требуется получить конденсаторы или резисторы достаточно больших номиналов, или когда требуется рассеять большую мощность, а также использование гибридных ИМС позволяет создавать различные цифровые и аналоговые устройства при сравнительно коротком цикле разработки.
    в)Гибридные ИМС обладают следующими преимуществами:
    1)Наиболее предпочтительными элементами являются пассивные компоненты(резисторы и конденсаторы), число навесных элементов в ИМС должно быть небольшим, так как их установка и монтаж требуют больших затрат.
    2) Точность воспроизведения параметров гибридных ИМС значительно выше, чем в полупроводниковых. Возможна подгонка номиналов резисторов и конденсаторов(например, путём соскабливания части плёнки)
    3) Технология гибридных ИМС значительно проще технологии полупроводниковых.Технология гибридных толстоплёночных ИМС сравнительно проста, и их выпуск может быть налажен в стенах лаборатории или производственного участка.
    4)Стоимость подготовки к выпуску нового типа гибридных ИМС меньше, чем полупроводниковых, поэтому экономически оправдан выпуск гибридных ИМС малыми сериями.
    5)Массогабаритные показатели гибридных ИМС хуже, чем у полупроводниковых, и число компонентов в одной схеме обычно не больше нескольких десятков.

    Сообщение от Егор Михолап — 27 Март, 2014 @ 8:39 дп

  21. Гибридные интегральные микросхемы имеют достаточно широкое применение благодаря тому, что дают возможность использовать достижения как пленочной технологии, так и новых разработок полупроводниковых приборов и прогрессивных технологических методов, допускают использование больших мощностей и обеспечивают более легкий переход от макета на дискретных компонентах к интегральной форме.
    Гибридные интегральные микросхемы по сравнению с полупроводниковыми имеют ряд преимуществ, с точки зрения разработчика МЭА: обеспечивают широкий диапазон номиналов, меньшие пределы допусков и лучшие электрические характеристики пассивных элементов ( более высокая добротность, температурная и временная стабильность, меньшее число и менее заметное влияние паразитных элементов); позволяют использовать любые дискретные компоненты, в том числе полупроводниковые БИС и СБИС. В качестве навесных компонентов в ГИС применяют миниатюрные дискретные резисторы, конденсаторы, индуктивные катушки, дроссели, трансформаторы. При мелкосерийном производстве ГИС дешевле полупроводниковых ( примерно одной и той же функциональной сложности) ИМС. Подготовка персонала для производства ГИС сравнительно проста.

    Сообщение от Тарас Ментюк — 27 Март, 2014 @ 9:33 дп

  22. Гибридная интегральная схема — интегральная схема, в которой наряду с элементами, неразъёмно связанными на поверхности или в объёме подложки, используются навесные микроминиатюрные элементы (транзисторы, полупроводниковые диоды, катушки индуктивности, вакуумные электронные приборы, кварцевые резонаторы и др.). В зависимости от метода изготовления неразъёмно связанных элементов различают гибридные плёночную и полупроводниковую интегральные схемы.Гибридные МС являются дальнейшим развитием идеи микромодулей — компактных законченных функциональных блоков, собранных на миниатюрных бескорпусных элементах очень плотным монтажом. Микромодули же, в свою очередь, продолжают идеи компактронов — комбинированных радиоламп, содержащих в одном баллоне 3 и более лампы.Наиболее массово выпускаются гибридные интегральные микросхемы кварцевых генераторов.

    Сообщение от Захаркевич Виктория — 27 Март, 2014 @ 10:19 дп

  23. В гибридных ИМС, как правило, пассивные элементы выполнены в виде пленок, нанесенных на диэлектрическую подложку, а активные элементы являются навесными. Обычно это малогабаритные дискретные элементы (в т.ч. могут быть и конденсаторы, и резисторы) и монолитные бескорпусные полупроводниковые ИМС.гибридные микросхемы применяются в тех случаях, когда требуется получить конденсаторы или резисторы достаточно больших номиналов, или когда требуется рассеять большую мощность.

    Сообщение от Захаркевич Виктория — 27 Март, 2014 @ 10:22 дп

  24. В гибридных ИМС, как правило, пассивные элементы выполнены в виде пленок, нанесенных на диэлектрическую подложку, а активные элементы являются навесными. Обычно это малогабаритные дискретные элементы (в т.ч. могут быть и конденсаторы, и резисторы) и монолитные бескорпусные полупроводниковые ИМС.гибридные микросхемы применяются в тех случаях, когда требуется получить конденсаторы или резисторы достаточно больших номиналов, или когда требуется рассеять большую мощность.

    Сообщение от Дюрдь Владимир — 27 Март, 2014 @ 10:25 дп

  25. Гибридные микросхемы изготавливают на диэлектрической под­ложке, их пассивные элементы R, С, L, межсоединения и контакт­ные площадки выполняют по пленочной технологии, т. е напыле­нием.
    Гибридная технология особенно предпочтительна при разработке ИМС частного применения, т. е. для решения какой-то определенной задачи.
    Точность воспроизведения параметров в гибридных ИМС значительно выше, чем полупроводниковых. Технология гибридных ИМС значительно проще технологии полупроводниковых.

    Сообщение от Целобанов Владимир — 27 Март, 2014 @ 11:22 дп

  26. Гибридные микросхемы изготавливают на диэлектрической под­ложке, их пассивные элементы R, С, L, межсоединения и контакт­ные площадки выполняют по пленочной технологии, т. е напыле­нием.
    Гибридная технология особенно предпочтительна при разработке ИМС частного применения, т. е. для решения какой-то определенной задачи.
    Точность воспроизведения параметров в гибридных ИМС значительно выше, чем полупроводниковых. Технология гибридных ИМС значительно проще технологии полупроводниковых.

    Сообщение от Артем Хлиманков — 27 Март, 2014 @ 11:22 дп

  27. Интегральные микросхемы, в которых на ряду с пленочными элементами, сформированными по групповой тонко- или толстопленочной технологии, содержатся имеющие самостоятельное конструктивное исполнение полупроводниковые активные компоненты (ИМС, транзисторы, диоды), изготовлены по полупроводниковой технологии, называют гибридными интегральными микросхемами(ГИС).
    ГИС по сравнению с полупроводниковыми имеют ряд преимуществ: обеспечивают широкий диапазон номиналов, меньшие пределы допусков и лучшие электрические характеристики пассивных элементов (более высокая добротность, температурная и временная стабильность, меньшее число и менее заметное влияние паразитных элементов); позволяют использовать любые дискретные компоненты, в том числе полупроводниковые. В качестве навесных компонентов в ГИС применяют миниатюрные дискретные резисторы, конденсаторы, индуктивные катушки, дроссели, трансформаторы.

    Сообщение от Анна Яроцкая — 27 Март, 2014 @ 12:07 пп

  28. Гибридная интегральная схема, гибридная микросхема, микросборка — интегральная схема, в которой наряду с элементами, неразъёмно связанными на поверхности или в объёме подложки, используются навесные микроминиатюрные элементы (транзисторы, полупроводниковые диоды, катушки индуктивности, вакуумные электронные приборы, кварцевые резонаторы и др.). В зависимости от метода изготовления неразъёмно связанных элементов различают гибридные плёночную и полупроводниковую интегральные схемы.
    Резисторы, конденсаторы, контактные площадки и электрические проводники в ГИС изготовляют либо последовательным напылением на подложку различных материалов в вакуумных установках (метод напыления через маски, метод фотолитографии), либо нанесением их в виде плёнок (химические способы, метод шёлкографии и др.).
    Навесные элементы крепят на одной подложке с плёночными элементами, а их выводы присоединяют к соответствующим контактным площадкам пайкой или сваркой. ГИС, как правило, помещают в корпус и герметизируют. Применение ГИС в электронной аппаратуре повышает её надёжность, уменьшает габариты и массу.
    Гибридные МС являются дальнейшим развитием идеи микромодулей — компактных законченных функциональных блоков, собранных на миниатюрных бескорпусных элементах очень плотным монтажом. Микромодули же, в свою очередь, продолжают идеи компактронов — комбинированных радиоламп, содержащих в одном баллоне 3 и более лампы. Ещё до Второй Мировой войны существовали компактроны, в которых сразу были выполнены межэлектродные соединения ламп в нужную схему, а также имелись проволочные резисторы и дроссели, это и были первые микромодули и непосредственные предки гибридных МС.
    Наиболее массово выпускаются гибридные интегральные микросхемы кварцевых генераторов.

    Сообщение от Борушко Максим — 27 Март, 2014 @ 1:23 пп

  29. Интегральные микросхемы, в которых на ряду с пленочными элементами, сформированными по групповой тонко- или толстопленочной технологии, содержатся имеющие самостоятельное конструктивное исполнение полупроводниковые активные компоненты (ИМС, транзисторы, диоды), изготовлены по полупроводниковой технологии, называют гибридными интегральными микросхемами (ГИС).
    Jбычные ГИС представляют собой изделия общего применения, пригодные для различных видов
    аппаратуры.
    Гибридные интегральные микросхемы по сравнению с полупроводниковыми имеют ряд преимуществ, с точки зрения разработчика МЭА: обеспечивают широкий диапазон номиналов, меньшие пределы допусков и лучшие электрические характеристики пассивных элементов ( более высокая добротность, температурная и временная стабильность, меньшее число и менее заметное влияние паразитных элементов); позволяют использовать любые дискретные компоненты, в том числе полупроводниковые БИС и СБИС. В качестве навесных компонентов в ГИС применяют миниатюрные дискретные резисторы, конденсаторы, индуктивные катушки, дроссели, трансформаторы. При мелкосерийном производстве ГИС дешевле полупроводниковых ( примерно одной и той же функциональной сложности) ИМС. Подготовка персонала для производства ГИС сравнительно проста.

    Сообщение от Мария Расюк — 27 Март, 2014 @ 7:43 пп

  30. Гибридная интегральная микросхема — микросхема, содержащая кроме элементов компоненты и кристаллы.
    Гибридная интегральная микросхема представляет собой устройство, часть элементов которого ( обычно пассивные элементы) изготовлена в виде пленок, нанесенных на поверхность диэлектрического материала.Гибридные интегральные микросхемы позволяют снизить потребляемую мощность, повысить быстродействие, улучшить электромагнитную совместимость из-за сокращения длины соединительных линий, уменьшить восприимчивость узлов к помехам за счет уменьшения индуктивности и емкости линий, что, в свою очередь, повышает надежность аппаратуры.

    Гибридные интегральные микросхемы сочетают преимущества пленочной и полупроводниковой технологий. Резисторы и конденсаторы, выполненные методом пленочной технологии, при малой занимаемой площади имеют большие номиналы, малые температурные изменения параметров и малый разброс параметров.

    Сообщение от Михеев Евгений — 27 Март, 2014 @ 10:18 пп

  31. Микроэлектроника — современное направление электроники, включающее исследование, конструирование и производство интегральных схем (ИС) и радиоэлектронной аппаратуры на их основе. Основной задачей микроэлектроники является создание микроминиатюрной аппаратуры с высокой надежностью и воспроизводимостью, низким энергопотреблением и высокой функциональной сложностью.
    Успехи в конструировании и технологии позволили изготовлять в едином технологическом цикле целые функциональные узлы и из состава изделий полностью или частично исключать электрорадиодетали и приборы.
    Одним из наиболее важных технологических приемов микроэлектроники является интегральная технология, дающая возможность на одной пластине создавать группы схемно соединенных между собой элементов. Используя интегральную технологию, можно изготовлять схемы на высокопроизводительных автоматизированных установках, одновременно выпуская значительное количество идентичных по параметрам функциональных узлов.

    Сообщение от егор рухля 106322 — 27 Март, 2014 @ 10:50 пп

  32. Интегральные микросхемы, в которых на ряду с пленочными элементами, сформированными по групповой тонко- или толстопленочной технологии, содержатся имеющие самостоятельное конструктивное исполнение полупроводниковые активные компоненты (ИМС, транзисторы, диоды), изготовлены по полупроводниковой технологии, называют гибридными интегральными микросхемами (ГИС).

    ГИС по сравнению с полупроводниковыми имеют ряд преимуществ: обеспечивают широкий диапазон номиналов, меньшие пределы допусков и лучшие электрические характеристики пассивных элементов (более высокая добротность, температурная и временная стабильность, меньшее число и менее заметное влияние паразитных элементов); позволяют использовать любые дискретные компоненты, в том числе полупроводниковые БИС и СБИС. В качестве навесных компонентов в ГИС применяют миниатюрные дискретные резисторы, конденсаторы, индуктивные катушки, дроссели, трансформаторы.

    Сообщение от Бычек Сергей — 27 Март, 2014 @ 11:04 пп

  33. Гибридная интегральная микросхема — интегральная схема, в которой наряду с элементами, неразъёмно связанными на поверхности или в объёме подложки, используются навесные микроминиатюрные элементы (транзисторы, полупроводниковые диоды, катушки индуктивности, вакуумные электронные приборы, кварцевые резонаторы и др.). Применение ГИС в электронной аппаратуре повышает её надёжность, уменьшает габариты и массу. Преимущества в том, что они занимают меньше места, могут выполнять больше функций и т. д.

    Сообщение от Косач Юрий — 27 Март, 2014 @ 11:41 пп

  34. Основу гибридной ИМС составляет плёночная схема: пластина диэлектрика, на поверхности которого нанесены в виде плёнок толщиной порядка 1 мкм компоненты схемы и межсоединения.Свойства гибридных ИМС:
    1)Наиболее предпочтительными являются пассивные элементы(резисторы и конденсаторы)
    2) Точность воспроизведения параметров в гибридных ИМС значительно выше,чем полупроводниковых
    3)Технология гибридных ИМС значительно проще технологии полупроводниковых.
    4)Стоимость подготовки к выпуску нового типа гибридных ИМС меньше,чем полупроводниковых.
    5) Массогабаритные показатели гибридных ИМС хуже,чем у полупроводниковых, и число компонентов в одной схеме обычно не больше нескольких десятков
    Гибридная технология особенно предпочтительна при разработке ИМС частного применения,т.е для решения какой-то определ задачи

    Сообщение от Алексей — 27 Март, 2014 @ 11:45 пп

  35. Гибридные интегральные микросхемы имеют достаточно широкое применение благодаря тому, что дают возможность использовать достижения как пленочной технологии, так и новых разработок полупроводниковых приборов и прогрессивных технологических методов, допускают использование больших мощностей и обеспечивают более легкий переход от макета на дискретных компонентах к интегральной форме.
    Гибридные интегральные микросхемы по сравнению с полупроводниковыми имеют ряд преимуществ, с точки зрения разработчика МЭА: обеспечивают широкий диапазон номиналов, меньшие пределы допусков и лучшие электрические характеристики пассивных элементов ( более высокая добротность, температурная и временная стабильность, меньшее число и менее заметное влияние паразитных элементов); позволяют использовать любые дискретные компоненты, в том числе полупроводниковые БИС и СБИС. В качестве навесных компонентов в ГИС применяют миниатюрные дискретные резисторы, конденсаторы, индуктивные катушки, дроссели, трансформаторы. При мелкосерийном производстве ГИС дешевле полупроводниковых ( примерно одной и той же функциональной сложности) ИМС. Подготовка персонала для производства ГИС сравнительно проста.

    Сообщение от Никита Козловский — 27 Март, 2014 @ 11:59 пп

  36. Гибридные интегральные микросхемы имеют достаточно широкое применение благодаря тому, что дают возможность использовать достижения как пленочной технологии, так и новых разработок полупроводниковых приборов и прогрессивных технологических методов, допускают использование больших мощностей и обеспечивают более легкий переход от макета на дискретных компонентах к интегральной форме.
    Гибридные интегральные микросхемы по сравнению с полупроводниковыми имеют ряд преимуществ, с точки зрения разработчика МЭА: обеспечивают широкий диапазон номиналов, меньшие пределы допусков и лучшие электрические характеристики пассивных элементов ( более высокая добротность, температурная и временная стабильность, меньшее число и менее заметное влияние паразитных элементов); позволяют использовать любые дискретные компоненты, в том числе полупроводниковые БИС и СБИС. В качестве навесных компонентов в ГИС применяют миниатюрные дискретные резисторы, конденсаторы, индуктивные катушки, дроссели, трансформаторы. При мелкосерийном производстве ГИС дешевле полупроводниковых ( примерно одной и той же функциональной сложности) ИМС. Подготовка персонала для производства ГИС сравнительно проста.

    Сообщение от Леша Мазур — 28 Март, 2014 @ 12:00 дп

  37. Гибридные микросхемы изготавливают на диэлектрической подложке, их пассивные элементы R, С, L, межсоединения и контактные площадки выполняют по пленочной технологии, т. е напылением. Применяют групповой метод обработки, при котором на одну подложку наносят до 16 — 18 идентичных групп элементов и межсоединений, затем подложку разрезают на части — платы каждая из которых содержит элементы и межсоединения одного функционального узла.
    Гибридные микросхемы позволяют реализовать широкий класс функциональных электронных схем – усилителей, преобразователей, коммутаторов, вторичных источников питания.
    Преимущества перед полупроводниковыми:
    1)материал подложки практически не оказывает влияния на электрические связи элементов, как это имеет место в полупроводниковых ИМС и отсутствует такой недостаток, как наличие токов утечки в подложку.
    2)гибридные микросхемы применяются в тех случаях, когда требуется получить конденсаторы или резисторы достаточно больших номиналов, или когда требуется рассеять большую мощность
    3) использование гибридных ИМС позволяет создавать различные цифровые и аналоговые устройства при сравнительно коротком цикле разработки.
    4)гибридных ИМС по сравнению с полупроводниковыми ИМС следует отметить их достаточно большие габаритные размеры.

    Сообщение от Коржун Андрей — 28 Март, 2014 @ 12:46 дп

  38. Гибридные микросхемы изготавливают на диэлектрической подложке, их пассивные элементы R, С, L, межсоединения и контактные площадки выполняют по пленочной технологии, т. е напылением. Применяют групповой метод обработки, при котором на одну подложку наносят до 16 — 18 идентичных групп элементов и межсоединений, затем подложку разрезают на части — платы каждая из которых содержит элементы и межсоединения одного функционального узла.
    Гибридные микросхемы позволяют реализовать широкий класс функциональных электронных схем – усилителей, преобразователей, коммутаторов, вторичных источников питания.
    Преимущества перед полупроводниковыми:
    1)материал подложки практически не оказывает влияния на электрические связи элементов, как это имеет место в полупроводниковых ИМС и отсутствует такой недостаток, как наличие токов утечки в подложку.
    2)гибридные микросхемы применяются в тех случаях, когда требуется получить конденсаторы или резисторы достаточно больших номиналов, или когда требуется рассеять большую мощность
    3) использование гибридных ИМС позволяет создавать различные цифровые и аналоговые устройства при сравнительно коротком цикле разработки.
    4)гибридных ИМС по сравнению с полупроводниковыми ИМС следует отметить их достаточно большие габаритные размеры.

    Сообщение от Заранко Вадим — 28 Март, 2014 @ 12:47 дп

  39. Гибридная интегральная микросхема- интегральная схема, в которой наряду с элементами, неразъёмно связанными на поверхности или в объёме подложки, используются навесные микроминиатюрные элементы (транзисторы, полупроводниковые диоды, катушки индуктивности, вакуумные электронные приборы, кварцевые резонаторы и др.).
    ГИС по сравнению с полупроводниковыми имеют ряд преимуществ: обеспечивают широкий диапазон номиналов, меньшие пределы допусков и лучшие электрические характеристики пассивных элементов (более высокая добротность, температурная и временная стабильность, меньшее число и менее заметное влияние паразитных элементов); позволяют использовать любые дискретные компоненты, в том числе полупроводниковые БИС и СБИС. В качестве навесных компонентов в ГИС применяют миниатюрные дискретные резисторы, конденсаторы, индуктивные катушки, дроссели, трансформаторы.

    Сообщение от Mytnick Ivan — 28 Март, 2014 @ 1:27 дп

  40. Гибридная интегральная схема, гибридная микросхема, микросборка — интегральная схема, в которой наряду с элементами, неразъёмно связанными на поверхности или в объёме подложки, используются навесные микроминиатюрные элементы (транзисторы, полупроводниковые диоды, катушки индуктивности, вакуумные электронные приборы, кварцевые резонаторы и др.). В зависимости от метода изготовления неразъёмно связанных элементов различают гибридные плёночную и полупроводниковую интегральные схемы.
    Резисторы, конденсаторы, контактные площадки и электрические проводники в ГИС изготовляют либо последовательным напылением на подложку различных материалов в вакуумных установках (метод напыления через маски, метод фотолитографии), либо нанесением их в виде плёнок (химические способы, метод шёлкографии и др.).

    Сообщение от Хасеневич Андрей — 28 Март, 2014 @ 8:44 дп

  41. гибридных ИМС, как правило, пассивные элементы выполнены в виде пленок, нанесенных на диэлектрическую подложку, а активные элементы являются навесными. Обычно это малогабаритные дискретные элементы (в т.ч. могут быть и конденсаторы, и резисторы) и монолитные бескорпусные полупроводниковые ИМС.гибридные микросхемы применяются в тех случаях, когда требуется получить конденсаторы или резисторы достаточно больших номиналов, или когда требуется рассеять большую мощность.

    Сообщение от Швед Герман — 28 Март, 2014 @ 11:28 дп

  42. Гибридные интегральные микросхемы имеют достаточно широкое применение благодаря тому, что дают возможность использовать достижения как пленочной технологии, так и новых разработок полупроводниковых приборов и прогрессивных технологических методов, допускают использование больших мощностей и обеспечивают более легкий переход от макета на дискретных компонентах к интегральной форме. [2]

    Гибридная интегральная микросхема, сделанная на основе бескорпусных полупроводниковых приборов, является окончательным изделием. [3]

    Гибридные интегральные микросхемы по сравнению с полупроводниковыми имеют ряд преимуществ, с точки зрения разработчика МЭА: обеспечивают широкий диапазон номиналов, меньшие пределы допусков и лучшие электрические характеристики пассивных элементов ( более высокая добротность, температурная и временная стабильность, меньшее число и менее заметное влияние паразитных элементов); позволяют использовать любые дискретные компоненты, в том числе полупроводниковые БИС и СБИС. В качестве навесных компонентов в ГИС применяют миниатюрные дискретные резисторы, конденсаторы, индуктивные катушки, дроссели, трансформаторы. При мелкосерийном производстве ГИС дешевле полупроводниковых ( примерно одной и той же функциональной сложности) ИМС. Подготовка персонала для производства ГИС сравнительно проста. [4]

    Сообщение от Карпович Виктор Петрович — 28 Март, 2014 @ 11:43 дп

  43. Гибридные интегральные микросхемы имеют достаточно широкое применение благодаря тому, что дают возможность использовать достижения как пленочной технологии, так и новых разработок полупроводниковых приборов и прогрессивных технологических методов, допускают использование больших мощностей и обеспечивают более легкий переход от макета на дискретных компонентах к интегральной форме. [2]

    Гибридная интегральная микросхема, сделанная на основе бескорпусных полупроводниковых приборов, является окончательным изделием. [3]

    Гибридные интегральные микросхемы по сравнению с полупроводниковыми имеют ряд преимуществ, с точки зрения разработчика МЭА: обеспечивают широкий диапазон номиналов, меньшие пределы допусков и лучшие электрические характеристики пассивных элементов ( более высокая добротность, температурная и временная стабильность, меньшее число и менее заметное влияние паразитных элементов); позволяют использовать любые дискретные компоненты, в том числе полупроводниковые БИС и СБИС. В качестве навесных компонентов в ГИС применяют миниатюрные дискретные резисторы, конденсаторы, индуктивные катушки, дроссели, трансформаторы. При мелкосерийном производстве ГИС дешевле полупроводниковых ( примерно одной и той же функциональной сложности) ИМС. Подготовка персонала для производства ГИС сравнительно проста.

    Сообщение от Артем Мисюкевич — 28 Март, 2014 @ 12:13 пп

  44. Гибридные интегральные микросхемы имеют достаточно широкое применение благодаря тому, что дают возможность использовать достижения как пленочной технологии, так и новых разработок полупроводниковых приборов и прогрессивных технологических методов, допускают использование больших мощностей и обеспечивают более легкий переход от макета на дискретных компонентах к интегральной форме.

    Гибридная интегральная микросхема, сделанная на основе бескорпусных полупроводниковых приборов, является окончательным изделием.

    Гибридные интегральные микросхемы по сравнению с полупроводниковыми имеют ряд преимуществ, с точки зрения разработчика МЭА: обеспечивают широкий диапазон номиналов, меньшие пределы допусков и лучшие электрические характеристики пассивных элементов ( более высокая добротность, температурная и временная стабильность, меньшее число и менее заметное влияние паразитных элементов); позволяют использовать любые дискретные компоненты, в том числе полупроводниковые БИС и СБИС. В качестве навесных компонентов в ГИС применяют миниатюрные дискретные резисторы, конденсаторы, индуктивные катушки, дроссели, трансформаторы. При мелкосерийном производстве ГИС дешевле полупроводниковых ( примерно одной и той же функциональной сложности) ИМС. Подготовка персонала для производства ГИС сравнительно проста.

    Сообщение от Артём Кашеро — 28 Март, 2014 @ 12:15 пп

  45. Гибридная интегральная схема, гибридная микросхема, микросборка — интегральная схема, в которой наряду с элементами, неразъёмно связанными на поверхности или в объёме подложки, используются навесные микроминиатюрные элементы (транзисторы, полупроводниковые диоды, катушки индуктивности, вакуумные электронные приборы, кварцевые резонаторы и др.). В зависимости от метода изготовления неразъёмно связанных элементов различают гибридные плёночную и полупроводниковую интегральные схемы.
    Применяются в электронной аппаратуре повышая её надёжность, уменьшает габариты и массу.
    ГИС по сравнению с полупроводниковыми имеют ряд преимуществ: обеспечивают широкий диапазон номиналов, меньшие пределы допусков и лучшие электрические характеристики пассивных элементов (более высокая добротность, температурная и временная стабильность, меньшее число и менее заметное влияние паразитных элементов); позволяют использовать любые дискретные компоненты, в том числе полупроводниковые БИС и СБИС.

    Сообщение от Кирилл Курьян — 28 Март, 2014 @ 12:40 пп

  46. Гибридная интегральная схема, гибридная микросхема , микросборка — интегральная
    схема, в которой наряду с элементами, неразъёмно связанными на поверхности или
    в объёме подложки, используются навесные микроминиатюрные элементы
    ( транзисторы , полупроводниковые диоды, катушки индуктивности , вакуумные
    электронные приборы , кварцевые резонаторы и др.). В зависимости от метода
    изготовления неразъёмно связанных элементов различают гибридные плёночную и
    полупроводниковую интегральные схемы.

    Сообщение от Артём Богатко — 28 Март, 2014 @ 2:10 пп

  47. Гибридная интегральная микросхема представляет собой устройство, часть элементов которого (обычно пассивные элементы) изготовлена в виде пленок, нанесенных на поверхность диэлектрического материала. 
    Гибридные интегральные микросхемы имеют достаточно широкое применение благодаря тому, что дают возможность использовать достижения как пленочной технологии, так и новых разработок полупроводниковых приборов и прогрессивных технологических методов, допускают использование больших мощностей и обеспечивают более легкий переход от макета на дискретных компонентах к интегральной форме.
    Гибридные интегральные микросхемы по сравнению с полупроводниковыми имеют ряд преимуществ: обеспечивают широкий диапазон номиналов, меньшие пределы допусков и лучшие электрические характеристики пассивных элементов (более высокая добротность, температурная и временная стабильность, меньшее число и менее заметное влияние паразитных элементов); позволяют использовать любые дискретные компоненты, в том числе полупроводниковые БИС и СБИС. В качестве навесных компонентов в ГИС применяют миниатюрные дискретные резисторы, конденсаторы, индуктивные катушки, дроссели, трансформаторы. При мелкосерийном производстве ГИС дешевле полупроводниковых ( примерно одной и той же функциональной сложности) ИМС. Подготовка персонала для производства ГИС сравнительно проста.

    Сообщение от Моисеенкова Екатерина — 28 Март, 2014 @ 3:06 пп

  48. С момента рождения микроэлектроники гибридные ИМС получили широкое применение. Однако, к настоящему времени роль ГИС несколько снижается, что обусловлено рядом обстоятельств. Основным преимуществом ГИС является более простая и дешевая, по сравнению с полупровродниковой, технология изготовления, больший процент выхода годных изделий. Именно эти обстоятельства вызвали большой интерес к гибридной технологии в области низких, высоких и сверхвысоких частот. Развитию технологии ГИС было посвящено множество исследований, в результате чего параметры микросхем и РЭА на их основе достигли своих оптимальных соотношений, а технологические процессы изготовления ГИС доведены до совершенства. Основным недостатком ГИС по сравнению с полупроводниковыми ИМС является относительно низкая плотность упаковки, низкая степень интеграции. Эти факторы стимулировали развитие полупроводниковой технологии, и в настоящее время современная РЭА на основе полупроводниковых ИМС имеет параметры (массогабаритные, потребляемая мощность, быстродействие, стоимость), недостижимые для ГИС. На основе пленочной технологии, составной части технологии ГИС, изготавливаются интегральные элементы функциональной электроники, интегральные датчики физических величин, небольшие партии специализированных микросхем, для которых полупроводниковая технология экономически не оправдана.

    Сообщение от Костюков Сергей — 28 Март, 2014 @ 3:53 пп

  49. Гибридная интегральная микросхема — микросхема, содержащая кроме элементов компоненты и кристаллы.
    Гибридные интегральные микросхемы имеют достаточно широкое применение благодаря тому, что дают возможность использовать достижения как пленочной технологии, так и новых разработок полупроводниковых приборов и прогрессивных технологических методов, допускают использование больших мощностей и обеспечивают более легкий переход от макета на дискретных компонентах к интегральной форме.
    Гибридные интегральные микросхемы по сравнению с полупроводниковыми имеют ряд преимуществ, с точки зрения разработчика МЭА: обеспечивают широкий диапазон номиналов, меньшие пределы допусков и лучшие электрические характеристики пассивных элементов позволяют использовать любые дискретные компоненты, в том числе полупроводниковые

    Сообщение от Королёв Сергей — 28 Март, 2014 @ 3:54 пп

  50. Гибридная интегральная микросхема — микросхема, содержащая кроме элементов компоненты и кристаллы.
    Гибридные интегральные микросхемы имеют достаточно широкое применение благодаря тому, что дают возможность использовать достижения как пленочной технологии, так и новых разработок полупроводниковых приборов и прогрессивных технологических методов, допускают использование больших мощностей и обеспечивают более легкий переход от макета на дискретных компонентах к интегральной форме.
    Гибридные интегральные микросхемы по сравнению с полупроводниковыми имеют ряд преимуществ, с точки зрения разработчика МЭА: обеспечивают широкий диапазон номиналов, меньшие пределы допусков и лучшие электрические характеристики пассивных элементов позволяют использовать любые дискретные компоненты, в том числе полупроводниковые

    Сообщение от Коваленко Антон — 28 Март, 2014 @ 3:55 пп

  51. Гибридная интегральная микросхема — микросхема, содержащая кроме элементов компоненты и кристаллы.
    Гибридные интегральные микросхемы имеют достаточно широкое применение благодаря тому, что дают возможность использовать достижения как пленочной технологии, так и новых разработок полупроводниковых приборов и прогрессивных технологических методов, допускают использование больших мощностей и обеспечивают более легкий переход от макета на дискретных компонентах к интегральной форме.
    Гибридные интегральные микросхемы по сравнению с полупроводниковыми имеют ряд преимуществ, с точки зрения разработчика МЭА: обеспечивают широкий диапазон номиналов, меньшие пределы допусков и лучшие электрические характеристики пассивных элементов позволяют использовать любые дискретные компоненты, в том числе полупроводниковые

    Сообщение от Кулик Андрей — 28 Март, 2014 @ 3:56 пп

  52. Гибридная интегральная микросхема — микросхема, содержащая кроме элементов компоненты и кристаллы.
    Гибридные интегральные микросхемы имеют достаточно широкое применение благодаря тому, что дают возможность использовать достижения как пленочной технологии, так и новых разработок полупроводниковых приборов и прогрессивных технологических методов, допускают использование больших мощностей и обеспечивают более легкий переход от макета на дискретных компонентах к интегральной форме.
    Гибридные интегральные микросхемы по сравнению с полупроводниковыми имеют ряд преимуществ, с точки зрения разработчика МЭА: обеспечивают широкий диапазон номиналов, меньшие пределы допусков и лучшие электрические характеристики пассивных элементов позволяют использовать любые дискретные компоненты, в том числе и полупроводниковые

    Сообщение от Кулик Андрей — 28 Март, 2014 @ 3:57 пп

  53. Гибридные ИМС получили широкое применение. Основным преимуществом ГИС является более простая и дешевая, по сравнению с полупровродниковой, технология изготовления, больший процент выхода годных изделий. Именно это вызвало большой интерес к гибридной технологии в области низких, высоких и сверхвысоких частот. Развитию технологии ГИС было посвящено множество исследований, в результате чего параметры микросхем достигли своих оптимальных соотношений, а технологические процессы изготовления доведены до совершенства.
    Основные недостатки ГИС по сравнению с полупроводниковыми ИМС:
    — относительно низкая плотность упаковки;
    — низкая степень интеграции.
    Эти факторы стимулировали развитие полупроводниковой технологии, и в настоящее время современная РЭА на основе полупроводниковых ИМС имеет параметры (массогабаритные, потребляемая мощность, быстродействие, стоимость) недостижимые для ГИС.
    Область применения:
    На основе пленочной технологии, составной части технологии ГИС, изготавливаются интегральные элементы функциональной электроники, интегральные датчики физических величин, небольшие партии специализированных микросхем, для которых полупроводниковая технология экономически не оправдана.

    Сообщение от Авчинник Сергей — 28 Март, 2014 @ 4:10 пп

  54. С момента рождения микроэлектроники гибридные ИМС получили широкое применение. Однако, к настоящему времени роль ГИС несколько снижается, что обусловлено рядом обстоятельств. Основным преимуществом ГИС является более простая и дешевая, по сравнению с полупровродниковой, технология изготовления, больший процент выхода годных изделий. Именно эти обстоятельства вызвали большой интерес к гибридной технологии в области низких, высоких и сверхвысоких частот. Развитию технологии ГИС было посвящено множество исследований, в результате чего параметры микросхем и РЭА на их основе достигли своих оптимальных соотношений, а технологические процессы изготовления ГИС доведены до совершенства. Основным недостатком ГИС по сравнению с полупроводниковыми ИМС является относительно низкая плотность упаковки, низкая степень интеграции. Эти факторы стимулировали развитие полупроводниковой технологии, и в настоящее время современная РЭА на основе полупроводниковых ИМС имеет параметры (массогабаритные, потребляемая мощность, быстродействие, стоимость), недостижимые для ГИС. На основе пленочной технологии, составной части технологии ГИС, изготавливаются интегральные элементы функциональной электроники, интегральные датчики физических величин, небольшие партии специализированных микросхем, для которых полупроводниковая технология экономически не оправдана.

    Сообщение от Ахраменя Роман — 28 Март, 2014 @ 4:12 пп

  55. Гибридные интегральные микросхемы — это схемы, изготовленные путем использования различных технологических методов, чаще всего такие, в которых резисторы, конденсаторы и их межсоединения выполнены с помощью тонкопленочной или толстопленочной технологии на керамической плате, а диоды и транзисторы представляют собой дискретные компоненты, вмонтированные в эту схему. Затем всю сборку заливают изолирующей смолой. В других вариантах пассивные тонкопленочные элементы напыляются на полупроводниковую пластинку, содержащую активные полупроводниковые элементы.

    Гибридные интегральные микросхемы по сравнению с полупроводниковыми имеют ряд преимуществ: обеспечивают широкий диапазон номиналов, меньшие пределы допусков и лучшие электрические характеристики пассивных элементов ( более высокая добротность, температурная и временная стабильность, меньшее число и менее заметное влияние паразитных элементов.

    Гибридные интегральные микросхемы имеют достаточно широкое применение благодаря тому, что дают возможность использовать достижения как пленочной технологии, так и новых разработок полупроводниковых приборов и прогрессивных технологических методов, допускают использование больших мощностей и обеспечивают более легкий переход от макета на дискретных компонентах к интегральной форме.

    Сообщение от Денис Миронович — 28 Март, 2014 @ 5:39 пп

  56. Гибридные интегральные микросхемы — это схемы, изготовленные путем использования различных технологических методов, чаще всего такие, в которых резисторы, конденсаторы и их межсоединения выполнены с помощью тонкопленочной или толстопленочной технологии на керамической плате, а диоды и транзисторы представляют собой дискретные компоненты, вмонтированные в эту схему. Затем всю сборку заливают изолирующей смолой. В других вариантах пассивные тонкопленочные элементы напыляются на полупроводниковую пластинку, содержащую активные полупроводниковые элементы.

    Гибридные интегральные микросхемы по сравнению с полупроводниковыми имеют ряд преимуществ: обеспечивают широкий диапазон номиналов, меньшие пределы допусков и лучшие электрические характеристики пассивных элементов ( более высокая добротность, температурная и временная стабильность, меньшее число и менее заметное влияние паразитных элементов.

    Гибридные интегральные микросхемы имеют достаточно широкое применение благодаря тому, что дают возможность использовать достижения как пленочной технологии, так и новых разработок полупроводниковых приборов и прогрессивных технологических методов, допускают использование больших мощностей и обеспечивают более легкий переход от макета на дискретных компонентах к интегральной форме.

    Сообщение от Киселёва Дарья — 28 Март, 2014 @ 5:39 пп

  57. Гибридная интегральная схема, гибридная микросхема, микросборка — интегральная схема, в которой наряду с элементами, неразъёмно связанными на поверхности или в объёме подложки, используются навесные микроминиатюрные элементы (транзисторы, полупроводниковые диоды, катушки индуктивности, вакуумные электронные приборы, кварцевые резонаторы и др.). В зависимости от метода изготовления неразъёмно связанных элементов различают гибридные плёночную и полупроводниковую интегральные схемы.

    Сообщение от Кожарин Виктор — 28 Март, 2014 @ 5:49 пп

  58. Гибридная интегральная микросхема- интегральная схема, в которой наряду с элементами, неразъёмно связанными на поверхности или в объёме подложки, используются навесные микроминиатюрные элементы (транзисторы, полупроводниковые диоды, катушки индуктивности, вакуумные электронные приборы, кварцевые резонаторы и др.).
    ГИС по сравнению с полупроводниковыми имеют ряд преимуществ: обеспечивают широкий диапазон номиналов, меньшие пределы допусков и лучшие электрические характеристики пассивных элементов (более высокая добротность, температурная и временная стабильность, меньшее число и менее заметное влияние паразитных элементов); позволяют использовать любые дискретные компоненты, в том числе полупроводниковые БИС и СБИС. В качестве навесных компонентов в ГИС применяют миниатюрные дискретные резисторы, конденсаторы, индуктивные катушки, дроссели, трансформаторы.

    Сообщение от Ilya Nazaruk — 28 Март, 2014 @ 7:58 пп

  59. Гибридные интегральные микросхемы — это схемы, изготовленные путем использования различных технологических методов, чаще всего такие, в которых резисторы, конденсаторы и их межсоединения выполнены с помощью тонкопленочной или толстопленочной технологии на керамической плате, а диоды и транзисторы представляют собой дискретные компоненты, вмонтированные в эту схему. Затем всю сборку заливают изолирующей смолой.
    Гибридные интегральные микросхемы по сравнению с полупроводниковыми имеют ряд преимуществ: обеспечивают широкий диапазон номиналов, меньшие пределы допусков и лучшие электрические характеристики пассивных элементов ( более высокая добротность, температурная и временная стабильность, меньшее число и менее заметное влияние паразитных элементов);
    Применяются в радио- и электронной технике

    Сообщение от Капустинский Артем — 28 Март, 2014 @ 7:58 пп

  60. Гибридные интегральные микросхемы ( ГИМС) — микросхемы, представляющие собой подложку, на которую напыляют резисторы и проводники в виде пленки, получая таким образом плату. Конденсаторы и другие приборы, изготовленные отдельно, прикрепляют к подложке и присоединяют к предусмотренным на ней контактным площадкам.
    Применяются в вычислительной технике и другой аппаратуре.
    Основным преимуществом ГИС является простая и дешевая, по сравнению с полупроводниковой, технология изготовления, большой процент годных изделий.

    Сообщение от Андрей Смогур — 28 Март, 2014 @ 8:32 пп

  61. Гибридные интегральные микросхемы имеют достаточно широкое применение благодаря тому, что дают возможность использовать достижения как пленочной технологии, так и новых разработок полупроводниковых приборов и прогрессивных технологических методов, допускают использование больших мощностей и обеспечивают более легкий переход от макета на дискретных компонентах к интегральной форме. [2]

    Гибридная интегральная микросхема, сделанная на основе бескорпусных полупроводниковых приборов, является окончательным изделием. [3]

    Гибридные интегральные микросхемы по сравнению с полупроводниковыми имеют ряд преимуществ, с точки зрения разработчика МЭА: обеспечивают широкий диапазон номиналов, меньшие пределы допусков и лучшие электрические характеристики пассивных элементов ( более высокая добротность, температурная и временная стабильность, меньшее число и менее заметное влияние паразитных элементов); позволяют использовать любые дискретные компоненты, в том числе полупроводниковые БИС и СБИС. В качестве навесных компонентов в ГИС применяют миниатюрные дискретные резисторы, конденсаторы, индуктивные катушки, дроссели, трансформаторы. При мелкосерийном производстве ГИС дешевле полупроводниковых ( примерно одной и той же функциональной сложности) ИМС. Подготовка персонала для производства ГИС сравнительно проста.

    Сообщение от Юхневич Павел — 28 Март, 2014 @ 8:33 пп

  62. Гибридная интегральная микросхема — микросхема, содержащая кроме элементов компоненты и кристаллы.
    Гибридные интегральные микросхемы по сравнению с полупроводниковыми имеют ряд преимуществ: обеспечивают широкий диапазон номиналов, меньшие пределы допусков и лучшие электрические характеристики пассивных элементов ( более высокая добротность, температурная и временная стабильность, меньшее число и менее заметное влияние паразитных элементов); позволяют использовать любые дискретные компоненты. При мелкосерийном производстве ГИС дешевле полупроводниковых ( примерно одной и той же функциональной сложности) ИМС.

    Сообщение от Леонов Владислав — 28 Март, 2014 @ 9:39 пп

  63. Гибридная интегральная микросхема — микросхема, содержащая кроме элементов компоненты и кристаллы.
    Гибридные интегральные микросхемы по сравнению с полупроводниковыми имеют ряд преимуществ: обеспечивают широкий диапазон номиналов, меньшие пределы допусков и лучшие электрические характеристики пассивных элементов ( более высокая добротность, температурная и временная стабильность, меньшее число и менее заметное влияние паразитных элементов); позволяют использовать любые дискретные компоненты. При мелкосерийном производстве ГИС дешевле полупроводниковых ( примерно одной и той же функциональной сложности) ИМС.

    Сообщение от Линкевич Александр — 28 Март, 2014 @ 9:39 пп

  64. Гибридная интегральная микросхема — микросхема, содержащая кроме элементов компоненты и кристаллы.
    Гибридные интегральные микросхемы по сравнению с полупроводниковыми имеют ряд преимуществ: обеспечивают широкий диапазон номиналов, меньшие пределы допусков и лучшие электрические характеристики пассивных элементов ( более высокая добротность, температурная и временная стабильность, меньшее число и менее заметное влияние паразитных элементов); позволяют использовать любые дискретные компоненты. При мелкосерийном производстве ГИС дешевле полупроводниковых ( примерно одной и той же функциональной сложности) ИМС.

    Сообщение от Тарас Коротыш — 28 Март, 2014 @ 9:39 пп

  65. Гибридная интегральная микросхема — интегральная микросхема, в которой наряду с элементами, неразъёмно связанными на поверхности или в объёме подложки, используются навесные микроминиатюрные элементы (миниатюрные дискретные резисторы, конденсаторы, индуктивные катушки, дроссели, трансформаторы). В зависимости от метода изготовления неразъёмно связанных элементов различают гибридные плёночную и полупроводниковую интегральные схемы.
    Навесные элементы крепят на одной подложке с плёночными элементами, а их выводы присоединяют к соответствующим контактным площадкам пайкой или сваркой. ГИС, как правило, помещают в корпус и герметизируют.
    Применение ГИС в электронной аппаратуре повышает её надёжность, уменьшает габариты и массу. ГИС обеспечивают более широкий диапазон номиналов, меньшие пределы допусков и лучшие электрические характеристики пассивных элементов, позволяют использовать любые дискретные компоненты, в том числе и полупроводниковые интегральные микросхемы.
    Применяя ГИС в аналоговой аппаратуре можно реализовать широкий класс функциональных электронных схем – усилителей, преобразователей, коммутаторов, вторичных источников питания, являясь при этом экономически целесообразными в условиях серийного производства.

    Сообщение от Михаил Фурса — 28 Март, 2014 @ 10:23 пп

Оставить сообщение

Введите, пожалуйста, правильное значение, чтобы ваше сообщение было принято.